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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIJ4819DP-T1-GE3	2.2100	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	11.5A（TA），44.4a （TC）	4.5V，10V	20.7MOHM @ 10A，10V	2.6V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3420 PF @ 40 V	-	5W（5W），73.5W（TC）
SIHF074N65E-GE3	7.5700	RFQ	9394	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF074N65E-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	14A（TC）	10V	79mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±30V	2904 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SIJ4106DP-T1-GE3	1.6900	RFQ	1999	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	15.8A（TA），59A （TC）	7.5V，10V	8.3mohm @ 15a，10v	3.8V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 50 V	-	5W（5W），69.4W（TC）
IRF9640LPBF	1.8213	RFQ	3806	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
SIA443DJ-T1-E3	-	RFQ	9880	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA443	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	9A（TC）	1.8V，4.5V	45MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	25 NC @ 8 V	±8V	750 pf @ 10 V	-	3.3W（TA），15W（tc）
IRF9640L	-	RFQ	1852年	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9640L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	（3W）（125W（ta）（TC）
IRFU430APBF	1.9500	RFQ	406	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU430	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFU430APBF	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF840ASTRRPBF	3.1100	RFQ	777	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI4411DY-T1-E3	-	RFQ	4276	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4411	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9a（9a）	4.5V，10V	10mohm @ 13a，10v	3V @ 250µA	65 NC @ 5 V	±20V		-	1.5W（TA）
SI8487DB-T1-E1	0.6900	RFQ	3066	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga	SI8487	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.9a（ta）	2.5V，10V	31MOHM @ 2A，10V	1.2V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±12V	2240 pf @ 15 V	-	1.1W（ta），2.7W（TC）
IRLL110TRPBF	0.9300	RFQ	4941	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	1.5A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 900mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
IRCZ24PBF	-	RFQ	4824	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRCZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRCZ24PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 25 V	电流感应	60W（TC）
IRF510L	-	RFQ	1280	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF510	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF510L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	5.6A（TC）		540MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V		180 pf @ 25 V	-	-
SI7983DP-T1-GE3	-	RFQ	6834	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7983	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	7.7a		17mohm @ 12a，4.5V	1V @ 600µA	74NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHP6N80E-GE3	1.1982	RFQ	5445	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	5.4A（TC）	10V	940MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±30V	827 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SISS5108DN-T1-GE3	1.8100	RFQ	40	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS5108	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	15.4a（ta），55.9a tc）	7.5V，10V	10.5mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	5W（5W），65.7W（TC）
SISH103DN-T1-GE3	0.9300	RFQ	3886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH103	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	（16a）（ta），54A（tc）	4.5V，10V	155mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2540 pf @ 15 V	-	3.67W（TA），41.6W（tc）
SIHP155N60EF-GE3	3.7700	RFQ	4627	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP155	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-SIHP155N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	155mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIHG155N60EF-GE3	4.5500	RFQ	7320	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG155	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）		742-SIHG155N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	21a（TC）	10V	149MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SQS164ELNW-T1_GE3	0.9000	RFQ	2628	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW	SQS164	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	82A（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2159 PF @ 25 V	-	104W（TC）
SQS142ENW-T1_GE3	0.9500	RFQ	9447	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW	SQS142	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	110A（TC）	10V	4.5mohm @ 10a，10v	3.3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1952 PF @ 25 V	-	113W（TC）
SIZF640DT-T1-GE3	2.8000	RFQ	7310	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerdfn	SIZF640	MOSFET （金属 o化物）	4.2W（ta），62.5W（tc）	PowerPair®6x5fs	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源		40V	41A（TA），159A （TC）		1.37MOHM @ 15A，10V	2.4V @ 250µA	106nc @ 10V		5750pf @ 20V	-
SQJQ186E-T1_GE3	3.0100	RFQ	7284	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8	SQJQ186	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	80 V	245a（TC）	10V	2.3MOHM @ 20A，10V	3.5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	10552 PF @ 25 V	-	357W（TC）
SQS160ELNW-T1_GE3	1.0400	RFQ	5954	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	POWERPAK®1212-8SLW	SQS160	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®1212-8SLW	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	141a（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3866 pf @ 25 V	-	113W（TC）
SI4155DY-T1-GE3	0.8100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4155	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10.2a（ta），13.6a（tc）	4.5V，10V	15mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1870 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），4.5W（TC）
SIR4604LDP-T1-GE3	1.4300	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir4604	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	15.6A（TA），51A （TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 10a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	3.9W（TA），41.6W（tc）
SQJ154EP-T1_GE3	1.1700	RFQ	1	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ154	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	243A（TC）	10V	2.5MOHM @ 15A，10V	3.5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3620 PF @ 25 V	-	214W（TC）
SIS4608DN-T1-GE3	0.8600	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS4608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	12.4A（TA），35.7a （TC）	7.5V，10V	11.8mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	740 pf @ 30 V	-	3.3W（TA），27.1W（TC）
SIS4608LDN-T1-GE3	0.9400	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS4608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	12.6A（TA），36.2a （TC）	4.5V，10V	11.5mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	905 pf @ 30 V	-	3.3W（TA），27.1W（TC）
SIR4608DP-T1-GE3	1.1600	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIR4608	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	13.1A（TA），42.8a tc）	7.5V，10V	11.8mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	740 pf @ 30 V	-	3.6W（39W），39w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²