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离散半导体产品（（5717）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4451DY-T1-GE3 | - |  | 7346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4451 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 12 v | 10a（10a） | 1.8V，4.5V | 8.25mohm @ 14A，4.5V | 800mv @ 850µA | 120 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | |||||
| SI4453DY-T1-GE3 | - | | 3197 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4453 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 12 v | 10a（10a） | 1.8V，4.5V | 6.5MOHM @ 14A，4.5V | 900MV @ 600µA | 165 NC @ 5 V | ±8V | - | 1.5W（TA） | ||||
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| SI4505DY-T1-GE3 | - | | 7186 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4505 | MOSFET （金属 o化物） | 1.2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V，8V | 6a，3.8a | 18mohm @ 7.8a，10v | 1.8V @ 250µA | 20nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4532ADY-T1-GE3 | - | | 8584 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4532 | MOSFET （金属 o化物） | 1.13W，1.2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 3.7a，3a | 53MOHM @ 4.9A，10V | 1V @ 250µA | 16NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4542DY-T1-E3 | - | | 9072 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4542 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | - | 25mohm @ 6.9a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 50NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | |||||
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| SI4688DY-T1-E3 | - | | 3004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4688 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 8.9a（ta） | 4.5V，10V | 11mohm @ 12a，10v | 3V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1580 pf @ 15 V | - | 1.4W（TA） | |||
| SI4804CDY-T1-GE3 | 0.7600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4804 | MOSFET （金属 o化物） | 3.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 8a | 22mohm @ 7.5a，10v | 2.4V @ 250µA | 23nc @ 10V | 865pf @ 15V | - | ||||||
| SI4808DY-T1-E3 | - | | 6639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4808 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4808DY-T1-GE3 | - | | 4666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4808 | MOSFET （金属 o化物） | 1.1W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 20NC @ 10V | - | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4814BDY-T1-E3 | - | | 2310 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4814 | MOSFET （金属 o化物） | 3.3W，3.5W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 10a，10.5a | 18mohm @ 10a，10v | 3V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI4816DY-T1-GE3 | - | | 9991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4816 | MOSFET （金属 o化物） | 1W，1.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 5.3a，7.7a | 22mohm @ 6.3a，10v | 2V @ 250µA | 12nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI4818DY-T1-E3 | - | | 7266 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4818 | MOSFET （金属 o化物） | 1W，1.25W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（双） | 30V | 5.3a，7a | 22mohm @ 6.3a，10v | 800mv @ 250µA（250µA） | 12nc @ 5V | - | 逻辑级别门 | |||||
| SI4823DY-T1-E3 | - | | 4254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4823 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 4.1A（TC） | 2.5V，4.5V | 108mohm @ 3.3a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±12V | 660 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 1.7W（ta），2.8W（TC） | ||||
| SI4825DDY-T1-GE3 | 0.9400 | | 128 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4825 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 14.9a（TC） | 4.5V，10V | 12.5mohm @ 10a，10v | 2.5V @ 250µA | 86 NC @ 10 V | ±25V | 2550 pf @ 15 V | - | 2.7W（ta），5W（tc） | ||||
| SI4829DY-T1-E3 | - | | 7105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4829 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 20 v | 2A（TC） | 2.5V，4.5V | 215mohm @ 2.5a，4.5V | 1.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 V | ±12V | 210 pf @ 10 V | Schottky 二极管（孤立） | 2W（TA），3.1W（TC） | ||||
| SI4830CDY-T1-E3 | - | | 5772 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4830 | MOSFET （金属 o化物） | 2.9W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道（半桥） | 30V | 8a | 20mohm @ 8a，10v | 3V @ 1mA | 25nc @ 10V | 950pf @ 15V | 逻辑级别门 | ||||||
| SI4831BDY-T1-E3 | - | | 7710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Littlefoot® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4831 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 6.6A（TC） | 4.5V，10V | 42MOHM @ 5A，10V | 3V @ 250µA | 26 NC @ 10 V | ±20V | 625 pf @ 15 V | Schottky 二极管（孤立） | 2W（TA），3.3W（3.3W）（TC） | |||
| SI4835DDY-T1-E3 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4835 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 13A（TC） | 4.5V，10V | 18mohm @ 10a，10v | 3V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±25V | 1960 pf @ 15 V | - | 2.5W（TA），5.6W（TC） | ||||
| SI4840BDY-T1-E3 | 1.6600 | | 69 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4840 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 19a（tc） | 4.5V，10V | 9MOHM @ 12.4a，10V | 3V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 20 V | - | 2.5W（ta），6W（（ta） | ||||
| SI4858DY-T1-E3 | - | | 1496年 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4858 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 13A（TA） | 4.5V，10V | 5.25MOHM @ 20A，10V | 1V @ 250µA（250µA） | 40 NC @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） | ||||
| SI4860DY-T1-GE3 | - | | 6131 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4860 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 11a（11a） | 4.5V，10V | 8mohm @ 16a，10v | 1V @ 250µA（250µA） | 18 nc @ 4.5 V | ±20V | - | 1.6W（TA） | ||||
| SI4864DY-T1-E3 | 2.1227 | | 3338 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4864 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 17A（TA） | 2.5V，4.5V | 3.5MOHM @ 25A，4.5V | 2V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.6W（TA） | |||||
| SI4864DY-T1-GE3 | 4.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trechfet® | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | SI4864 | MOSFET （金属 o化物） | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 20 v | 17A（TA） | 2.5V，4.5V | 3.5MOHM @ 25A，4.5V | 2V @ 250µA | 70 NC @ 4.5 V | ±8V | - | 1.6W（TA） |
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