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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4423DY-T1-E3	2.6600	RFQ	102	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4423	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	7.5MOHM @ 14a，4.5V	900MV @ 600µA	175 NC @ 5 V	±8V		-	1.5W（TA）
IRF720STRR	-	RFQ	5118	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI5419DU-T1-GE3	0.6200	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5419	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 6.6a，10v	2.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
IRFL110pbf	-	RFQ	5730	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	100 v	1.5A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIA443DJ-T1-E3	-	RFQ	9880	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA443	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 8 V	±8V	750 pf @ 10 V	-	3.3W（TA），15W（tc）
SI7655555ADN-T1-GE3	0.9200	RFQ	42	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7655	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	40a（TC）	2.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	1.1V @ 250µA	225 NC @ 10 V	±12V	6600 PF @ 10 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SUD50N06-07L-GE3	-	RFQ	2117	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	96A（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	144 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRFD9210pbf	1.7000	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	400mA（TA）	10V	3ohm @ 240mA，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SIHG17N60D-E3	2.4665	RFQ	3025	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
SI7115DN-T1-GE3	2.0800	RFQ	239	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7115	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	8.9a（TC）	6V，10V	295MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 50 V	-	3.7W（TA），52W（TC）
SI5499DC-T1-GE3	-	RFQ	3336	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5499	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	6A（TC）	1.5V，4.5V	36mohm @ 5.1a，4.5V	800MV @ 250µA	35 NC @ 8 V	±5V	1290 pf @ 4 V	-	2.5W（ta），6.2W（TC）
SI4330DY-T1-E3	-	RFQ	4591	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4330	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.6a		16.5MOHM @ 8.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7792DP-T1-GE3	-	RFQ	6050	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7792	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40.6A（TA），60a （TC）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	4735 pf @ 15 V	（（（）	6.25W（TA），104W（tc）
IRFIBE30GPBF	2.8200	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibe30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBE30GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	2.1A（TC）	10V	3ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SUG90090E-GE3	4.3900	RFQ	3066	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SUG90090	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	100A（TC）	7.5V，10V	9.5Mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±20V	5220 PF @ 100 V	-	395W（TC）
SI7370DP-T1-GE3	3.0700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7370	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9.6a（ta）	10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SISS23DN-T1-GE3	0.8600	RFQ	9786	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS23	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	50A（TC）	1.8V，4.5V	4.5mohm @ 20a，4.5V	900mv @ 250µA	300 NC @ 10 V	±8V	8840 pf @ 15 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI7102DN-T1-GE3	-	RFQ	4332	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7102	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.8mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	110 NC @ 8 V	±8V	3720 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SIAA02DJ-T1-GE3	0.6000	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIAA02	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载		（1 （无限）		742-SIAA02DJ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	22a（22A），52a（tc）	2.5V，10V	4.7MOHM @ 8A，10V	1.6V @ 250µA	33 NC @ 10 V	+12V，-8V	1250 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI5904DC-T1-GE3	-	RFQ	3989	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5904	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	3.1a		75MOHM @ 3.1a，4.5V	1.5V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHG80N60EF-GE3	15.6300	RFQ	5422	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG80	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	80A（TC）	10V	32MOHM @ 40a，10V	4V @ 250µA	400 NC @ 10 V	±30V	6600 PF @ 100 V	-	520W（TC）
IRF830APBF	1.5700	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SISS27ADN-T1-GE3	0.9400	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®GenIII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS27	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±20V	4660 pf @ 15 V	-	57W（TC）
SIE822DF-T1-GE3	2.9400	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	SIE822	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 18.3a，10v	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SQM120N06-3M5L_GE3	4.2600	RFQ	4672	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	14700 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SI1070X-T1-GE3	0.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1070	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	1.2A（TA）	2.5V，4.5V	99mohm @ 1.2A，4.5V	1.55V @ 250µA	8.3 NC @ 5 V	±12V	385 pf @ 15 V	-	236MW（TA）
SQJ992EP-T2_GE3	0.9600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ992	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	15A（TC）		56.2MOHM @ 3.7A，10V	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		446pf @ 30V	-
IRFD224	-	RFQ	1112	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD224	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD224	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	250 v	630ma（ta）	10V	1.1OHM @ 380mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFB9N65APBF	2.8500	RFQ	956	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFB9N65APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
IRFP460	-	RFQ	5606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	280W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²