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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
2N4861JTX02	-	RFQ	1010	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4861			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SIE822DF-T1-GE3	2.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	SIE822	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 18.3a，10v	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SQ3427EEV-T1-GE3	-	RFQ	3290	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.5A（TC）	4.5V，10V	82MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1125 PF @ 30 V	-	5W（TC）
IRFU214	-	RFQ	6693	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU214	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFP350	-	RFQ	1850年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP350	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP350	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	400 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFBF30STRR	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHD14N60ET4-GE3	2.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
IRF830APBF	1.5700	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SUP40N10-30-GE3	-	RFQ	6307	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	38.5A（TC）	6V，10V	30mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），89W（tc）
SISS27ADN-T1-GE3	0.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS27	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V	4660 pf @ 15 V	-	57W（TC）
SIR165DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	764	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir165	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	4930 PF @ 15 V	-	69.4W（TC）
IRFR9214	-	RFQ	9365	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9214	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF840ASTRL	-	RFQ	4537	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI2371EDS-T1-GE3	0.4300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2371	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.8A（TC）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±12V		-	1W（1W），1.7W（TC）
IRF9Z14S	-	RFQ	5548	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z14S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRF614S	-	RFQ	1824年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF614S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SQD90P04_9M4LT4GE3	0.6985	RFQ	4113	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD90	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD90P04_9M4LT4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	90A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6675 PF @ 20 V	-	136W（TC）
IRL630STRLPBF	1.5619	RFQ	2476	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SIE836DF-T1-GE3	-	RFQ	9202	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（SH）	SIE836	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（SH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	18.3a（TC）	10V	130MOHM @ 4.1A，10V	4.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 100 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
IRFB9N65APBF	2.8500	RFQ	956	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFB9N65APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
IRLI520G	-	RFQ	9045	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli520g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	7.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.3A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IRFD224	-	RFQ	1112	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD224	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD224	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	250 v	630ma（ta）	10V	1.1OHM @ 380mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SQM120N06-3M5L_GE3	4.2600	RFQ	4672	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	14700 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SI1070X-T1-GE3	0.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1070	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.2A（TA）	2.5V，4.5V	99mohm @ 1.2A，4.5V	1.55V @ 250µA	8.3 NC @ 5 V	±12V	385 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SI7949DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	9164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7949	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		60V	3.2a		64mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQ4917EY-T1_GE3	1.8400	RFQ	9	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4917	MOSFET （金属 o化物）	5W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	8A（TC）		48mohm @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	65nc @ 10V		1910pf @ 30V	-
SUM120N04-1M7L-GE3	-	RFQ	2688	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±20V	11685 PF @ 20 V	-	375W（TC）
IRF614STRR	-	RFQ	4962	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
IRF820STRL	-	RFQ	4930	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI5944DU-T1-GE3	-	RFQ	5386	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5944	MOSFET （金属 o化物）	10W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	6a		112MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 250µA	6.6nc @ 10V		210pf @ 20V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²