RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF820	-	RFQ	8979	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI4459BDY-T1-GE3	1.1800	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4459	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	20.5A（ta），27.8a tc）	4.5V，10V	4.9mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	84 NC @ 10 V	+20V，-16V	3490 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SI7880ADP-T1-GE3	2.0808	RFQ	4171	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7380ADP-T1-GE3	-	RFQ	9647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7380	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	1.6V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±12V	7785 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
irld024pbf	1.9500	RFQ	10	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRLD024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irld024pbf	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	60 V	2.5a（ta）	4V，5V	100mohm @ 1.5A，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFR420APBF	1.4600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFR420APBF	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SI3424BDV-T1-E3	-	RFQ	4865	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±20V	735 pf @ 15 V	-	2.1W（2.1W），2.98W（TC）
SI4682DY-T1-GE3	-	RFQ	7187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4682	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1595 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
IRC530pbf	-	RFQ	8346	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC530pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	电流感应	88W（TC）
SI4435DDY-T1-E3	0.7500	RFQ	6676	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11.4A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 9.1a，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI4569DY-T1-GE3	-	RFQ	5818	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4569	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		40V	7.6a，7.9a		27mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	32NC @ 10V		855pf @ 20V	-
SI4544DY-T1-E3	-	RFQ	1331	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4544	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V	-		35mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	35nc @ 10V		-	逻辑级别门
IRFL110TR	-	RFQ	7659	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFP254NPBF	-	RFQ	1219	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP254	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP254NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	23A（TC）	10V	125mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2040 pf @ 25 V	-	220W（TC）
IRF840ASTRL	-	RFQ	4537	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFP27N60KPBF	9.8100	RFQ	7	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP27	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP27N60KPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	27a（TC）	10V	220MOHM @ 16A，10V	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±30V	4660 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SI4418DY-T1-E3	-	RFQ	6811	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4418	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	2.3a（ta）	6V，10V	130MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRFBC30APBF	3.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIA449DJ-T1-GE3	0.4600	RFQ	1183	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA449	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12A（TC）	2.5V，10V	20mohm @ 6a，10v	1.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±12V	2140 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IRFR310TRR	-	RFQ	9513	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7220DN-T1-GE3	1.7700	RFQ	71	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7220	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	3.4a		60mohm @ 4.8A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF9530	-	RFQ	8795	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9530	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	88W（TC）
IRFD9210	-	RFQ	5105	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9210	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	400mA（TA）	10V	3ohm @ 240mA，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SIRA10DP-T1-GE3	1.0400	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira10	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	51 NC @ 10 V	+20V，-16V	2425 pf @ 15 V	-	（5W）（40W）（40W）TC）
IRFD224	-	RFQ	1112	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD224	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD224	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	250 v	630ma（ta）	10V	1.1OHM @ 380mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRCZ34PBF	-	RFQ	5175	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRCZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*ircz34pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	88W（TC）
IRF644	-	RFQ	8701	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFBC40STRL	-	RFQ	6695	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
IRF614pbf	0.7229	RFQ	4163	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF614PBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SUP80090E-GE3	3.0600	RFQ	5898	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP80090	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	150 v	128a（TC）	7.5V，10V	9.4mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3425 PF @ 75 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²