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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
IRF9Z34STRRPBF	2.8100	RFQ	408	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF9Z34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	18A（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI8407DB-T2-E1	-	RFQ	5162	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-microfoot®csp	SI8407	MOSFET （金属 o化物）		6-micro脚™（2.4x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.8A（ta）	1.8V，4.5V	27mohm @ 1A，4.5V	900MV @ 350µA	50 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.47W（TA）
SIHG47N65E-GE3	8.0800	RFQ	5833	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	650 v	47A（TC）	10V	72MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	273 NC @ 10 V	±30V	5682 PF @ 100 V	-	417W（TC）
SQJ403BEEP-T1_BE3	1.6000	RFQ	7997	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ403BEEP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±20V		-	68W（TC）
SIS890ADN-T1-GE3	0.9600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS890	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.6a（ta），24.7a tc）		25.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1330 pf @ 50 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4831	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	6.6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	625 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.3W（3.3W）（TC）
SI4835DDY-T1-E3	1.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4835	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	13A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），5.6W（TC）
SI7450DP-T1-RE3	1.0516	RFQ	3794	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				SI7450				下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000				3.2a（ta），19.8a tc）
SI4544DY-T1-GE3	-	RFQ	1086	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4544	MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道，普通排水		30V	-		35mohm @ 6.5a，10v	1V @ 250µA（250µA）	35nc @ 10V		-	逻辑级别门
SI1480DH-T1-GE3	0.5100	RFQ	2193	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1480	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	2.6A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 1.9a，10v	3V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	130 pf @ 50 V	-	1.5W（ta），2.8W（TC）
SIHD7N60ET4-GE3	0.8080	RFQ	2938	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	680 pf @ 100 V	-	78W（TC）
SI8466EDB-T2-E1	0.5100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，WLCSP	SI8466	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	8 V	3.6a（ta）	1.2V，4.5V	43MOHM @ 2A，4.5V	700MV @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±5V	710 pf @ 4 V	-	（780MW）（TA），1.8W（tc）
SIR188DP-T1-RE3	1.5000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir188	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	25.5a（TA），60a tc）	7.5V，10V	3.85mohm @ 10a，10v	3.6V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1920 PF @ 30 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SST174-T1-E3	-	RFQ	9964	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SST174		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道								20pf @ 0v			30 V	20 ma @ 15 V	5 V @ 10 na	85欧姆
SI4816DY-T1-GE3	-	RFQ	9991	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.3a，7.7a		22mohm @ 6.3a，10v	2V @ 250µA	12nc @ 5V		-	逻辑级别门
SI4808DY-T1-E3	-	RFQ	6639	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4808	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a，10v	800mv @ 250µA（250µA）	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
SIHG018N60E-GE3	17.2100	RFQ	288	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG018	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	99a（TC）	10V	23mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	228 NC @ 10 V	±30V	7612 PF @ 100 V	-	524W（TC）
SISA24DN-T1-GE3	0.9600	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISA24	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 15a，10v	2.1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	2650 pf @ 10 V	-	52W（TC）
SUP40010EL-GE3	2.9700	RFQ	117	Vishay Siliconix	Thunderfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP40010	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	11155 PF @ 30 V	-	375W（TC）
SI4485DY-T1-GE3	0.6300	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4485	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	6A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 5.9A，10V	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），5W（（（（（（（（
SI4829DY-T1-E3	-	RFQ	7105	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4829	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	2A（TC）	2.5V，4.5V	215mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±12V	210 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA），3.1W（TC）
SI4472DY-T1-E3	-	RFQ	1495	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4472	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	7.7A（TC）	8V，10V	45mohm @ 5a，10v	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1735 PF @ 50 V	-	3.1W（TA），5.9W（TC）
SI1427EDH-T1-GE3	0.4300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1427	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	2A（TC）	1.5V，4.5V	64mohm @ 3A，4.5V	1V @ 250µA	21 NC @ 8 V	±8V		-	1.56W（TA），2.8W（tc）
SI4505DY-T1-GE3	-	RFQ	7186	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4505	MOSFET （金属 o化物）	1.2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V，8V	6a，3.8a		18mohm @ 7.8a，10v	1.8V @ 250µA	20nc @ 5V		-	逻辑级别门
SIRC16DP-T1-GE3	1.2600	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIRC16	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	60a（TC）	4.5V，10V	0.96mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	48 NC @ 4.5 V	+20V，-16V	5150 pf @ 10 V	-	54.3W（TC）
SI4435DDY-T1-GE3	0.7500	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4435	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11.4A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 9.1a，10V	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），5W（（（（（（（）
2N4858JTVP02	-	RFQ	2625	Vishay Siliconix	-	大部分	过时的		-	-	2N4858			-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
SI4684DY-T1-E3	-	RFQ	8102	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4684	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	16A（TC）	4.5V，10V	9.4mohm @ 16a，10v	1.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±12V	2080 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），4.45W（TC）
SI1902CDL-T1-GE3	0.4500	RFQ	1347	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1902	MOSFET （金属 o化物）	420MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.1a		235mohm @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA	3NC @ 10V		62pf @ 10V	逻辑级别门
sihu3n50da-ge3	0.3532	RFQ	1524年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB	sihu3	MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	3A（TC）	10V	3.2OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	177 PF @ 100 V	-	69W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²