分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SIHB15N60E-GE3	3.1200	询价	1	威世硅科	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB15	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		SIHB15N60EGE3	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	600伏	15A（温度）	10V	280毫欧@8A，10V	4V@250μA	78nC@10V	±30V	1350 pF @ 100 V	-	180W（温度）
SIHK105N60EF-T1GE3	5.8000	询价	2	威世硅科	EF	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerBSFN		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK®10 x 12	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	24A（温度）	10V	105毫欧@10A、10V	5V@250μA	51nC@10V	±30V	100V时为2301pF	-	142W（温度）
IRFR420TR	-	询价	2389	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR420	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	500伏	2.4A（温度）	10V	3欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SISS64DN-T1-GE3	1.3800	询价	2142	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS64	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	40A（温度）	4.5V、10V	2.1毫欧@10A、10V	2.2V@250μA	68nC@10V	+20V，-16V	15V时为3420pF	-	57W（温度）
SISS22LDN-T1-GE3	1.2100	询价	8624	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8S	SISS22	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		742-SISS22LDN-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	25.5A（Ta）、92.5A（Tc）	4.5V、10V	3.65毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	56nC@10V	±20V	2540pF@30V	-	5W（Ta）、65.7W（Tc）
SUP45P03-09-GE3	-	询价	2149	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	桨板45	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	500		P沟道	30V	45A（温度）	4.5V、10V	8.7毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	90nC@10V	±20V	2700pF@15V	-	73.5W（温度）
SI2304DDS-T1-BE3	0.4300	询价	6	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2304	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	742-SI2304DDS-T1-BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	3.3A（Ta）、3.6A（Tc）	4.5V、10V	60毫欧@3.2A，10V	2.2V@250μA	6.7nC@10V	±20V	15V时为235pF	-	1.1W（Ta）、1.7W（Tc）
SI3440DV-T1-GE3	1.5200	询价	54	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3440	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	1.2A（塔）	6V、10V	375毫欧@1.5A，10V	4V@250μA	8nC@10V	±20V		-	1.14W（塔）
IRF540PBF-BE3	2.1500	询价	199	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF540	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-		1（无限制）		742-IRF540PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	28A（温度）	10V	77毫欧@11A、10V	4V@250μA	72nC@10V	±20V	1700pF@25V	-	150W（温度）
SI1303DL-T1-E3	-	询价	3053	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SI1303	MOSFET（金属O化物）		SC-70-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	20V	670毫安（塔）	2.5V、4.5V	430毫欧@1A，4.5V	1.4V@250μA	2.2nC@4.5V	±12V		-	290毫W（塔）
SI4487DY-T1-GE3	-	询价	6315	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4487	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	30V	11.6A（温度）	4.5V、10V	20.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	36nC@10V	±25V	1075pF@15V	-	2.5W（Ta）、5W（Tc）
SI7620DN-T1-GE3	-	询价	9098	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7620	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	150伏	13A（温度）	10V	126毫欧@3.6A，10V	4.5V@250μA	15nC@10V	±20V	600pF@75V	-	3.8W（Ta）、5.2W（Tc）
SIHG018N60E-GE3	17.2100	询价	288	威世硅科	B	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	SIHG018	MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	600伏	99A（TC）	10V	23毫欧@25A，10V	5V@250μA	228nC@10V	±30V	7612pF@100V	-	524W（温度）
SI2333DDS-T1-GE3	0.4200	询价	8990	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2333	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	12V	6A（温度）	1.5V、4.5V	28毫欧@5A，4.5V	1V@250μA	35nC@8V	±8V	1275pF@6V	-	1.2W（Ta）、1.7W（Tc）
SI7956DP-T1-GE3	3.1700	询价	3	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SI7956	MOSFET（金属O化物）	1.4W	PowerPAK® SO-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		150V	2.6A		105mOhm@4.1A，10V	4V@250μA	26nC@10V		-	逻辑电平门
