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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUD40N10-25-T4-E3	-	RFQ	7738	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	40a（TC）	10V	25mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
SQD100N03-3M2L_GE3	1.8700	RFQ	7112	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD100	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±20V	6316 pf @ 15 V	-	136W（TC）
IRFP460pbf	4.7100	RFQ	18	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP460pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IRF740ASTRL	-	RFQ	3470	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRFZ30pbf	-	RFQ	3560	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFZ30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ30PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	50 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SMMB911DK-T1-GE3	-	RFQ	4892	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SMMB911	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.6a		295MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4NC @ 8V		115pf @ 10V	-
IRFP054	-	RFQ	1317	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP054	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP054	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	60 V	70A（TC）	10V	14mohm @ 54a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
SIHG23N60E-GE3	4.6700	RFQ	1770年	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C〜150°C（TA）	通过洞	TO-247-3	SIHG23	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	23A（TC）	10V	158mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±30V	2418 PF @ 100 V	-	227W（TC）
IRFR430ATRPBF	1.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR430	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SI2302ADS-T1-E3	-	RFQ	9440	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 50µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	300 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SIHG47N60AEL-GE3	9.2800	RFQ	14	Vishay Siliconix	El	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG47	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	47A（TC）	10V	65mohm @ 23.5a，10v	4V @ 250µA	222 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 100 V	-	379W（TC）
SI4559ADY-T1-GE3	1.5800	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4559	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，3.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	5.3a，3.9a		58mohm @ 4.3A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		665pf @ 15V	逻辑级别门
SQM120P06-07L_GE3	3.6400	RFQ	2557	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	120A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	14280 pf @ 25 V	-	375W（TC）
SIR690DP-T1-GE3	1.6600	RFQ	8350	Vishay Siliconix	Thunderfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir690	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	34.4A（TC）	7.5V，10V	35mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 7.5 V	±20V	1935 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SQJ500AEP-T1_GE3	1.6100	RFQ	5831	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ500	-	48W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		40V	30A（TC）		27mohm @ 6a，10v	2.3V @ 250µA	38.1NC @ 10V		1850pf @ 20V	-
SIA431DJ-T1-GE3	0.5900	RFQ	22	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA431	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.5V，4.5V	25mohm @ 6.5a，4.5V	850mv @ 250µA	60 NC @ 8 V	±8V	1700 PF @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
irlr110pbf	1.2900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRLZ44S	-	RFQ	2734	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ44S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
SI4835DDY-T1-GE3	1.2300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4835	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	13A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），5.6W（TC）
SUD19P06-60-BE3	1.1800	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD19	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	18.3a（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	2.3W（TA），38.5W（tc）
SIE844DF-T1-GE3	-	RFQ	2414	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（U）	SIE844	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（U）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	44.5A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 12.1a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	5.2W（TA），25W（25W）TC）
IRFR9110	-	RFQ	8679	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR9110	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHA25N60EFL-E3	2.4990	RFQ	8882	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	25A（TC）	10V	146MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	2274 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SI1428EDH-T1-GE3	-	RFQ	4855	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1428	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4A（TC）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.3V @ 250µA	13.5 NC @ 10 V	±12V		-	2.8W（TC）
SI4447ADY-T1-GE3	0.5900	RFQ	6834	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4447	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	7.2A（TC）	4.5V，10V	45mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 20 V	-	4.2W（TC）
SI3430DV-T1-GE3	1.2500	RFQ	8822	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3430	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	1.8A（ta）	6V，10V	170MOHM @ 2.4a，10V	2V @ 250µA（）	6.6 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SI4936ADY-T1-E3	1.9800	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4936	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	4.4a		36mohm @ 5.9a，10v	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRFU110	-	RFQ	7158	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	irfu1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU110	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）	10V	540MOHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SIRA84DP-T1-GE3	0.5700	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sira84	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 15a，10v	2.4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	+20V，-16V	1535 pf @ 15 V	-	34.7W（TC）
SQD50P06-15L_GE3	2.9400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15.5mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5910 PF @ 25 V	-	136W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²