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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIA413DJ-T1-GE3	0.9400	RFQ	174	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA413	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	29mohm @ 6.7a，4.5V	1V @ 250µA	57 NC @ 8 V	±8V	1800 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
IRFBC40	-	RFQ	2536	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC40	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFD214	-	RFQ	9563	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD214	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFD214	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	250 v	450mA（ta）	10V	2ohm @ 270mA，10v	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SIHP074N65E-GE3	7.6800	RFQ	9332	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	35A（TC）	10V	79mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	2904 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SIS106DN-T1-GE3	1.0500	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS106	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	9.8A（TA），16a （TC）	7.5V，10V	18.5MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	3.2W（24W）（24W）TC）
IRFP244	-	RFQ	5470	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP244	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP244	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	250 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFI630G	-	RFQ	1939年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI630G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	5.9a（TC）	10V	400MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SIR862DP-T1-GE3	0.6027	RFQ	4261	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir862	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	50A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），69w（tc）
SIHFS9N60A-GE3	1.0521	RFQ	4472	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHFS9	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	9.2A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SI7601DN-T1-E3	-	RFQ	1203	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7601	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	16A（TC）	2.5V，4.5V	19.2mohm @ 11a，4.5V	1.6V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±12V	1870 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
SI7220DN-T1-E3	2.5000	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7220	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	3.4a		60mohm @ 4.8A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
TP0610KL-TR1-E3	-	RFQ	7685	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TP0610	MOSFET （金属 o化物）		TO-226AA（TO-92）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	60 V	270mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	3 NC @ 15 V	±20V		-	800MW（TA）
SI7923DN-T1-GE3	1.5800	RFQ	34	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7923	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.3a		47MOHM @ 6.4a，10V	3V @ 250µA	21NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIE822DF-T1-E3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	SIE822	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 18.3a，10v	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIA920DJ-T1-GE3	-	RFQ	4311	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA920	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		8V	4.5a		27mohm @ 5.3a，4.5V	700MV @ 250µA	7.5NC @ 4.5V		470pf @ 4V	逻辑级别门
SI7682DP-T1-GE3	-	RFQ	6851	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7682	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1595 pf @ 15 V	-	5W（5W），27.5W（TC）
IRFR310TRL	-	RFQ	5428	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SQJB60EP-T1_GE3	1.3100	RFQ	8867	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB60	MOSFET （金属 o化物）	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	30A（TC）		12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	30nc @ 10V		1600pf @ 25V	-
SI1046R-T1-E3	-	RFQ	1494	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SI1046	MOSFET （金属 o化物）		SC-75A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	606ma（ta）	1.8V，4.5V	420MOHM @ 606mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.49 NC @ 5 V	±8V	66 pf @ 10 V	-	250MW（TA）
SI8900EDB-T2-E1	-	RFQ	7566	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-UFBGA，CSPBGA	SI8900	MOSFET （金属 o化物）	1W	10-micro foot™CSP （2x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		20V	5.4a		-	1V @ 1.1mA	-		-	逻辑级别门
SQ4064EY-T1_GE3	1.0500	RFQ	12	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4064	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	12A（TC）	4.5V，10V	19.8mohm @ 6.1a，10v	2.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	2096 pf @ 25 V	-	6.8W（TC）
SIHA6N65E-E3	2.0300	RFQ	7951	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1640 pf @ 100 V	-	31W（TC）
SI4330DY-T1-E3	-	RFQ	4591	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4330	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.6a		16.5MOHM @ 8.7A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4922BDY-T1-GE3	1.6400	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4922	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		16mohm @ 5A，10V	1.8V @ 250µA	62NC @ 10V		2070pf @ 15V	-
IRFBC30ASTRLPBF	2.9100	RFQ	789	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SIRA60DP-T1-RE3	0.5977	RFQ	7886	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira60	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	0.94MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 250µA	125 NC @ 10 V	+20V，-16V	7650 pf @ 15 V	-	57W（TC）
SUD80460E-GE3	0.9700	RFQ	8462	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD80460	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	42A（TC）	10V	44.7mohm @ 8.3a，10v	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 50 V	-	65.2W（TC）
SQD50N04-4M5L_GE3	2.4400	RFQ	8132	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5860 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SIA415DJ-T1-GE3	-	RFQ	1129	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA415	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	35MOHM @ 5.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±12V	1250 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIZ700DT-T1-GE3	-	RFQ	6812	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ700	MOSFET （金属 o化物）	2.36W，2.8W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		20V	16a		8.6mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	35nc @ 10V		1300pf @ 10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²