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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIJH600E-T1-GE3	6.3800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	37A（37A），373A （TC）	7.5V，10V	0.92MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	212 NC @ 10 V	±20V	9950 PF @ 30 V	-	3.3W（333W）（333W（tc）
SQJ488EP-T2_GE3	1.3300	RFQ	6170	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ488EP-T2_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	42A（TC）	4.5V，10V	21MOHM @ 7.1A，10V	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	978 PF @ 50 V	-	83W（TC）
SI1307DL-T1-GE3	-	RFQ	8633	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1307	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	850mA（ta）	1.8V，4.5V	290MOHM @ 1A，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	5 NC @ 4.5 V	±8V		-	290MW（TA）
SIHG70N60AEF-GE3	11.1500	RFQ	4882	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG70	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	60a（TC）	10V	41MOHM @ 35A，10V	4V @ 250µA	410 NC @ 10 V	±20V	5348 pf @ 100 V	-	417W（TC）
SIHP150N60E-GE3	3.7200	RFQ	2067	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP150	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHP150N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	22a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1514 PF @ 100 V	-	179W（TC）
IRFIZ34G	-	RFQ	9889	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfiz34g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	20A（TC）	10V	50mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SIHP25N50E-BE3	3.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SI7139DP-T1-GE3	1.5500	RFQ	1614年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7139	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
SIDR392DP-T1-RE3	3.0200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）		742-SIDR392DP-T1-RE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	82a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	0.62Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	188 NC @ 10 V	+20V，-16V	9530 PF @ 15 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI2318DS-T1-BE3	0.5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2318DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	40 V	3A（3A）	4.5V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
SI6423DQ-T1-BE3	1.7700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8.2a（ta）	1.8V，4.5V	8.5MOHM @ 9.5A，4.5V	800mv @ 400µA	110 NC @ 5 V	±8V		-	1.05W（TA）
SIS112LDN-T1-GE3	0.6900	RFQ	4126	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIS112LDN-T1-GE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.5A（TA），8.8a tc）	4.5V，10V	119MOHM @ 3.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±20V	355 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
SI6415DQ-T1-BE3	1.8600	RFQ	6460	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载		（1 （无限）		742-SI6415DQ-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	19mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRF830	-	RFQ	3599	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.7a，10v	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SQJ126EP-T1_GE3	1.7300	RFQ	8647	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ126EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	500A（TC）	10V	0.94MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	8095 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SIHB21N80AE-GE3	2.9000	RFQ	1847年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB21	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB21N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	17.4A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	32W（TC）
SQM60N20-35_GE3	3.6400	RFQ	8906	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	60a（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SI7810DN-T1-E3	1.5100	RFQ	75	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7810	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.4a（ta）	6V，10V	62MOHM @ 5.4A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI1424EDH-T1-BE3	0.4300	RFQ	2356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1424	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1424EDH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（4A）（4A），4A （TC）		33MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V		-	1.56W（TA），2.8W（tc）
SIJA54DP-T1-GE3	1.1100	RFQ	3271	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA54	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.35mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	+20V，-16V	5300 PF @ 20 V	-	36.7W（TC）
SI3456CDV-T1-GE3	-	RFQ	9267	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.7A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 6.1a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
SIHP6N80E-BE3	2.4400	RFQ	900	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	5.4A（TC）	10V	940MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	827 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SI3493BDV-T1-GE3	0.9600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3493	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	27.5mohm @ 7A，4.5V	900mv @ 250µA	43.5 NC @ 5 V	±8V	1805 PF @ 10 V	-	2.08W（TA），2.97W（tc）
SI4948BEY-T1-E3	1.3200	RFQ	289	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4948	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	2.4a		120MOHM @ 3.1A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI8823EDB-T2-E1	0.4100	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA	SI8823	MOSFET （金属 o化物）		4-microfoot®（0.8x0.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	1.5V，4.5V	95MOHM @ 1A，4.5V	800MV @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	580 pf @ 10 V	-	900MW（TC）
SIHB15N65E-GE3	1.8963	RFQ	2429	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB15	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SIR164DP-T1-RE3	0.5845	RFQ	1472	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir164	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 15 V	-	69W（TC）
SI6415DQ-T1-E3	1.8600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6415	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	19mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	70 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI7615CDN-T1-GE3	0.5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7615	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	35A（TC）	1.8V，4.5V	9MOHM @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	63 NC @ 4.5 V	±8V	3860 pf @ 10 V	-	33W（TC）
SUM80090E-GE3	3.0600	RFQ	4696	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum80090	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	150 v	128a（TC）	7.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	3425 PF @ 75 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²