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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SISS27ADN-T1-GE3	0.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS27	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V	4660 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRL640L	-	RFQ	9208	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL640L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	-
SIZ914DT-T1-GE3	-	RFQ	2269	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ914	MOSFET （金属 o化物）	22.7W，100W	8-PowerPair®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a，40a		6.4mohm @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	26NC @ 10V		1208pf @ 15V	逻辑级别门
SIHF7N60E-E3	2.4000	RFQ	6676	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF7	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF7N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	31W（TC）
SI4110DY-T1-GE3	-	RFQ	7785	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4110	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	17.3A（TC）	10V	13mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2205 PF @ 40 V	-	3.6W（ta），7.8W（TC）
SISH617DN-T1-GE3	0.9600	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH617	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	13.9a（ta），35a tc）	4.5V，10V	12.3mohm @ 13.9a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±25V	1800 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SQM60030E_GE3	3.8400	RFQ	9254	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM60030	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	80 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SI2367DS-T1-GE3	0.4100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2367	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.8A（TC）	1.8V，4.5V	66mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	23 NC @ 8 V	±8V	561 PF @ 10 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
IRFR320Tr	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFU430APBF	1.9500	RFQ	406	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU430	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFU430APBF	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRLI520G	-	RFQ	9045	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli520g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	7.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.3A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IRF9630pbf	1.6400	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF9630pbf	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIR800DP-T1-RE3	0.7090	RFQ	8957	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir800	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，10V	2.3MOHM @ 15A，10V	1.5V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±12V	5125 pf @ 10 V	-	69W（TC）
SIZ700DT-T1-GE3	-	RFQ	6812	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ700	MOSFET （金属 o化物）	2.36W，2.8W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	16a		8.6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	35nc @ 10V		1300pf @ 10V	-
IRF610	-	RFQ	3831	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF610	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRFP22N60KPBF	8.1300	RFQ	5432	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP22	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP22N60KPBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	22a（TC）	10V	280MOHM @ 13A，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3570 pf @ 25 V	-	370W（TC）
SI7463DP-T1-GE3	2.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7463	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	11a（11a）	4.5V，10V	9.2MOHM @ 18.6a，10V	3V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
irfd110pbf	1.6900	RFQ	29	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD110PBF	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	100 v	1A（1A）	10V	540MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SIA922EDJ-T1-GE3	-	RFQ	8843	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA922	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4.5a		64mohm @ 3A，4.5V	1.4V @ 250µA	12nc @ 10V		-	逻辑级别门
IRFP150pbf	4.2600	RFQ	6142	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP150pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	100 v	41A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SI1330EDL-T1-GE3	0.5200	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1330	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	240mA（ta）	3V，10V	2.5Ohm @ 250mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V		-	280MW（TA）
IRFPF30pbf	4.9000	RFQ	1859年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF30PBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI3465DV-T1-GE3	-	RFQ	2979	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3465	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3A（3A）	4.5V，10V	80mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	5.5 NC @ 5 V	±20V		-	1.14W（TA）
SI8402DB-T1-E1	-	RFQ	3231	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8402	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.3a（ta）		37MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V			-
IRFBC40STRR	-	RFQ	5613	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
IRF530STRL	-	RFQ	3263	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SQD40N10-25_GE3	6.3700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3380 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SIHA15N60E-E3	3.0700	RFQ	11	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IRFD020PBF	1.5900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	2.4A（TC）	10V	100mohm @ 1.4a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SI7370DP-T1-GE3	3.0700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7370	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9.6a（ta）	10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²