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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1012X-T1-E3	-	RFQ	4468	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490	SI1012	MOSFET （金属 o化物）		SC-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	500mA（ta）	1.8V，4.5V	700MOHM @ 600mA，4.5V	900mv @ 250µA	0.75 NC @ 4.5 V	±6V		-	250MW（TA）
SQJ126EP-T1_GE3	1.7300	RFQ	8647	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ126EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	500A（TC）	10V	0.94MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	8095 pf @ 25 V	-	500W（TC）
SI3493BDV-T1-GE3	0.9600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3493	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	27.5mohm @ 7A，4.5V	900mv @ 250µA	43.5 NC @ 5 V	±8V	1805 PF @ 10 V	-	2.08W（TA），2.97W（tc）
SQM60N20-35_GE3	3.6400	RFQ	8906	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	60a（TC）	10V	35mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SI3456CDV-T1-GE3	-	RFQ	9267	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	7.7A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 6.1a，10v	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
SI7810DN-T1-E3	1.5100	RFQ	75	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7810	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.4a（ta）	6V，10V	62MOHM @ 5.4A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V		-	1.5W（TA）
IRFS11N50ATRR	-	RFQ	2998	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SIHP6N80E-BE3	2.4400	RFQ	900	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	5.4A（TC）	10V	940MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	827 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SI1050x-T1-E3	-	RFQ	9227	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1050	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	8 V	1.34a（TA）	1.5V，4.5V	86mohm @ 1.34a，4.5V	900mv @ 250µA	11.6 NC @ 5 V	±5V	585 pf @ 4 V	-	236MW（TA）
IRF510STRL	-	RFQ	5031	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	5.6A（TC）	10V	540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SIB441EDK-T1-GE3	0.4600	RFQ	8356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6	SIB441	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	9A（TC）	1.5V，4.5V	25.5MOHM @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	33 NC @ 8 V	±8V	1180 pf @ 6 V	-	2.4W（TA），13W（tc）
SIHB21N80AE-GE3	2.9000	RFQ	1847年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB21	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB21N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	17.4A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	32W（TC）
SIJA54DP-T1-GE3	1.1100	RFQ	3271	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIJA54	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.35mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	+20V，-16V	5300 PF @ 20 V	-	36.7W（TC）
SI1424EDH-T1-BE3	0.4300	RFQ	2356	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1424	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1424EDH-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	（4A）（4A），4A （TC）		33MOHM @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	18 nc @ 8 V	±8V		-	1.56W（TA），2.8W（tc）
IRLR014	-	RFQ	6444	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRLR014	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	7.7A（TC）	4V，5V	200mohm @ 4.6A，5V	2V @ 250µA	8.4 NC @ 5 V	±10V	400 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHG15N80AE-GE3	2.9700	RFQ	7367	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG15	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG15N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	800 v	13A（TC）	10V	350MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1093 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIZF906DT-T1-GE3	1.6700	RFQ	16	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C（TA）	表面安装	8-Powerwdfn	SIZF906	MOSFET （金属 o化物）	38W（TC），83W（tc）	8-Powerpair®（6x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	60a（TC）		3.8mohm @ 15A，10V，1.17MOHM @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	22nc @ 4.5V，92NC @ 4.5V		2000pf @ 15V，8200pf @ 15V	-
SI4948BEY-T1-E3	1.3200	RFQ	289	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4948	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	2.4a		120MOHM @ 3.1A，10V	3V @ 250µA	22nc @ 10V		-	逻辑级别门
SQM40031EL_GE3	2.9200	RFQ	8142	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM40031	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	800 NC @ 10 V	±20V	39000 PF @ 25 V	-	375W（TC）
SIHB12N50E-GE3	2.3900	RFQ	5146	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB12	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	10.5A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	886 pf @ 100 V	-	114W（TC）
SI3476DV-T1-GE3	0.5500	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3476	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	93MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	195 pf @ 40 V	-	2W（TA），3.6W（TC）
SIHF6N40D-E3	1.3900	RFQ	4637	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF6N40DE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	30W（TC）
SUP50010E-GE3	3.3600	RFQ	297	Vishay Siliconix	Trechfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP50010	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	150a（TC）	7.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	212 NC @ 10 V	±20V	10895 pf @ 30 V	-	375W（TC）
SI4636DY-T1-GE3	-	RFQ	9041	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4636	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	2635 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），4.4W（TC）
SI7129DN-T1-GE3	0.9900	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7129	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 14.4a，10v	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3345 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
SIJH440E-T1-GE3	1.2191	RFQ	6305	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SIJH440	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	200a（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	195 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	20330 PF @ 20 V	-	158W（TC）
IRFI734G	-	RFQ	3606	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI734	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI734G	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	3.4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SI4812BDY-T1-E3	-	RFQ	7036	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4812	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	7.3a（ta）	4.5V，10V	16mohm @ 9.5a，10V	3V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V		-	1.4W（TA）
SI7102DN-T1-GE3	-	RFQ	4332	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7102	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	35A（TC）	2.5V，4.5V	3.8mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	110 NC @ 8 V	±8V	3720 PF @ 6 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI4396DY-T1-GE3	0.8900	RFQ	378	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4396	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	2.6V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1675 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），5.4W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²