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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI7818DN-T1-GE3	1.6600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7818	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	2.2A（ta）	6V，10V	135mohm @ 3.4a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRLR014TRPBF	1.0500	RFQ	18	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7439DP-T1-GE3	3.9800	RFQ	1182	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7439	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	3A（3A）	6V，10V	90MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SI7540ADP-T1-GE3	1.7500	RFQ	574	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7540	-	3.5W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	12a，9a		28mohm @ 12a，10v	1.4V @ 250µA	48nc @ 10V		1310pf @ 10V	-
SI7160DP-T1-GE3	-	RFQ	7644	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7160	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±16V	2970 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
SQ4850EY-T1_GE3	1.3700	RFQ	24	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，5v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
IRF710STRLPBF	1.6700	RFQ	15	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF710	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
IRF9530STRR	-	RFQ	2934	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SIRA50ADP-T1-RE3	1.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira50	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	54.8A（TA），219a （TC）	4.5V，10V	1.04MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+20V，-16V	7300 PF @ 20 V	-	6.25W（TA），100W（（（（（（（（（（
SQJ463EP-T1_GE3	3.2100	RFQ	8190	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ463	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	30A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5875 PF @ 20 V	-	83W（TC）
SI1539CDL-T1-GE3	0.4300	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1539	MOSFET （金属 o化物）	340MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V	700mA，500mA		388MOHM @ 600mA，10V	2.5V @ 250µA	1.5NC @ 10V		28pf @ 15V	逻辑级别门
IRFP460A	-	RFQ	5143	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	280W（TC）
SIS402DN-T1-GE3	1.8900	RFQ	2651	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS402	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 19a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIRS4600DP-T1-RE3	3.7500	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	58A（TA），334A （TC）	7.5V，10V	1.2MOHM @ 20a，10v	4V @ 250µA	162 NC @ 10 V	±20V	7655 pf @ 30 V	-	7.4W（ta），240W（TC）
SQJA62EP-T1_GE3	1.3300	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA62	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	68W（TC）
SIHB10N40D-GE3	1.7100	RFQ	7918	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB10	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	10A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	526 pf @ 100 V	-	147W（TC）
IRFI9610G	-	RFQ	3023	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9610G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	2A（TC）	10V	3ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SISH434DN-T1-GE3	1.1700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH434	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	17.6A（TA），35A （TC）	4.5V，10V	7.6mohm @ 16.2a，10v	2.2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 20 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI2366ds-T1-BE3	0.4600	RFQ	8433	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2366DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.5A（ta），5.8a tc）	4.5V，10V	36mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	335 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），2.1W（TC）
IRFS11N50A	-	RFQ	2267	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFS11N50A	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SQRS152ELP-T1_GE3	1.1400	RFQ	7292	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8SW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1633 PF @ 25 V	-	35W（TC）
SQJ162EP-T1_GE3	1.3200	RFQ	7763	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	60 V	166a（TC）	10V	5mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	3930 PF @ 25 V	-	250W（TC）
SIR5102DP-T1-RE3	3.0500	RFQ	3063	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR5102DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	27a（27a），110a（tc）	7.5V，10V	4.1MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 50 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SUM90N08-7M6P-E3	-	RFQ	1249	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	90A（TC）	10V	7.6mohm @ 30a，10v	4.8V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3528 pf @ 30 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
SQS180ELNW-T1_GE3	1.1200	RFQ	50	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000		n通道	80 V	82A（TC）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3689 PF @ 25 V	-	119W（TC）
SIR406DP-T1-GE3	-	RFQ	5288	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir406	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2083 PF @ 10 V	-	5W（5W），48W（（（（（
sihu2n80ae-ge3	1.0000	RFQ	7765	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHU2N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	800 v	2.9a（TC）	10V	2.9ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
SQJA666EP-T1_GE3	1.4400	RFQ	8768	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA66	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	75A（TC）	10V	3mohm @ 10a，10v	3.3V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	标准	68W（TC）
SQJ138EP-T1_GE3	1.6400	RFQ	1233	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ138	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ138EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	330a（TC）	10V	1.8mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4715 PF @ 25 V	-	312W（TC）
SIHB15N80AE-GE3	2.7300	RFQ	990	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB15	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB15N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	13A（TC）	10V	350MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1093 PF @ 100 V	-	156W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²