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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF610	-	RFQ	3831	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF610	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SUD50N02-06P-E3	-	RFQ	4639	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	2550 pf @ 10 V	-	6.8W（65W）（65W）（TC）
SI5404BDC-T1-GE3	-	RFQ	9695	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5404	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.4A（ta）	2.5V，4.5V	28mohm @ 5.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
IRFB9N65A	-	RFQ	9250	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB9N65A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
SI6969DQ-T1-GE3	-	RFQ	9139	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6969	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	-		34mohm @ 4.6A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	40NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHG40N60E-GE3	6.8800	RFQ	428	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	40a（TC）	10V	75mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±30V	4436 pf @ 100 V	-	329W（TC）
SIHD180N60E-GE3	2.8700	RFQ	8016	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD180	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	19a（tc）	10V	195MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 100 V	-	156W（TC）
SI1470DH-T1-GE3	-	RFQ	6216	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1470	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.1A（TC）	2.5V，4.5V	66mohm @ 3.8A，4.5V	1.6V @ 250µA	7.5 NC @ 5 V	±12V	510 pf @ 15 V	-	1.5W（ta），2.8W（TC）
SIHH11N65EF-T1-GE3	4.3300	RFQ	18	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH11	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	11A（TC）	10V	382MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1243 PF @ 100 V	-	130W（TC）
SI1013CX-T1-GE3	0.4900	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1013	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	450mA（ta）	4.5V	760MOHM @ 400mA，4.5V	1V @ 250µA	2.5 NC @ 4.5 V	±8V	45 pf @ 10 V	-	190mw（TA）
IRFPS35N50LPBF	-	RFQ	4794	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS35	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS35N50LPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	34A（TC）	10V	145mohm @ 20a，10v	5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±30V	5580 pf @ 25 V	-	450W（TC）
IRFR220TRPBF	0.9300	RFQ	18	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI4628DY-T1-GE3	-	RFQ	8167	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4628	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SI4532ADY-T1-E3	-	RFQ	2483	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4532	MOSFET （金属 o化物）	1.13W，1.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	3.7a，3a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	16NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIR798DP-T1-GE3	-	RFQ	6675	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir798	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.05ohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 15 V	（（（）	83W（TC）
SIHFS11N50A-GE3	1.0490	RFQ	2748	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHFS11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SIHB12N60ET5-GE3	1.2311	RFQ	2141	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	147W（TC）
sihu5n50d-ge3	1.0400	RFQ	2754	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu5	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI4456DY-T1-GE3	1.2758	RFQ	5606	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4456	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	33A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	5670 pf @ 20 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
IRF840STRL	-	RFQ	4531	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI2347DS-T1-GE3	0.4300	RFQ	246	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2347	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 3.8A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	705 pf @ 15 V	-	1.7W（TC）
IRFR9310TR	-	RFQ	9488	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SIHW30N60E-GE3	6.4000	RFQ	159	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SIHW30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFBC30ASTRLPBF	2.9100	RFQ	789	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR120Trl	-	RFQ	9931	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHG30N60E-GE3	6.4000	RFQ	522	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFR9024	-	RFQ	1320	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9024	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFD9220	-	RFQ	6095	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9220	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9220	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	560ma（ta）	10V	1.5OHM @ 340mA，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRL510	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL510	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRFP350	-	RFQ	1850年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP350	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP350	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²