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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI4110DY-T1-GE3	-	RFQ	7785	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4110	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	80 V	17.3A（TC）	10V	13mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2205 PF @ 40 V	-	3.6W（ta），7.8W（TC）
IRF630STRRPBF	1.6900	RFQ	1169	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	（3W（ta），74w tc（TC）
SUD50P06-15-GE3	2.6600	RFQ	2101	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），113W（tc）
IRL630pbf	2.3500	RFQ	4949	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL630pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	74W（TC）
SUD50N04-37P-T4-E3	-	RFQ	3712	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	5.4A（ta），8a tc）	4.5V，10V	37MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	640 pf @ 20 V	-	2W（TA），10.8W（TC）
SIHK125N60EF-T1GE3	5.4900	RFQ	50	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	8-Powerbsfn		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®10x12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	1863 PF @ 100 V	-	132W（TC）
SI7129DN-T1-GE3	0.9900	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7129	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	35A（TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 14.4a，10v	2.8V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3345 pf @ 15 V	-	3.8W（TA），52.1W（TC）
SI4276DY-T1-E3	-	RFQ	9791	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4276	MOSFET （金属 o化物）	3.6W，2.8W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	8a		15.3MOHM @ 9.5A，10V	2.5V @ 250µA	26NC @ 10V		1000pf @ 15V	逻辑级别门
SIHH085N60EF-T1GE3	7.1300	RFQ	6479	Vishay Siliconix	EF	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH085	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHH085N60EF-T1GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	30A（TC）	10V	85mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2733 PF @ 100 V	-	184W（TC）
SQJQ904E-T1_GE3	3.0300	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8x8二元	SQJQ904	MOSFET （金属 o化物）	75W	PowerPak®8x8二元	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）		40V	100A（TC）		3.4mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	75nc @ 10V		5900pf @ 20V	-
SI4114DY-T1-E3	1.7000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4114	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	20 v	20A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 10a，10v	2.1V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	3700 PF @ 10 V	-	2.5W（ta），5.7W（TC）
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SI1431DH-T1-E3	-	RFQ	6464	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1431	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 2a，10v	3V @ 100µA	4 NC @ 4.5 V	±20V		-	950MW（TA）
SI4967DY-T1-GE3	-	RFQ	4697	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4967	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		12V	-		23mohm @ 7.5a，4.5V	450mv @ 250µA（250µA））	55nc @ 10V		-	逻辑级别门
SUM110N04-2M1P-E3	-	RFQ	6360	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum110	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	29a（ta），110a（tc）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	360 NC @ 10 V	±20V	18800 PF @ 20 V	-	3.13W（TA），312W （TC）
IRFBF20L	-	RFQ	8998	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBF20L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），54W（TC）
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SIR4604LDP-T1-GE3	1.4300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir4604	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15.6A（TA），51A （TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	3.9W（TA），41.6W（tc）
IRLZ44STRR	-	RFQ	4563	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SIHA24N80AE-GE3	3.4600	RFQ	794	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	-		（1 （无限）		742-SIHA24N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	9A（TC）		184mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±30V	1836 PF @ 100 V	-	35W（TC）
SQJ154EP-T1_GE3	1.1700	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ154	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	243A（TC）	10V	2.5MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3620 PF @ 25 V	-	214W（TC）
SIHH26N60EF-T1-GE3	6.7000	RFQ	5851	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	SIHH26	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	141MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2744 PF @ 100 V	-	202W（TC）
IRF9640LPBF	1.8213	RFQ	3806	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SQ3425EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3425	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	7.4A（TC）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	10.3 NC @ 4.5 V	±12V	840 pf @ 10 V	-	5W（TC）
SIDR680ADP-T1-RE3	2.4900	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR680	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	-		（1 （无限）		742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30.7a（TA），137A （TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4415 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIHFL9110TR-GE3	0.6000	RFQ	2077	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SIHFL9110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	100 v	1.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 660mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SIHD6N65ET4-GE3	0.7371	RFQ	3577	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHD6	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	650 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	820 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SI9933CDY-T1-GE3	0.6300	RFQ	7707	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9933	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		20V	4a		58MOHM @ 4.8A，4.5V	1.4V @ 250µA	26NC @ 10V		665pf @ 10V	逻辑级别门
IRF840A	-	RFQ	1316	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI7925DN-T1-E3	-	RFQ	8652	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SI7925	MOSFET （金属 o化物）	1.3W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	4.8a		42MOHM @ 6.5A，4.5V	1V @ 250µA	12nc @ 4.5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²