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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUM80090E-GE3	3.0600	RFQ	4696	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum80090	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	150 v	128a（TC）	7.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3425 PF @ 75 V	-	375W（TC）
IRFBC30ASPBF	2.2000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC30ASPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF620pbf	1.1700	RFQ	527	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF620	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF620pbf	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI4638DY-T1-E3	-	RFQ	5053	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4638	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	22.4a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	2.7V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	4190 pf @ 15 V	-	3W（3），5.9W（5.9W）（TC）
SI4886DY-T1-GE3	-	RFQ	9509	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4886	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20 nc @ 5 V	±20V		-	1.56W（TA）
SIR800DP-T1-RE3	0.7090	RFQ	8957	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir800	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	50A（TC）	2.5V，10V	2.3MOHM @ 15A，10V	1.5V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±12V	5125 pf @ 10 V	-	69W（TC）
SI4880DY-T1-GE3	-	RFQ	8396	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4880	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	13A（TA）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	1.8V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±25V		-	2.5W（TA）
SIR474DP-T1-RE3	0.3517	RFQ	5084	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir474	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	9.5mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	985 pf @ 15 V	-	29.8W（TC）
IRF720	-	RFQ	4878	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF720	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRF520	-	RFQ	1921年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF520	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SIHA22N60EL-E3	2.2050	RFQ	5275	Vishay Siliconix	El	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）	TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	35W（TC）
SIHH21N60E-T1-GE3	2.1785	RFQ	2605	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	600 v	20A（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±30V	2015 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SI4866DY-T1-GE3	2.2000	RFQ	7703	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	12 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SIA472EDJ-T1-GE3	0.1583	RFQ	9213	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA472	MOSFET （金属 o化物）	POWERPAK®SC-70-6单	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	12A（TC）	2.5V，4.5V	20mohm @ 10.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±12V	1265 pf @ 15 V	-	19.2W（TC）
SI4646DY-T1-GE3	-	RFQ	3841	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4646	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	1790 pf @ 15 V	-	（3W（ta），6.25W（TC）
SQM60030E_GE3	3.8400	RFQ	9254	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM60030	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	n通道	80 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 30a，10v	3.5V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SI2306BDS-T1-E3	0.6200	RFQ	6427	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2306	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	30 V	3.16a（ta）	4.5V，10V	47MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	4.5 NC @ 5 V	±20V	305 pf @ 15 V	-	750MW（TA）
SI1413DH-T1-GE3	-	RFQ	3621	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1413	MOSFET （金属 o化物）	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	115mohm @ 2.9a，4.5V	800mv @ 100µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
SIHD6N65ET4-GE3	0.7371	RFQ	3577	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SISS27ADN-T1-GE3	0.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS27	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V	4660 pf @ 15 V	-	57W（TC）
SQS420EN-T1_GE3	1.0100	RFQ	7676	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SQS420	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	28mohm @ 5A，4.5V	1.5V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±8V	490 pf @ 10 V	-	18W（TC）
IRFL9110	-	RFQ	6807	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL9110	MOSFET （金属 o化物）	SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL9110	Ear99	8541.29.0095	80	P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRF737LCPBF	-	RFQ	6595	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF737	MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF737LCPBF	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIR408DP-T1-GE3	-	RFQ	2747	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir408	MOSFET （金属 o化物）	PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	25 v	50A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	4.8W（TA），44.6W（TC）
IRF710	-	RFQ	9972	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF710	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF710	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	400 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
IRF9630STRLPBF	2.9100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9630	MOSFET （金属 o化物）	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800	P通道	200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
IRFR214Tr	-	RFQ	2423	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）	D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4666DY-T1-GE3	-	RFQ	7257	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4666	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	25 v	16.5A（TC）	2.5V，10V	10mohm @ 10a，10v	1.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±12V	1145 PF @ 10 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SUD23N06-31-GE3	0.9700	RFQ	1011	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD23	MOSFET （金属 o化物）	TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	21.4A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	5.7W（TA），31.25W（tc）
SI4620DY-T1-GE3	-	RFQ	7058	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4620	MOSFET （金属 o化物）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	6A（6A），7.5A（7.5A）（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	1040 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²