IRF644L	-	询价	4905	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IRF644	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	-	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF644L	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	14A（温度）	10V	280毫欧@8.4A，10V	4V@250μA	68nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	-
SIHF9Z24STRR-GE3	1.0800	询价	1	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）		742-SIHF9Z24STRR-GE3CT	EAR99	8541.29.0095	800		P沟道	60V	11A（温度）	10V	280毫欧@6.6A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	570pF@25V	-	3.7W（Ta）、60W（Tc）
SI2337DS-T1-E3	1.0100	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SI2337	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	80V	2.2A（温度）	6V、10V	270毫欧@1.2A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±20V	500pF@40V	-	760mW（Ta）、2.5W（Tc）
SIHP25N50E-GE3	3.2100	询价	27号	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	SIHP25	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		2266-SIHP25N50E-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500伏	26A（温度）	10V	145毫欧@12A，10V	4V@250μA	86nC@10V	±30V	1980pF@100V	-	250W（温度）
SIJ470DP-T1-GE3	1.6300	询价	第1561章	威世硅科	ThunderFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIJ470	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	58.8A（温度）	7.5V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3.5V@250μA	56nC@10V	±20V	2050pF@50V	-	5W（Ta）、56.8W（Tc）
SI8447DB-T2-E1	0.2000	询价	15	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UFBGA	SI8447	MOSFET（金属O化物）		6-微型脚™ (1.5x1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	11A（温度）	1.7V、4.5V	75毫欧@1A，4.5V	1.2V@250μA	25nC@10V	±12V	600pF@10V	-	2.77W（Ta）、13W（Tc）
SI1426DH-T1-E3	-	询价	1104	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1426	MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	2.8A（塔）	4.5V、10V	75毫欧@3.6A，10V	2.5V@250μA	3nC@4.5V	±20V		-	1W（塔）
SI7447ADP-T1-GE3	-	询价	5723	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7447	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	35A（温度）	10V	6.5毫欧@24A，10V	3V@250μA	150nC@10V	±25V	4650pF@15V	-	5.4W（Ta）、83.3W（Tc）
IRCZ44PBF	-	询价	4166	威世硅科	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-5	IRCZ44	MOSFET（金属O化物）		TO-220-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRCZ44PBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	60V	50A（温度）	10V	28毫欧@31A，10V	4V@250μA	95nC@10V	±20V	2500pF@25V	电流检测	150W（温度）
SIDR500EP-T1-RE3	3.4400	询价	5	威世硅科	TrenchFET®第五代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8DC	下载		1（无限制）		742-SIDR500EP-T1-RE3DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	94A（Ta）、421A（Tc）	4.5V、10V	0.47毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	180nC@10V	+16V，-12V	15V时为8960pF	-	7.5W（Ta）、150W（Tc）
SQ4005EY-T1_BE3	1.0100	询价	1	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SQ4005	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）		742-SQ4005EY-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	12V	15A（温度）	2.5V、4.5V	22毫欧@13.5A，4.5V	1V@250μA	38nC@4.5V	±8V	3600pF@6V	-	6W（温度）
SI4170DY-T1-GE3	-	询价	3389	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4170	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	30A（温度）	4.5V、10V	3.5毫欧@15A，10V	2.6V@250μA	100nC@10V	±20V	4355pF@15V	-	3W（Ta）、6W（Tc）
SI4808DY-T1-E3	-	询价	6639	威世硅科	小脚丫®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4808	MOSFET（金属O化物）	1.1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	5.7A		22毫欧@7.5A，10V	800mV @ 250μA（极低）	20nC@10V		-	逻辑电平门
IRFR9110TRLPBF	1.5900	询价	1511	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR9110	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	100V	3.1A（温度）	10V	1.2欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
SIS698DN-T1-GE3	0.3045	询价	2231	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SIS698	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	6.9A（温度）	6V、10V	195毫欧@2.5A，10V	3.5V@250μA	8nC@10V	±20V	210pF@50V	-	19.8W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²