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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFU9310	-	RFQ	6266	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9310	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SQJ416EP-T1_BE3	0.9900	RFQ	9202	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ416EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	27a（TC）	10V	30mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF9Z24STRLPBF	1.3028	RFQ	9028	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFBC30A	-	RFQ	9426	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC30A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR224TRPBF	1.7000	RFQ	210	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR224	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	3.8A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.3a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI7196DP-T1-E3	-	RFQ	7628	Vishay Siliconix	WFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7196	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1577 PF @ 15 V	-	5W（5W），41.6W（TC）
IRFU420APBF	1.5800	RFQ	4869	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU420	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFU420APBF	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SI7674DP-T1-E3	-	RFQ	7899	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7674	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	5910 PF @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
SIS4608DN-T1-GE3	0.8600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS4608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	12.4A（TA），35.7a （TC）	7.5V，10V	11.8mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	740 pf @ 30 V	-	3.3W（TA），27.1W（TC）
SIE816DF-T1-E3	-	RFQ	2616	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	SIE816	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	7.4mohm @ 19.8a，10v	4.4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 30 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SISH108DN-T1-GE3	0.7100	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	14A（TA）	4.5V，10V	4.9mohm @ 22a，10v	2V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±16V		-	1.5W（TA）
IRF634STRL	-	RFQ	4686	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF634	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	8.1A（TC）	10V	450MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），74W（tc）
SQJB42EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	3852	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB42	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	30A（TC）		9.5mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1500pf @ 25V	-
IRFPC50APBF	4.2200	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC50APBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	11A（TC）	10V	580MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2100 PF @ 25 V	-	180W（TC）
SIHP068N60EF-GE3	5.4900	RFQ	3291	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP068	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIR496DP-T1-GE3	-	RFQ	1401	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir496	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 10 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
SIHJ8N60E-T1-GE3	2.2000	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	sihj8	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	8A（TC）	10V	520MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	754 PF @ 100 V	-	89W（TC）
SI3445DV-T1-GE3	-	RFQ	9610	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3445	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	8 V	5.6a（ta）	1.8V，4.5V	42MOHM @ 5.6A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±8V		-	2W（TA）
SI4953ADY-T1-E3	-	RFQ	1222	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4953	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	3.7a		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA（250µA）	25nc @ 10V		-	逻辑级别门
SIDR392DP-T1-RE3	3.0200	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载		（1 （无限）		742-SIDR392DP-T1-RE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	82a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	0.62Mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	188 NC @ 10 V	+20V，-16V	9530 PF @ 15 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI3424BDV-T1-E3	-	RFQ	4865	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3424	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	8A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±20V	735 pf @ 15 V	-	2.1W（2.1W），2.98W（TC）
SI5902BDC-T1-E3	1.3300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5902	MOSFET （金属 o化物）	3.12W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	4A（TC）		65mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	逻辑级别门
irfu020pbf	-	RFQ	7436	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*irfu020pbf	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFU430APBF	1.9500	RFQ	406	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU430	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFU430APBF	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF830APBF	1.5700	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF830APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SI8467DB-T2-E1	-	RFQ	8463	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8467	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	73MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±12V	475 PF @ 10 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SI7434ADP-T1-RE3	1.9000	RFQ	9762	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7434	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	250 v	3.7a（ta），12.3a tc）	7.5V，10V	150MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	16.5 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 125 V	-	5W（5W），54.3W（TC）
SI4490DY-T1-GE3	2.2000	RFQ	252	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4490	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	200 v	2.85a（ta）	6V，10V	80mohm @ 4A，10V	2V @ 250µA（）	42 NC @ 10 V	±20V		-	1.56W（TA）
V30429-T1-GE3	-	RFQ	8212	Vishay Siliconix	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				V30429				-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
SI8404DB-T1-E1	-	RFQ	1558年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8404	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	12.2A（TC）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±5V	1950 pf @ 4 V	-	2.78W（ta），6.25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²