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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHFS11N50A-GE3	1.0490	RFQ	2748	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHFS11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
IRFD014	-	RFQ	3732	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD014	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD014	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	1.7A（TA）	10V	200mohm @ 1a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
SI1428EDH-T1-GE3	-	RFQ	4855	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1428	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4A（TC）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.3V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±12V		-	2.8W（TC）
SI7448DP-T1-E3	-	RFQ	1350	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7448	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13.4A（TA）	2.5V，4.5V	6.5MOHM @ 22a，4.5V	1.5V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.9W（TA）
SIHD186N60EF-GE3	3.0900	RFQ	5	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD186	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	19a（tc）	10V	201MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1118 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIE876DF-T1-GE3	-	RFQ	1238	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（l）	Sie876	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	10V	6.1MOHM @ 20A，10V	4.4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3100 PF @ 30 V	-	5.2W（ta），125W（tc）
SISA18ADN-T1-GE3	0.6400	RFQ	45	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA18	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	38.3a（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	21.5 NC @ 10 V	+20V，-16V	1000 pf @ 15 V	-	3.2W（TA），19.8W（tc）
IRLIZ34G	-	RFQ	3138	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLIZ34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irliz34g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	20A（TC）	4V，5V	50mohm @ 12a，5v	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±10V	1600 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SIHF6N40D-E3	1.3900	RFQ	4637	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF6N40DE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	30W（TC）
SI4825DY-T1-GE3	-	RFQ	1201	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4825	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	8.1a（ta）	4.5V，10V	14mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±25V		-	1.5W（TA）
IRFZ24PBF-BE3	1.6400	RFQ	188	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFZ24PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	17a（TC）		100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	60W（TC）
sihp38n60ef-ge3	4.3943	RFQ	1379	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	sihp38	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	40a（TC）	10V	70mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	189 NC @ 10 V	±30V	3576 pf @ 100 V	-	313W（TC）
SIHG17N60D-E3	2.4665	RFQ	3025	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG17	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	1780 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
SQ4483EY-T1_BE3	1.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4483	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	4500 pf @ 15 V	-	7W（TC）
SI7884BDP-T1-E3	2.9200	RFQ	4517	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7884	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	58A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 16a，10v	3V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3540 pf @ 20 V	-	4.6W（46W），46w（tc）
SI7380ADP-T1-GE3	-	RFQ	9647	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7380	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 20a，10v	1.6V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±12V	7785 pf @ 15 V	-	5.4W（ta），83W（tc）
IRF9Z34PBF-BE3	1.8300	RFQ	105	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRF9Z34PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	18A（TC）		140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	88W（TC）
IRF610	-	RFQ	3831	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF610	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
SI1413DH-T1-GE3	-	RFQ	3621	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1413	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	115mohm @ 2.9a，4.5V	800mv @ 100µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V		-	1W（ta）
SIRA26DP-T1-RE3	0.7300	RFQ	1009	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	44 NC @ 10 V	+16V，-12V	2247 PF @ 10 V	-	43.1W（TC）
SIDR668DP-T1-GE3	2.9300	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR668	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	23.2A（ta），95a（tc）	7.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	3.4V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 50 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SI7962DP-T1-E3	-	RFQ	4984	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7962	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	7.1a		17mohm @ 11.1a，10v	4.5V @ 250µA	70NC @ 10V		-	-
SQD50N10-8M9L_GE3	1.7500	RFQ	7224	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	50A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SI7901EDN-T1-E3	-	RFQ	9765	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7901	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.3a		48mohm @ 6.3a，4.5V	1V @ 800µA	18NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7980DP-T1-E3	-	RFQ	2807	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7980	MOSFET （金属 o化物）	19.8W，21.9W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	8a		22mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1010pf @ 10V	-
SIHP065N60E-GE3	7.2600	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP065	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SQJ942EP-T1_GE3	1.2100	RFQ	3	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ942	MOSFET （金属 o化物）	17W，48W	PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	15A（TC），45A （TC）		22mohm @ 7.8a，10v，11mohm @ 10.1a，10v	2.3V @ 250µA	19.7nc @ 10v，33.8nc @ 10v		809pf @ 20v，1451pf @ 20V	-
SIE800DF-T1-E3	-	RFQ	6503	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	Sie800	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 11A，10V	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIHH28N60E-T1-GE3	3.2036	RFQ	3483	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH28	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	29A（TC）	10V	98mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±30V	2614 PF @ 100 V	-	202W（TC）
SI4090BDY-T1-GE3	1.4900	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	12.2A（ta），18.7a tc）	6V，10V	10mohm @ 12.2a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3570 pf @ 50 V	-	3.1W（TA），7.4W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²