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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRL510STRLPBF	1.5600	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRC530pbf	-	RFQ	8346	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC530pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	电流感应	88W（TC）
sum60n02-3m9p-e3	-	RFQ	5979	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	20 v	60a（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	5950 pf @ 10 V	-	3.75W（TA），120W（tc）
SI3424BDV-T1-E3	-	RFQ	4865	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±20V	735 pf @ 15 V	-	2.1W（2.1W），2.98W（TC）
SIHP24N65E-E3	5.7000	RFQ	9372	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP24N65EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHG30N60E-GE3	6.4000	RFQ	522	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRFBF30	-	RFQ	3543	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBF30	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
irfr014trlpbf	1.5900	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
irfbe20pbf	1.5700	RFQ	771	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBE20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*irfbe20pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SI4174DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4174	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI1073X-T1-GE3	-	RFQ	7601	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1073	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	980mA（ta）	4.5V，10V	173MOHM @ 980mA，10V	3V @ 250µA	9.45 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
irli640g	-	RFQ	8382	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli640g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	9.9a（TC）	4V，5V	180MOHM @ 5.9a，5V	2V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SI4682DY-T1-GE3	-	RFQ	7187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4682	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1595 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SQJ459EP-T1_BE3	1.3300	RFQ	9590	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ459EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	52A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	4586 pf @ 30 V	-	83W（TC）
IRFD9220	-	RFQ	6095	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9220	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9220	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	560ma（ta）	10V	1.5OHM @ 340mA，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFD210	-	RFQ	3636	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD210	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	600mA（TA）	10V	1.5OHM @ 360mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI4834BDY-T1-GE3	-	RFQ	1812年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4834	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4833ADY-T1-GE3	-	RFQ	7676	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4833	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	72MOHM @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.93W（ta），2.75W（tc）
SI4834CDY-T1-E3	-	RFQ	6914	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4834	MOSFET （金属 o化物）	2.9W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		20mohm @ 8a，10v	3V @ 1mA	25nc @ 10V		950pf @ 15V	-
SI4712DY-T1-GE3	-	RFQ	6991	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4712	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14.6A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	1084 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI4842BDY-T1-E3	2.4800	RFQ	185	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4842	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	28a（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3650 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SI7501DN-T1-GE3	-	RFQ	2582	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7501	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水		30V	5.4a，4.5a		35mohm @ 7.7A，10V	3V @ 250µA	14NC @ 10V		-	逻辑级别门
irfr020pbf	-	RFQ	6937	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR020	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7862ADP-T1-E3	2.2903	RFQ	9686	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7862	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	16 V	18A（18A）	2.5V，4.5V	3mohm @ 29a，4.5V	2V @ 250µA	80 NC @ 4.5 V	±8V	7340 pf @ 8 V	-	1.9W（TA）
SI4435DDY-T1-E3	0.7500	RFQ	6676	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11.4A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 9.1a，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
IRL510	-	RFQ	8733	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL510	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	43W（TC）
SI4778DY-T1-E3	-	RFQ	8494	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4778	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	8A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 7a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±16V	680 pf @ 13 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SI4539ADY-T1-E3	-	RFQ	8006	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4539	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	4.4a，3.7a		36mohm @ 5.9a，10v	1V @ 250µA（250µA）	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SI7615DN-T1-GE3	1.6300	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7615	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35A（TC）	6V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	1.5V @ 250µA	183 NC @ 10 V	±12V	6000 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SIA910EDJ-T1-GE3	0.5900	RFQ	24	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA910	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		12V	4.5a		28mohm @ 5.2a，4.5V	1V @ 250µA	16nc @ 8V		455pf @ 6V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²