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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIDR626EP-T1-RE3	3.3300	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	50.8A（ta），227a （TC）	7.5V，10V	1.74mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5130 PF @ 30 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
IRLR024TRLPBF	0.7683	RFQ	2304	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	4V，5V	100mohm @ 8.4a，5v	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIA430DJ-T4-GE3	-	RFQ	9778	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA430	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（12A）（12a），12a （TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 7A，10V	3V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19.2W（TC）
SIE848DF-T1-E3	-	RFQ	1766年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE848	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 15 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SI4103DY-T1-GE3	0.7700	RFQ	9169	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4103	MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	14a（14A），16A （TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 10a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），5.2W（TC）
SUD35N10-26P-BE3	2.1700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD35	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	12a（12a），35a（tc）	7V，10V	26mohm @ 12a，10v	4.4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 12 V	-	8.3W（ta），83W（tc）
SI1403BDL-T1-GE3	0.5200	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	625MW（TA）
SIHP125N60EF-GE3	4.7600	RFQ	5247	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP125	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±30V	1533 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SI4866DY-T1-GE3	2.2000	RFQ	7703	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SQ2308CES-T1_BE3	0.6700	RFQ	103	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-		（1 （无限）		742-SQ2308CES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2.3a（TC）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.3a，10V	2.5V @ 250µA	5.3 NC @ 10 V	±20V	205 pf @ 30 V	-	2W（TC）
IRF644	-	RFQ	8701	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF644	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF510STRL	-	RFQ	5031	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRFPC60LCPBF	6.6100	RFQ	246	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC60LCPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	16A（TC）	10V	400MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	280W（TC）
SIS903DN-T1-GE3	0.9800	RFQ	2476	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SIS903	MOSFET （金属 o化物）	2.6W（23w），23W（tc）	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	6A（TC）		20.1MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	42NC @ 10V		2565pf @ 10V	-
IRFL110	-	RFQ	1716年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL110	Ear99	8541.29.0095	80		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQ3461EV-T1_GE3	0.8000	RFQ	9719	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3461	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	25mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	28 NC @ 4.5 V	±8V	2000 pf @ 6 V	-	5W（TC）
SI4110DY-T1-GE3	-	RFQ	7785	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4110	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	17.3A（TC）	10V	13mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2205 PF @ 40 V	-	3.6W（ta），7.8W（TC）
SI4562DY-T1-GE3	-	RFQ	3337	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4562	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		20V	-		25mohm @ 7.1a，4.5V	1.6V @ 250µA	50nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
IRF630STRRPBF	1.6900	RFQ	1169	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SUD50P06-15-GE3	2.6600	RFQ	2101	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），113W（tc）
IRL630pbf	2.3500	RFQ	4949	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL630pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	74W（TC）
SUD50N04-37P-T4-E3	-	RFQ	3712	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	5.4A（ta），8a tc）	4.5V，10V	37MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 20 V	-	2W（TA），10.8W（TC）
SIHK125N60EF-T1GE3	5.4900	RFQ	50	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1863 PF @ 100 V	-	132W（TC）
SI7129DN-T1-GE3	0.9900	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7129	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 14.4a，10v	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3345 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
SI4276DY-T1-E3	-	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4276	MOSFET （金属 o化物）	3.6W，2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		15.3MOHM @ 9.5A，10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1000pf @ 15V	逻辑级别门
SIHH085N60EF-T1GE3	7.1300	RFQ	6479	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH085	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHH085N60EF-T1GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	30A（TC）	10V	85mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
IRF820STRL	-	RFQ	4930	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SQJQ904E-T1_GE3	3.0300	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ904	MOSFET （金属 o化物）	75W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	100A（TC）		3.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	75nc @ 10V		5900pf @ 20V	-
IRFPS40N50L	-	RFQ	4611	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS40	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS40N50L	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±30V	8110 PF @ 25 V	-	540W（TC）
SI4114DY-T1-E3	1.7000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4114	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	20A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	3700 PF @ 10 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²