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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFI530GPBF	1.9200	RFQ	973	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI530GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	9.7a（TC）	10V	160MOHM @ 5.8A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI7288DP-T1-GE3	1.5200	RFQ	132	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7288	MOSFET （金属 o化物）	15.6W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	20a		19mohm @ 10a，10v	2.8V @ 250µA	15nc @ 10V		565pf @ 20V	-
SI8401DB-T1-E1	1.1800	RFQ	5653	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8401	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.47W（TA）
2N4861JTX02	-	RFQ	1010	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4861			TO-206AA（to-18）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		-								-
SI1539DDL-T1-GE3	-	RFQ	5973	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1539	MOSFET （金属 o化物）	340MW	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	700mA（TC），460mA （TC）		388mohm @ 600mA，10v，1.07Ohm @ 400mA，10v	2.5V @ 250µA，3V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V，1.2NC @ 4.5V		28pf @ 15V，21pf @ 15V	-
SIA418DJ-T1-GE3	-	RFQ	9866	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA418	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHB12N60ET1-GE3	1.2311	RFQ	9789	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	937 PF @ 100 V	-	147W（TC）
SIE804DF-T1-GE3	-	RFQ	2188	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（LH）	SIE804	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（LH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	37A（TC）	6V，10V	38mohm @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI2308CDS-T1-GE3	0.3900	RFQ	6373	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2.6A（TC）	4.5V，10V	144mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	105 pf @ 30 V	-	1.6W（TC）
SIZ728DT-T1-GE3	-	RFQ	4950	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ728	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		25V	16a，35a		7.7MOHM @ 18A，10V	2.2V @ 250µA	26NC @ 10V		890pf @ 12.5V	逻辑级别门
SUP90140E-GE3	3.3400	RFQ	3159	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP90140	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	90A（TC）	7.5V，10V	17mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	4132 PF @ 100 V	-	375W（TC）
SI5402DC-T1-GE3	-	RFQ	7014	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5402	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.9a（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	20 nc @ 10 V	±20V		-	1.3W（TA）
IRF840HPBF	1.5800	RFQ	2304	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF840HPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	7.3A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1059 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SQM40016EM_GE3	3.0900	RFQ	8666	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM40016	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	250A（TC）	10V	1MOHM @ 40a，10v	3.5V @ 250µA	245 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
SI7485DP-T1-E3	-	RFQ	9839	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	PowerPak®SO-8	SI7485	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12.5A（TA）		7.3mohm @ 20a，4.5V	900mv @ 1mA	150 NC @ 5 V			-
SI4973DY-T1-E3	-	RFQ	7928	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4973	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	5.8a		23mohm @ 7.6A，10V	3V @ 250µA	56nc @ 10V		-	逻辑级别门
SQ7414AENW-T1_GE3	-	RFQ	3575	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQ7414	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 8.7a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1590 pf @ 30 V	-	62W（TC）
SI7145DP-T1-GE3	2.2900	RFQ	53	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7145	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 25a，10v	2.3V @ 250µA	413 NC @ 10 V	±20V	15660 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SQJ402EP-T1_GE3	1.5900	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	32A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2289 PF @ 40 V	-	83W（TC）
SIA433EDJ-T1-GE3	0.7100	RFQ	9587	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA433	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	18mohm @ 7.6a，4.5V	1.2V @ 250µA	75 NC @ 8 V	±12V		-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHB22N60ET5-GE3	2.5796	RFQ	9425	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SQ2319ES-T1-GE3	-	RFQ	3302	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	4.6A（TC）		75MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V		620 pf @ 25 V	-
SIHFL9110TR-GE3	0.6000	RFQ	2077	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SIHFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIHP21N65EF-GE3	4.6600	RFQ	3994	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±20V	2322 PF @ 100 V	-	208W（TC）
VQ1004P-2	-	RFQ	6690	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-	-	-	VQ1004	-		-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		-		-	5V，10V	-	-		±20V		-	-
SUM75N15-18P-E3	-	RFQ	8160	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum75	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	75A（TC）	10V	18mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4180 pf @ 75 V	-	3.12W（TA），312.5W（tc）
IRL520STRR	-	RFQ	1731年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	9.2A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 5.5A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SISA72ADN-T1-GE3	0.7700	RFQ	4070	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA72	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	25.4a（TA），94A （TC）	4.5V，10V	3.25mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	+20V，-16V	2530 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRFZ30pbf	-	RFQ	3560	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ30PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI4904DY-T1-GE3	2.2300	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4904	MOSFET （金属 o化物）	3.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8a		16mohm @ 5A，10V	2V @ 250µA	85nc @ 10V		2390pf @ 20V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²