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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF9540STRL	-	RFQ	7576	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF9540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
TP0610KL-TR1-E3	-	RFQ	7685	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TP0610	MOSFET （金属 o化物）		TO-226AA（TO-92）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	60 V	270mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	3 NC @ 15 V	±20V		-	800MW（TA）
SI7842DP-T1-GE3	-	RFQ	7603	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7842	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6.3a		22mohm @ 7.5a，10v	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI4114DY-T1-E3	1.7000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4114	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	20A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	3700 PF @ 10 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SQ3426EV-T1_GE3	0.7700	RFQ	498	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	720 PF @ 30 V	-	5W（TC）
IRFD113PBF	2.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD113	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100		n通道	60 V	800mA（TC）	10V	800mohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRF9530PBF-BE3	1.8100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9530PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	100 v	12A（TC）		300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	88W（TC）
SQJ952EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	4707	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ952	MOSFET （金属 o化物）	25W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	23A（TC）		20mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1800pf @ 30V	-
SI7478DP-T1-GE3	2.8700	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7478	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15A（TA）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI4567DY-T1-E3	-	RFQ	8024	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4567	MOSFET （金属 o化物）	2.75W，2.95W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	5a，4.4a		60mohm @ 4.1A，10V	2.2V @ 250µA	12nc @ 10V		355pf @ 20V	-
SIHG25N40D-GE3	3.7000	RFQ	220	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG25	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	25A（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	1707 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SIHF6N40D-E3	1.3900	RFQ	4637	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF6N40DE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	30W（TC）
SI2315BDS-T1-BE3	0.5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	50mohm @ 3.85a，4.5V	900mv @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	715 PF @ 6 V	-	750MW（TA）
SIR424DP-T1-GE3	0.9400	RFQ	5859	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir424	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	30A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 10 V	-	4.8W（TA），41.7W（tc）
SIR844DP-T1-GE3	-	RFQ	6675	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir844	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	50A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 15a，10v	2.6V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3215 PF @ 10 V	-	5W（5W），50W（50W）TC）
irlr8103trl	-	RFQ	8605	Vishay Siliconix	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8103	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	89a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA（）	50 NC @ 5 V	±20V		-	-
SQ3427EEV-T1-GE3	-	RFQ	3290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.5A（TC）	4.5V，10V	82MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1125 PF @ 30 V	-	5W（TC）
IRF610pbf	0.9300	RFQ	28	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF610pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SIHH28N60E-T1-GE3	3.2036	RFQ	3483	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH28	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	29A（TC）	10V	98mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±30V	2614 PF @ 100 V	-	202W（TC）
IRF9620SPBF	2.6600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF9620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	3.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
SIS322DNT-T1-GE3	0.2436	RFQ	8706	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS322	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	38.3a（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SI2305ADS-T1-E3	-	RFQ	8948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2305	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.4A（TC）	1.8V，4.5V	40mohm @ 4.1a，4.5V	800MV @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 4 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
SI3442CDV-T1-GE3	-	RFQ	6589	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3442	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	8A（TC）	2.5V，10V	27mohm @ 6.5a，10v	1.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±12V	335 pf @ 10 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
SI7478DP-T1-E3	2.8500	RFQ	14	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7478	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15A（TA）	4.5V，10V	7.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SIHP180N60E-GE3	3.2500	RFQ	3536	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP180	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	19a（tc）	10V	180MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1085 pf @ 100 V	-	156W（TC）
SI2307CDS-T1-E3	0.5400	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2307	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.5A（TC）	4.5V，10V	88mohm @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 V	±20V	340 pf @ 15 V	-	1.1W（ta），1.8W（TC）
SI2365EDS-T1-BE3	0.4000	RFQ	3627	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2365EDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta），5.9a tc）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	36 NC @ 8 V	±8V		-	1W（1W），1.7W（TC）
SI6933DQ-T1-GE3	-	RFQ	7142	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6933	MOSFET （金属 o化物）	1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	-		45MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	30nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI7856ADP-T1-E3	-	RFQ	6892	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7856	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI6443DQ-T1-E3	-	RFQ	4402	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6443	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	12mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±20V		-	1.05W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²