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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF830	-	RFQ	3599	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SISA72DN-T1-GE3	0.9400	RFQ	7733	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA72	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 10A，10V	2.4V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	3240 pf @ 20 V	-	52W（TC）
IRFZ20	-	RFQ	4538	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	50 V	15A（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SQ4005EY-T1_GE3	1.0100	RFQ	5	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4005	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	15A（TC）	2.5V，4.5V	22mohm@ 13.5a，4.5V	1V @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±8V	3600 PF @ 6 V	-	6W（TC）
SI2325DS-T1-BE3	1.0000	RFQ	6815	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2325DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	150 v	530ma（ta）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
SI6423DQ-T1-BE3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8.2a（ta）	1.8V，4.5V	8.5MOHM @ 9.5A，4.5V	800mv @ 400µA	110 NC @ 5 V	±8V		-	1.05W（TA）
SI2318DS-T1-BE3	0.5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2318DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	40 V	3A（3A）	4.5V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
IRLZ44STRL	-	RFQ	5204	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFI620GPBF	1.7500	RFQ	896	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI620GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	4.1A（TC）	10V	800MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SIHP22N60AE-BE3	3.7500	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1451 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIHP25N50E-BE3	3.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHP150N60E-GE3	3.7200	RFQ	2067	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	22a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SISS42LDN-T1-GE3	1.3000	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS42	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	11.3a（TA），39a （TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2058 PF @ 50 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SIHB24N65EFT1-GE3	6.0100	RFQ	385	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载		（1 （无限）		742-SIHB24N65EFT1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	650 v	24A（TC）	10V	156mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±30V	2774 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIHK055N60E-T1-GE3	8.4300	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	42A（TC）	10V	56mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±30V	3504 PF @ 100 V	-	236W（TC）
SI4562DY-T1-GE3	-	RFQ	3337	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4562	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		20V	-		25mohm @ 7.1a，4.5V	1.6V @ 250µA	50nc @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIA472EDJ-T1-GE3	0.1583	RFQ	9213	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA472	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SC-70-6单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	2.5V，4.5V	20mohm @ 10.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±12V	1265 pf @ 15 V	-	19.2W（TC）
SI4453DY-T1-E3	-	RFQ	7111	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4453	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 14A，4.5V	900MV @ 600µA	165 NC @ 5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SI4682DY-T1-E3	-	RFQ	9753	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4682	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1595 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SI7856ADP-T1-GE3	-	RFQ	3041	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7856	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.9W（TA）
IRFL9110	-	RFQ	6807	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL9110	Ear99	8541.29.0095	80		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI4628DY-T1-GE3	-	RFQ	8167	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4628	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
IRFR9110TRR	-	RFQ	7100	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
sihu5n50d-ge3	1.0400	RFQ	2754	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	sihu5	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	325 pf @ 100 V	-	104W（TC）
SI4880DY-T1-GE3	-	RFQ	8396	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4880	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	1.8V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±25V		-	2.5W（TA）
SIR474DP-T1-RE3	0.3517	RFQ	5084	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir474	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	29.8W（TC）
IRF840STRL	-	RFQ	4531	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFBC30ASPBF	2.2000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI4493DY-T1-GE3	-	RFQ	4801	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4493	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	2.5V，4.5V	7.75mohm @ 14A，4.5V	1.4V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.5W（TA）
SIHB15N65E-GE3	1.8963	RFQ	2429	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB15	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²