分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SI1401EDH-T1-GE3	0.4100	询价	8266	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1401	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	4A（温度）	1.5V、4.5V	34mOhm@5.5A，4.5V	1V@250μA	36nC@8V	±10V		-	1.6W（Ta）、2.8W（Tc）
SI4936CDY-T1-GE3	0.6300	询价	1	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4936	MOSFET（金属O化物）	2.3W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	5.8A		40mOhm@5A，10V	3V@250μA	9nC@10V		325pF@15V	逻辑电平门
SIHS90N65E-E3	-	询价	8588	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHS90	MOSFET（金属O化物）		SUPER-247™ (TO-274AA)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	650伏	87A（温度）	10V	29毫欧@45A，10V	4V@250μA	591nC@10V	±30V	11826pF@100V	-	625W（温度）
IRFR010TRLPBF	0.6218	询价	8020	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR010	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	50V	8.2A（温度）	10V	200毫欧@4.6A，10V	4V@250μA	10nC@10V	±20V	250pF@25V	-	25W（温度）
SISS65DN-T1-GE3	0.9000	询价	1	威世硅科	TrenchFET® 第三代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS65	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	25.9A（Ta）、94A（Tc）	4.5V、10V	4.6毫欧@15A，10V	2.3V@250μA	138nC@10V	±20V	4930pF@15V	-	5.1W（Ta）、65.8W（Tc）
SQS423EN-T1_BE3	0.9400	询价	9771	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SQS423	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	-					EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	16A（温度）	4.5V、10V	21毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	26nC@4.5V	±20V	1975pF@15V	-	62.5W（温度）
SIJ494DP-T1-GE3	1.7300	询价	4587	威世硅科	ThunderFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIJ494	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	36.8A（温度）	7.5V、10V	23.2毫欧@15A，10V	4.5V@250μA	31nC@10V	±20V	75V时为1070pF	-	69.4W（温度）
SI4686DY-T1-GE3	1.5600	询价	3	威世硅科	TrenchFET®、WFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4686	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	18.2A（温度）	4.5V、10V	9.5毫欧@13.8A，10V	3V@250μA	26nC@10V	±20V	1220pF@15V	-	3W（Ta）、5.2W（Tc）
SISS92DN-T1-GE3	1.2000年	询价	5690	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS92	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	250伏	3.4A（Ta）、12.3A（Tc）	7.5V、10V	173毫欧@3.6A，10V	4V@250μA	16nC@10V	±20V	350pF@125V	-	5.1W（Ta）、65.8W（Tc）
SI6544BDQ-T1-GE3	-	询价	9899	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	SI6544	MOSFET（金属O化物）	830毫W	8-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道		30V	3.7A、3.8A		43毫欧@3.8A，10V	3V@250μA	15nC@10V		-	逻辑电平门
IRF510SPBF	1.4900	询价	34	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF510	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF510SPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	5.6A（温度）	10V	540毫欧@3.4A，10V	4V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	180pF@25V	-	3.7W（Ta）、43W（Tc）
SQJ457EP-T1_GE3	0.9800	询价	6709	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ457	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	36A（温度）	4.5V、10V	25毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	100nC@10V	±20V	3400pF@25V	-	68W（温度）
SIB404DK-T1-GE3	-	询价	3348	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-75-6	SIB404	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-75-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	12V	9A（温度）	4.5V	19毫欧@3A，4.5V	800mV@250μA	15nC@4.5V	±5V		-	2.5W（Ta）、13W（Tc）
SIHFR320TR-GE3	0.8800	询价	1	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）		742-SIHFR320TR-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	400V	3.1A（温度）	10V	1.8欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	350pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SI4423DY-T1-GE3	1.2191	询价	5647	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4423	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	20V	10A（塔）	1.8V、4.5V	7.5毫欧@14A，4.5V	900毫伏@600微安	175nC@5V	±8V		-	1.5W（塔）
SI1023X-T1-GE3	0.4400	询价	6	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1023	MOSFET（金属O化物）	250毫W	SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）		20V	370毫安		1.2欧姆@350mA，4.5V	450mV @ 250μA（极低）	1.5nC@4.5V		-	逻辑电平门
SQJ910AEP-T2_GE3	0.5433	询价	7378	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SQJ910	MOSFET（金属O化物）	48W（温度）	PowerPAK® SO-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SQJ910AEP-T2_GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	30A（温度）		7毫欧@12A，10V	2.5V@250μA	39nC@10V		1869pF@15V	-
SI4948BEY-T1-GE3	1.3200	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4948	MOSFET（金属O化物）	1.4W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 P 沟道（双）		60V	2.4A		120毫欧@3.1A，10V	3V@250μA	22nC@10V		-	逻辑电平门
SI3454ADV-T1-GE3	-	询价	2403	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3454	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.4A（塔）	4.5V、10V	60毫欧@4.5A，10V	3V@250μA	15nC@10V	±20V		-	1.14W（塔）
IRFR9024TRRPBF	-	询价	4463	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR9024	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	8.8A（温度）	10V	280毫欧@5.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	570pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SI7742DP-T1-GE3	0.8647	询价	2259	威世硅科	SkyFET®、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SI7742	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	3.5毫欧@20A，10V	2.7V@250μA	115nC@10V	±20V	5300pF@15V	-	5.4W（Ta）、83W（Tc）
SI4818DY-T1-E3	-	询价	7266	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4818	MOSFET（金属O化物）	1W、1.25W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	5.3A、7A		22毫欧@6.3A，10V	800mV @ 250μA（极低）	12nC@5V		-	逻辑电平门
SI1411DH-T1-GE3	0.9000	询价	9266	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1411	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	150伏	420mA（塔）	10V	2.6欧姆@500mA，10V	4.5V@100μA	6.3nC@10V	±20V		-	1W（塔）
SI7216DN-T1-E3	1.6600	询价	5455	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8 双	SI7216	MOSFET（金属O化物）	20.8W	PowerPAK® 1212-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		40V	6A		32mOhm@5A，10V	3V@250μA	19nC@10V		670pF@20V	-
SQP90P06-07L_GE3	-	询价	6256	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	SQP90	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		P沟道	60V	120A（温度）	4.5V、10V	6.7毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	270nC@10V	±20V	14280pF@25V	-	300W（温度）
IRFL9014	-	询价	1285	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	IRFL9014	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRFL9014	EAR99	8541.29.0095	80		P沟道	60V	1.8A（温度）	10V	500mOhm@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	270pF@25V	-	2W（Ta）、3.1W（Tc）
SI2369DS-T1-GE3	0.4200	询价	33	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2369	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	7.6A（温度）	4.5V、10V	29毫欧@5.4A，10V	2.5V@250μA	36nC@10V	±20V	1295pF@15V	-	1.25W（Ta）、2.5W（Tc）
TP0202K-T1-GE3	-	询价	2224	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TP0202	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	385mA（塔）	4.5V、10V	1.4欧姆@500mA，10V	3V@250μA	1nC@10V	±20V	15V时为31pF	-	350毫W（塔）
IRF9610STRL	-	询价	5762	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF9610	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		P沟道	200V	1.8A（温度）	10V	3欧姆@900mA，10V	4V@250μA	11nC@10V	±20V	170pF@25V	-	3W（Ta）、20W（Tc）
SIR698DP-T1-GE3	1.3100	询价	10	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR698	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	7.5A（温度）	6V、10V	195毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	8nC@10V	±20V	210pF@50V	-	3.7W（Ta）、23W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²