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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFU9010	-	RFQ	5645	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9010	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	50 V	5.3A（TC）	10V	500MOHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	9.1 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFBC30	-	RFQ	4202	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR120TRR	-	RFQ	5398	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SQD50P04-09L_T4GE3	0.6985	RFQ	5834	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQD50P04-09L_T4GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6675 PF @ 20 V	-	136W（TC）
SI5445BDC-T1-GE3	-	RFQ	1786年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5445	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.2a（ta）	1.8V，4.5V	33MOHM @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.3W（TA）
IRFL110	-	RFQ	1716年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFL110	Ear99	8541.29.0095	80		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRFP054	-	RFQ	1317	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP054	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP054	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 54a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFR320TRPBF-BE3	1.7900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFI734GPBF	-	RFQ	4180	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI734	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI734GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	3.4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SIHA4N80E-GE3	1.0457	RFQ	5969	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha4	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	4.3A（TC）	10V	1.27OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	622 PF @ 100 V	-	69W（TC）
SI1025X-T1-E3	-	RFQ	4135	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1025	MOSFET （金属 o化物）	250MW	SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		60V	190mA		4ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	1.7nc @ 15V		23pf @ 25V	逻辑级别门
SQ3427EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	5932	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3427	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3427EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 30 V	-	5W（TC）
V30406-T1-GE3	-	RFQ	5521	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30406				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
SI8401DB-T1-E1	1.1800	RFQ	5653	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8401	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.47W（TA）
IRFU110	-	RFQ	7158	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU110	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SI2325DS-T1-BE3	1.0000	RFQ	6815	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2325DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	150 v	530ma（ta）	6V，10V	1.2OHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
SIHH125N60EF-T1GE3	6.3400	RFQ	3	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH125	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	23A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±30V	1533 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI1070X-T1-GE3	0.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1070	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.2A（TA）	2.5V，4.5V	99mohm @ 1.2A，4.5V	1.55V @ 250µA	8.3 NC @ 5 V	±12V	385 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SI1480DH-T1-BE3	0.5100	RFQ	7675	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1480	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1480DH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	2.1a（TA），2.6a tc）		200mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	130 pf @ 50 V	-	1.5W（ta），2.8W（TC）
IRF520	-	RFQ	1921年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	60W（TC）
SUD25N15-52-E3	2.5100	RFQ	93	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD25	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	25A（TC）	6V，10V	52MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1725 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SUD19N20-90-E3	3.0700	RFQ	9031	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	19a（tc）	6V，10V	90MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IRLR110TRLPBF	-	RFQ	3805	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI4214DY-T1-GE3	-	RFQ	7433	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4214	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8.5a		23.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		785pf @ 15V	-
IRFZ48R	-	RFQ	6729	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ48R	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SI4176DY-T1-GE3	-	RFQ	7360	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4176	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8.3a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SIB441EDK-T1-GE3	0.4600	RFQ	8356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB441	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	9A（TC）	1.5V，4.5V	25.5MOHM @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1180 pf @ 6 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
IRF630	-	RFQ	3739	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
IRFR9024	-	RFQ	1320	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9024	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRLZ44STRRPBF	1.9156	RFQ	8315	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²