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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI2371EDS-T1-BE3	0.4300	RFQ	2886	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2371EDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3.7a（ta），4.8a tc）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±12V		-	1W（1W），1.7W（TC）
irfr010trl	-	RFQ	7602	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR010	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	50 V	8.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFI9530G	-	RFQ	3483	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9530	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9530G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	100 v	7.7A（TC）	10V	300MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SIHD14N60ET1-GE3	2.3000	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）		742-SIHD14N60ET1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
IRFL210TR	-	RFQ	8811	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	960ma（tc）	10V	1.5OHM @ 580mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIHG15N80AEF-GE3	3.0600	RFQ	525	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG15N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	800 v	13A（TC）	10V	350MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1128 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SI4866DY-T1-GE3	2.2000	RFQ	7703	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4866	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	12 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	5.5MOHM @ 17A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	30 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SISS28DN-T1-GE3	0.9200	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS28	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.52MOHM @ 15A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	3640 pf @ 10 V	-	57W（TC）
SIHA22N60EL-E3	2.2050	RFQ	5275	Vishay Siliconix	El	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	35W（TC）
SI1400DL-T1-GE3	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1400	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	1.6a（ta）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.7A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	4 NC @ 4.5 V	±12V		-	568MW（TA）
SI3433CDV-T1-BE3	0.5100	RFQ	4370	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.2A（ta），6a （TC）	1.8V，4.5V	38mohm @ 5.2A，4.5V	1V @ 250µA	45 NC @ 8 V	±8V	1300 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），3.3W（tc）
IRFBC20SPBF	2.9100	RFQ	4392	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIHFPS38N60L-GE3	7.9800	RFQ	5183	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHFPS38N60L-GE3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道	600 v	38A（TC）	10V	150MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±30V	7990 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IRFR9210TRLPBF	-	RFQ	6808	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	1.9A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHH085N60EF-T1GE3	7.1300	RFQ	6479	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH085	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHH085N60EF-T1GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	30A（TC）	10V	85mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
SIHH21N60E-T1-GE3	2.1785	RFQ	2605	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH21	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	20A（TC）	10V	176mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±30V	2015 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SIHB25N50E-GE3	3.6400	RFQ	1963年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB25	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	250W（TC）
SIHG17N80AE-GE3	3.1200	RFQ	476	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG17N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	800 v	15A（TC）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	1260 pf @ 100 V	-	179W（TC）
IRLR120	-	RFQ	5058	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRLR120	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	7.7A（TC）	4V，5V	270MOHM @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±10V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7196DP-T1-E3	-	RFQ	7628	Vishay Siliconix	WFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7196	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1577 PF @ 15 V	-	5W（5W），41.6W（TC）
SI8812DB-T2-E1	0.4300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8812	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.3a（ta）	1.2V，4.5V	59mohm @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 8 V	±5V		-	500MW（TA）
SIE800DF-T1-GE3	-	RFQ	2717	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie800	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
IRFZ48PBF	3.0900	RFQ	3851	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ48	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFZ48PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	10V	18mohm @ 43a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFPF30pbf	4.9000	RFQ	1859年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPF30PBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFZ46L	-	RFQ	2315	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ46	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFZ46L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	50A（TC）	10V	24mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SIHFS9N60A-GE3	1.0521	RFQ	4472	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI4634DY-T1-E3	1.7700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4634	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	24.5A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	2.6V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
SIRA36DP-T1-GE3	1.4900	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira36	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	56 NC @ 10 V	+20V，-16V	2815 PF @ 15 V	-	-
SQJ956EP-T1_GE3	1.1100	RFQ	22	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ956	MOSFET （金属 o化物）	34W	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	23A（TC）		26.7MOHM @ 5.2A，10V	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1395pf @ 30V	-
SI2309CDS-T1-BE3	0.5500	RFQ	24	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	1.2A（TA），1.6A（TC）	4.5V，10V	345MOHM @ 1.25A，10V	3V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	210 pf @ 30 V	-	1W（1W），1.7W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²