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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIR670DP-T1-GE3	1.2100	RFQ	317	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir670	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.8V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	2815 PF @ 30 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SIJA54DP-T1-GE3	1.1100	RFQ	3271	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA54	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.35mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	+20V，-16V	5300 PF @ 20 V	-	36.7W（TC）
SI7100DN-T1-GE3	-	RFQ	2915	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7100	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.5MOHM @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	105 NC @ 8 V	±8V	3810 PF @ 4 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFPS40N50L	-	RFQ	4611	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS40	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFPS40N50L	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	46A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±30V	8110 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IRF620SPBF	2.0400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF620SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	（3w（ta），50W（TC）
IRFL210TR	-	RFQ	8811	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	960ma（tc）	10V	1.5OHM @ 580mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI4214DDY-T1-E3	0.9600	RFQ	4356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4214	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8.5a		19.5mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	22nc @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
SQJ942EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ942	MOSFET （金属 o化物）	17W，48W	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	15A（TC），45A （TC）		22mohm @ 7.8a，10v，11mohm @ 10.1a，10v	2.3V @ 250µA	19.7nc @ 10v，33.8nc @ 10v		809pf @ 20v，1451pf @ 20V	-
SIHF065N60E-GE3	6.8400	RFQ	270	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF065	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	39W（TC）
IRFR9214TRR	-	RFQ	8239	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9214	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	250 v	2.7A（TC）	10V	3ohm @ 1.7a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFIZ14GPBF	1.6400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ14	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIZ14GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	8A（TC）	10V	200mohm @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SIZ914DT-T1-GE3	-	RFQ	2269	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ914	MOSFET （金属 o化物）	22.7W，100W	8-PowerPair®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a，40a		6.4mohm @ 19a，10v	2.4V @ 250µA	26NC @ 10V		1208pf @ 15V	逻辑级别门
SI4104DY-T1-GE3	-	RFQ	8740	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4104	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	4.6A（TC）	10V	105MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	446 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
SI7117DN-T1-GE3	1.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7117	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	2.17A（TC）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	3.2W（TA），12.5W（tc）
IRF614S	-	RFQ	1824年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF614S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SI2324DS-T1-GE3	0.6400	RFQ	55	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2324	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	2.3a（TC）	10V	234mohm @ 1.5A，10V	2.9V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 50 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SI7358ADP-T1-GE3	-	RFQ	8115	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7358	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	14A（TA）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 23A，10V	3V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±20V	4650 pf @ 15 V	-	1.9W（TA）
SIZ730DT-T1-GE3	0.8300	RFQ	175	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ730	MOSFET （金属 o化物）	27W，48W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	16a，35a		9.3mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	24NC @ 10V		830pf @ 15V	逻辑级别门
SIHG73N60E-E3	8.7392	RFQ	1696年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG73	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	73A（TC）	10V	39mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	362 NC @ 10 V	±30V	7700 PF @ 100 V	-	520W（TC）
SIZ200DT-T1-GE3	1.0300	RFQ	8725	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZ200	MOSFET （金属 o化物）	4.3W（TA），33W（tc）	8-Powerpair®（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	22a（22a），61a（tc（61a），22a（ta（60a ta），60a （TC）		5.5MOHM @ 10a，10v，5.8Mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	28nc @ 10v，30nc @ 10V		1510pf @ 15V，1600pf @ 15V	-
SI1900DL-T1-GE3	0.6100	RFQ	4465	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1900	MOSFET （金属 o化物）	300MW，270MW	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	630ma（ta），590ma（ta）		480MOHM @ 590mA，10V	3V @ 250µA	1.4NC @ 10V		-	-
SI3850ADV-T1-E3	-	RFQ	9771	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3850	MOSFET （金属 o化物）	1.08W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道，普通排水		20V	1.4a，960mA		300mohm @ 500mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIR104ADP-T1-RE3	2.0700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir104	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	18.8a（ta），81A（tc）	7.5V，10V	6.1MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 50 V	-	5.4W（TA），100W（TC）
IRL2203STRL	-	RFQ	1063	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL2203	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	100A（TC）	4V，10V	7mohm @ 60a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 4.5 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），130w（tc）
SQJA70EP-T1_GE3	0.8300	RFQ	2002	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA70	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	14.7A（TC）	10V	95MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	27W（TC）
IRFU014	-	RFQ	4937	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU014	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRF830APBF	1.5700	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFBC20SPBF	2.9100	RFQ	4392	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI7113DN-T1-E3	2.9100	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7113	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	13.2A（TC）	4.5V，10V	134mohm @ 4A，10V	3V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
irfu020pbf	-	RFQ	7436	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*irfu020pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²