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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SQ3442EV-T1-GE3	-	RFQ	8047	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3442	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	4.3A（TC）		55MOHM @ 4A，4.5V	1.6V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V		405 pf @ 10 V	-
IRFD9210	-	RFQ	5105	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9210	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	400mA（TA）	10V	3ohm @ 240mA，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
irfr014trr	-	RFQ	7077	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7370DP-T1-GE3	3.0700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7370	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9.6a（ta）	10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SIZF906ADT-T1-GE3	1.6100	RFQ	9280	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF906	MOSFET （金属 o化物）	4.5W（TA），38W（ta（5W（ta），83W（（ta）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双），肖特基		30V	27a（27a），60a tc（60a tc），52a（ta（60a tc）（60a tc）		3.8mohm @ 15A，10V，1.17MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	49nc @ 10v，200nc @ 10V		2000pf @ 15V，8200pf @ 15V	-
SI3442BDV-T1-E3	0.5900	RFQ	32	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3442	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	57MOHM @ 4A，4.5V	1.8V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	±12V	295 pf @ 10 V	-	860MW（TA）
SQ2319ES-T1-GE3	-	RFQ	3302	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2319	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	40 V	4.6A（TC）		75MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V		620 pf @ 25 V	-
SIHG24N80AE-GE3	4.0800	RFQ	3464	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG24	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）		742-SIHG24N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	800 v	21a（TC）		184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	208W（TC）
SI3867DV-T1-E3	-	RFQ	9705	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3867	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.9a（ta）	2.5V，4.5V	51MOHM @ 5.1A，4.5V	1.4V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
SQ4850EY-T1_BE3	1.3700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4850	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 6a，5v	2.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
IRFR9024TRPBF-BE3	1.2900	RFQ	9	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI3459BDV-T1-GE3	0.8300	RFQ	15	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3459	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.9a（TC）	4.5V，10V	216mohm @ 2.2a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
IRF9Z14STRR	-	RFQ	7722	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI7848BDP-T1-E3	1.7500	RFQ	27	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7848	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	47A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 20 V	-	4.2W（TA），36W（tc）
IRFI830G	-	RFQ	8201	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI830	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SIHF080N60E-GE3	4.3600	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	不适用		742-SIHF080N60E-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	14A（TC）	10V	80Mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2557 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SIHH11N65EF-T1-GE3	4.3300	RFQ	18	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH11	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	11A（TC）	10V	382MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	1243 PF @ 100 V	-	130W（TC）
IRL510L	-	RFQ	5364	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRL510	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL510L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 3.4A，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	-
SI2333DS-T1-GE3	0.8700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2333	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	12 v	4.1a（ta）	1.8V，4.5V	32MOHM @ 5.3A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1100 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
IRFR420TRPBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI2367DS-T1-GE3	0.4100	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2367	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.8A（TC）	1.8V，4.5V	66mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 250µA	23 NC @ 8 V	±8V	561 PF @ 10 V	-	960MW（TA），1.7W（TC）
irli630g	-	RFQ	7310	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRLI630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irli630g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	6.2A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 3.7A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	35W（TC）
SI1988DH-T1-GE3	-	RFQ	1467	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1988	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.3a		168mohm @ 1.4a，4.5V	1V @ 250µA	4.1NC @ 8V		110pf @ 10V	逻辑级别门
SI7495DP-T1-GE3	-	RFQ	7048	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7495	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	13A（TA）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 21A，4.5V	900mv @ 1mA	140 NC @ 5 V	±8V		-	1.8W（TA）
IRFR9024TRR	-	RFQ	5132	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI5476DU-T1-E3	-	RFQ	1531年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5476	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SIHP155N60EF-GE3	3.7700	RFQ	4627	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP155	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP155N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SI9424BDY-T1-E3	-	RFQ	3642	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9424	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	5.6a（ta）	2.5V，4.5V	25mohm @ 7.1a，4.5V	850mv @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±9V		-	1.25W（TA）
IRFP460	-	RFQ	5606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRFZ34STRL	-	RFQ	6769	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²