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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4156DY-T1-GE3	0.9400	RFQ	2125	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4156	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15.7a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），6W（（ta）
SUM90N10-8M2P-E3	4.4400	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	90A（TC）	10V	8.2MOHM @ 20A，10V	4.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	6290 pf @ 50 V	-	3.75W（TA），300W（tc）
IRFZ48STRL	-	RFQ	1613年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.7W（190W）（TC）
IRFBC20PBF-BE3	1.4000	RFQ	977	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC20PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SQM50020EL_GE3	3.6400	RFQ	1146	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50020	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	15100 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRF630SPBF	1.6900	RFQ	700	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SISS76LDN-T1-GE3	1.3300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISS76	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SISS76LDN-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	70 v	19.6a（ta），67.4a （TC）	3.3V，4.5V	6.25mohm @ 10a，4.5V	1.6V @ 250µA	33.5 NC @ 4.5 V	±12V	2780 pf @ 35 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI1072X-T1-GE3	-	RFQ	3187	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1072	MOSFET （金属 o化物）	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	93MOHM @ 1.3A，10V	3V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SQ2318BES-T1_GE3	0.5500	RFQ	5484	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2318	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	26.3MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	3W（TC）
SI7806ADN-T1-GE3	0.6174	RFQ	4247	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7806	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	11mohm @ 14a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRF9630STRLPBF	2.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
irfr110tr	-	RFQ	2066	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHA24N65EF-E3	3.0944	RFQ	5102	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha24	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	650 v	24A（TC）	10V	156mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2774 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SISHA04DN-T1-GE3	0.9500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	sisha04	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	30.9a（ta），40a tc）	4.5V，10V	2.15MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	+20V，-16V	3595 pf @ 15 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI4172DY-T1-GE3	-	RFQ	9689	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4172	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	820 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），4.5W（TC）
SUD20N10-66L-BE3	0.8500	RFQ	8550	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD20	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-SUD20N10-66L-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	100 v	16.9a（TC）	4.5V，10V	66mohm @ 6.6a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 50 V	-	2.1W（ta），41.7W（tc）
SI3475DV-T1-GE3	-	RFQ	6881	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3475	MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	200 v	950mA（TC）		1.61OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V		500 pf @ 50 V	-
IRLL110	-	RFQ	8720	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL110	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irll110	Ear99	8541.29.0095	80	n通道	100 v	1.5A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 900mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQM200N04-1M8_GE3	1.8981	RFQ	1150	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	SQM200	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-7	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	40 V	200a（TC）	10V	1.8mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	310 NC @ 10 V	±20V	17350 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRFP350	-	RFQ	1850年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP350	MOSFET （金属 o化物）	TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP350	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	400 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）
TP0101K-T1-E3	-	RFQ	4158	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP0101	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	580mA（ta）		650MOHM @ 580mA，4.5V	1V @ 50µA	2.2 NC @ 4.5 V			-
SIHP6N40D-BE3	1.1400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SUD45P03-09-GE3	-	RFQ	4298	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD45	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	P通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），41.7W（tc）
SI5486DU-T1-E3	-	RFQ	9141	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5486	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	15mohm @ 7.7a，4.5V	1V @ 250µA	54 NC @ 8 V	±8V	2100 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SQM120N10-09_GE3	1.9557	RFQ	8404	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）	TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	100 v	120A（TC）	10V	9.5Mohm @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	8645 pf @ 25 V	-	375W（TC）
irfz14strl	-	RFQ	3531	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
irfibe20g	-	RFQ	5236	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibe20	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfibe20g	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	800 v	1.4A（TC）	10V	6.5OHM @ 840mA，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	30W（TC）
IRFD014	-	RFQ	3732	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD014	MOSFET （金属 o化物）	4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD014	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	1.7A（TA）	10V	200mohm @ 1a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI7113DN-T1-E3	2.9100	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7113	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	100 v	13.2A（TC）	4.5V，10V	134mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
IRF820pbf	1.4200	RFQ	8810	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF820pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²