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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
irfr020pbf	-	RFQ	6937	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7862ADP-T1-E3	2.2903	RFQ	9686	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7862	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	16 V	18A（18A）	2.5V，4.5V	3mohm @ 29a，4.5V	2V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	7340 pf @ 8 V	-	1.9W（TA）
SI7938DP-T1-GE3	1.5500	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7938	MOSFET （金属 o化物）	46W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	60a		5.8mohm @ 18.5a，10v	2.5V @ 250µA	65nc @ 10V		2300pf @ 20V	-
IRFBF30	-	RFQ	3543	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBF30	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
irfr014trlpbf	1.5900	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIA910EDJ-T1-GE3	0.5900	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA910	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	4.5a		28mohm @ 5.2a，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		455pf @ 6V	逻辑级别门
sum60n02-3m9p-e3	-	RFQ	5979	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5950 pf @ 10 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
SQJ459EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	9590	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ459EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	52A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	4586 pf @ 30 V	-	83W（TC）
IRFD210	-	RFQ	3636	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD210	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	600mA（TA）	10V	1.5OHM @ 360mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI4778DY-T1-E3	-	RFQ	8494	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4778	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	8A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±16V	680 pf @ 13 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SI4834BDY-T1-GE3	-	RFQ	1812年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4834	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7501DN-T1-GE3	-	RFQ	2582	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7501	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水		30V	5.4a，4.5a		35mohm @ 7.7A，10V	3V @ 250µA	14NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF540L	-	RFQ	6623	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF540L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	-
IRF9Z14S	-	RFQ	5548	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z14S	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFBC30STRL	-	RFQ	7558	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
IRF540STRLPBF	2.3500	RFQ	31	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SQ3426EEV-T1-GE3	-	RFQ	9832	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3426	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	7A（TC）		42MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V		700 pf @ 30 V	-
IRFU420	-	RFQ	1097	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU420	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI6926ADQ-T1-E3	0.9700	RFQ	31	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6926	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.1a		30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	10.5NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRFIBE30GPBF	2.8200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibe30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBE30GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	2.1A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRFPG40pbf	5.7000	RFQ	68	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPG40	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPG40PBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1000 v	4.3A（TC）	10V	3.5OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFR320TRR	-	RFQ	7301	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SQJ952EP-T1_GE3	1.4600	RFQ	4707	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ952	MOSFET （金属 o化物）	25W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	23A（TC）		20mohm @ 10.3a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1800pf @ 30V	-
IRF820	-	RFQ	8979	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI4459BDY-T1-GE3	1.1800	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4459	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	20.5A（ta），27.8a tc）	4.5V，10V	4.9mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	84 NC @ 10 V	+20V，-16V	3490 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SI7880ADP-T1-GE3	2.0808	RFQ	4171	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7880	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5600 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI7380ADP-T1-GE3	-	RFQ	9647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7380	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	1.6V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±12V	7785 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
irld024pbf	1.9500	RFQ	10	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRLD024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irld024pbf	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	60 V	2.5a（ta）	4V，5V	100mohm @ 1.5A，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRFR420APBF	1.4600	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFR420APBF	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SI3424BDV-T1-E3	-	RFQ	4865	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±20V	735 pf @ 15 V	-	2.1W（2.1W），2.98W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²