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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4493DY-T1-E3	-	RFQ	2766	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4493	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	2.5V，4.5V	7.75mohm @ 14A，4.5V	1.4V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SI4622DY-T1-E3	-	RFQ	2414	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4622	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		16mohm @ 9.6a，10V	2.5V @ 1mA	60nc @ 10V		2458pf @ 15V	-
IRF630STRR	-	RFQ	7897	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SI4862DY-T1-E3	1.6758	RFQ	6470	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4862	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	16 V	17A（TA）	2.5V，4.5V	3.3MOHM @ 25a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI4626ADY-T1-E3	0.9923	RFQ	9189	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4626	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5370 pf @ 15 V	-	（3w（ta），6w（tc）
SI7856ADP-T1-GE3	-	RFQ	3041	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7856	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7218DN-T1-E3	-	RFQ	4083	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7218	MOSFET （金属 o化物）	23W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	24a		25mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	17NC @ 10V		700pf @ 15V	-
SIHH11N60E-T1-GE3	1.5753	RFQ	3792	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH11	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	11A（TC）	10V	339MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	1076 PF @ 100 V	-	114W（TC）
SI5446DU-T1-GE3	-	RFQ	8368	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5446	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®芯片单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	+20V，-16V	1610 PF @ 15 V	-	31W（TC）
SI4660DY-T1-E3	-	RFQ	9333	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4660	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	23.1a（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±16V	2410 pf @ 15 V	-	3.1W（ta），5.6W（TC）
SQ3425EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3425	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.4A（TC）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	10.3 NC @ 4.5 V	±12V	840 pf @ 10 V	-	5W（TC）
SI1431DH-T1-E3	-	RFQ	6464	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1431	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 2a，10v	3V @ 100µA	4 NC @ 4.5 V	±20V		-	950MW（TA）
irfbe20pbf	1.5700	RFQ	771	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBE20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbe20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRL510STRLPBF	1.5600	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRF620SPBF	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF620SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
irli640g	-	RFQ	8382	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli640g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	9.9a（TC）	4V，5V	180MOHM @ 5.9a，5V	2V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI4712DY-T1-GE3	-	RFQ	6991	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4712	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14.6A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	1084 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI4539ADY-T1-E3	-	RFQ	8006	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4539	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	4.4a，3.7a		36mohm @ 5.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIA108DJ-T1-GE3	0.8800	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	6.6a（ta），12a（tc）	7.5V，10V	38mohm @ 4a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	545 pf @ 40 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI6967DQ-T1-E3	-	RFQ	9745	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6967	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		8V	-		30mohm @ 5A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	40NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4833ADY-T1-GE3	-	RFQ	7676	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4833	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	72MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.93W（ta），2.75W（tc）
SI4834CDY-T1-E3	-	RFQ	6914	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4834	MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		20mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	25nc @ 10V		950pf @ 15V	-
SI4842BDY-T1-E3	2.4800	RFQ	185	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4842	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	28a（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3650 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SI4836DY-T1-E3	-	RFQ	1219	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4836	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	17A（TA）	1.8V，4.5V	3mohm @ 25a，4.5V	400mv @ 250µA（250µA））	75 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI7615DN-T1-GE3	1.6300	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7615	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	1.5V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±12V	6000 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIHB25N50E-GE3	3.6400	RFQ	1963年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB25	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHB22N60ET5-GE3	2.5796	RFQ	9425	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB22	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1920 PF @ 100 V	-	227W（TC）
SI4682DY-T1-E3	-	RFQ	9753	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4682	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1595 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
IRFR9110TRR	-	RFQ	7100	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SUM110N06-3M9H-E3	-	RFQ	8595	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	110A（TC）	10V	3.9mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	15800 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²