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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFL014PBF	-	RFQ	2443	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL014	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	80		n通道	60 V	2.7A（TC）	10V	200mohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SI4776DY-T1-GE3	-	RFQ	7708	Vishay Siliconix	Skyfet®，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4776	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	11.9a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	2.3V @ 1mA	17.5 NC @ 10 V	±20V	521 PF @ 15 V	-	4.1W（TC）
SI5476DU-T1-E3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5476	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI3552DV-T1-E3	0.7000	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3552	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	2.5a		105mohm @ 2.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	3.2nc @ 5V		-	逻辑级别门
IRFB20N50KPBF	5.2300	RFQ	39	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFB20N50KPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2870 pf @ 25 V	-	280W（TC）
SI4874BDY-T1-GE3	0.9497	RFQ	1976年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4874	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	12a（12a）	4.5V，10V	7mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±20V	3230 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
SISS30LDN-T1-GE3	1.3000	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS30	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	16a（16A），55.5A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 40 V	-	4.8W（ta），57W（TC）
SI4447DY-T1-E3	0.8300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4447	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	3.3a（ta）	15V，10V	72MOHM @ 4.5A，15V	2.2V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±16V	805 pf @ 20 V	-	1.1W（TA）
SQJ168ELP-T1_GE3	0.8800	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ168ELP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	24A（TC）	4.5V，10V	36mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	987 PF @ 25 V	-	29.4W（TC）
SI7156DP-T1-GE3	-	RFQ	8806	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7156	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	155 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 20 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SI4829DY-T1-GE3	-	RFQ	7813	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4829	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	2A（TC）	2.5V，4.5V	215mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±12V	210 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
SI2343CDS-T1-BE3	0.5600	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.2a（ta），5.9a tc）	4.5V，10V	45mohm @ 4.2A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	1.25W（ta），2.5W（tc）
SIHG70N60AEF-GE3	11.1500	RFQ	4882	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG70	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	60a（TC）	10V	41MOHM @ 35A，10V	4V @ 250µA	410 NC @ 10 V	±20V	5348 pf @ 100 V	-	417W（TC）
SUP85N10-10-E3	6.6200	RFQ	463	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	85A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 30a，10v	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6550 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），250W（tc）
SQJ914EP-T1_GE3	1.3000	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ914	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	30A（TC）		12MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	25nc @ 10V		1110pf @ 15V	-
SI7842DP-T1-GE3	-	RFQ	7603	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7842	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	6.3a		22mohm @ 7.5a，10v	2.4V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SQJA70EP-T1_GE3	0.8300	RFQ	2002	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA70	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	14.7A（TC）	10V	95MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI1469DH-T1-E3	0.6300	RFQ	397	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1469	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.7A（TC）	2.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	1.5V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
SI3879DV-T1-E3	-	RFQ	9160	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3879	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5A（TC）	2.5V，4.5V	70MOHM @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±12V	480 pf @ 10 V	-	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
SIR578DP-T1-RE3	2.2500	RFQ	7882	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIR578DP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	17.2A（ta），70.2a tc）	7.5V，10V	8.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2540 pf @ 75 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IRFPS40N60KPBF	-	RFQ	3131	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA	IRFPS40	MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPS40N60KPBF	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	40a（TC）	10V	130MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±30V	7970 pf @ 25 V	-	570W（TC）
IRLD110	-	RFQ	2265	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRLD110	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLD110	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1A（1A）	4V，5V	540MOHM @ 600mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI7110DN-T1-GE3	2.1700	RFQ	8839	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7110	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13.5A（TA）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 21.1A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SQ3418EV-T1_BE3	0.6700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SQ3418EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	8A（TC）	4.5V，10V	32MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	678 PF @ 20 V	-	5W（TC）
SQ4182EY-T1_BE3	1.6500	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4182	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-		（1 （无限）		742-SQ4182EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	32A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	5400 pf @ 15 V	-	7.1W（TC）
SIHA17N80AEF-GE3	2.9800	RFQ	3994	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHA17N80AEF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	6.5A（TC）	10V	305MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SI1300BDL-T1-GE3	-	RFQ	2563	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SI1300	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	400mA（TC）	2.5V，4.5V	850MOHM @ 250mA，4.5V	1V @ 250µA	0.84 NC @ 4.5 V	±8V	35 pf @ 10 V	-	190MW（TA），200MW（（TC）
SIRA54ADP-T1-RE3	1.9300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira54	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	36.2a（ta），128a tc）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	+20V，-16V	3850 pf @ 20 V	-	5.2W（ta），65.7W（TC）
SUM90P10-19L-E3	4.5100	RFQ	9117	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum90	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	90A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	326 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 50 V	-	13.6W（TA），375W （TC）
SI3473CDV-T1-BE3	0.7100	RFQ	2129	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3473CDV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	8a（8a ta），8a tc（8a tc）	1.8V，4.5V	22mohm @ 8.1a，4.5V	1V @ 250µA	65 NC @ 8 V	±8V	2010 PF @ 6 V	-	2W（TA），4.2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²