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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI7159DP-T1-GE3	-	RFQ	5642	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7159	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±25V	5170 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIA928DJ-T1-GE3	0.4800	RFQ	5011	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA928	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4.5A（TC）		25mohm @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	4.5NC @ 4.5V		490pf @ 15V	-
SI4632DY-T1-GE3	-	RFQ	3399	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4632	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±16V	11175 PF @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
SIRA18DP-T1-GE3	0.6300	RFQ	911	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	33A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.3W（TA），14.7W（TC）
SIUD403ED-T1-GE3	0.3800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®0806	SIUD403	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	500mA（ta）	1.5V，4.5V	1.25OHM @ 300mA，4.5V	900mv @ 250µA	1 NC @ 4.5 V	±8V	31 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IRLL014TRPBF	0.8800	RFQ	17	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	2.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 1.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI7655555ADN-T1-GE3	0.9200	RFQ	42	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7655	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	40a（TC）	2.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	1.1V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±12V	6600 PF @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
IRFIB8N50KPBF	-	RFQ	7931	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIB8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFIB8N50KPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	6.7A（TC）	10V	350MOHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	2160 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SIHP24N65E-E3	5.7000	RFQ	9372	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHP24N65EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2740 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI1073X-T1-GE3	-	RFQ	7601	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1073	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	980mA（ta）	4.5V，10V	173MOHM @ 980mA，10V	3V @ 250µA	9.45 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SI4174DY-T1-GE3	0.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4174	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI4532CDY-T1-GE3	0.6900	RFQ	6205	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4532	MOSFET （金属 o化物）	2.78W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	6a，4.3a		47MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	9NC @ 10V		305pf @ 15V	-
SIHFS9N60A-GE3	1.0521	RFQ	4472	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI4634DY-T1-E3	1.7700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4634	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	24.5A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SI1400DL-T1-GE3	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1400	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.7A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		-	568MW（TA）
SI4493DY-T1-GE3	-	RFQ	4801	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4493	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	2.5V，4.5V	7.75mohm @ 14A，4.5V	1.4V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
IRF610SPBF	1.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF610SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	（3w（ta），36w（tc）
SI4636DY-T1-E3	-	RFQ	9388	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4636	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	2635 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），4.4W（TC）
SI3473DDDDV-T1-GE3	0.5100	RFQ	8133	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3473	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	17.8mohm @ 8.7A，4.5V	1V @ 250µA	57 NC @ 8 V	±8V	1975 pf @ 6 V	-	3.6W（TC）
SI7623DN-T1-GE3	1.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7623	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35A（TC）	2.5V，10V	3.8mohm @ 20a，10v	1.5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±12V	5460 pf @ 10 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SQD50P08-28_GE3	2.7600	RFQ	4091	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	80 V	48A（TC）	10V	28mohm @ 12.5a，10v	3.5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	6035 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IRF634	-	RFQ	5475	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI7904BDN-T1-E3	1.3200	RFQ	8098	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7904	MOSFET （金属 o化物）	17.8W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a		30mohm @ 7.1a，4.5V	1V @ 250µA	24nc @ 8v		860pf @ 10V	逻辑级别门
SI8812DB-T2-E1	0.4300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8812	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.3a（ta）	1.2V，4.5V	59mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 8 V	±5V		-	500MW（TA）
SUM40010EL-GE3	2.8900	RFQ	8952	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum40010	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	11155 PF @ 30 V	-	375W（TC）
SI4884BDY-T1-GE3	-	RFQ	2948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4884	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16.5A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1525 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SIE800DF-T1-GE3	-	RFQ	2717	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie800	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SI4493DY-T1-E3	-	RFQ	2766	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4493	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	2.5V，4.5V	7.75mohm @ 14A，4.5V	1.4V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SI4622DY-T1-E3	-	RFQ	2414	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4622	MOSFET （金属 o化物）	3.3W，3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		16mohm @ 9.6a，10V	2.5V @ 1mA	60nc @ 10V		2458pf @ 15V	-
IRF630STRR	-	RFQ	7897	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²