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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SI1563DH-T1-GE3	-	RFQ	8658	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1563	MOSFET （金属 o化物）	570MW	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	1.13a，880mA		280MOHM @ 1.13A，4.5V	1V @ 100µA	2NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIHG15N80AE-GE3	2.9700	RFQ	7367	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG15	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHG15N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	800 v	13A（TC）	10V	350MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1093 PF @ 100 V	-	156W（TC）
SIHA22N60EL-E3	2.2050	RFQ	5275	Vishay Siliconix	El	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha22	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	21a（TC）	10V	197mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	1690 pf @ 100 V	-	35W（TC）
SIHFBC40AS-GE3	1.7700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHFBC40AS-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI7738DP-T1-E3	3.1700	RFQ	8509	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7738	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	30A（TC）	10V	38mohm @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 75 V	-	5.4W（ta），96w（tc）
IRFB9N65A	-	RFQ	9250	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFB9N65A	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
IRF620L	-	RFQ	5946	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF620L	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	-
VP0808B-2	-	RFQ	2354	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	VP0808	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		P通道	80 V	880mA（TA）	10V	5ohm @ 1A，10V	4.5V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W（TA）
IRF737LCPBF	-	RFQ	6595	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF737	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF737LCPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	300 v	6.1A（TC）	10V	750MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	74W（TC）
irfibe20g	-	RFQ	5236	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	Irfibe20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfibe20g	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	1.4A（TC）	10V	6.5OHM @ 840mA，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	30W（TC）
SI4453DY-T1-E3	-	RFQ	7111	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4453	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	12 v	10a（10a）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 14A，4.5V	900MV @ 600µA	165 NC @ 5 V	±8V		-	1.5W（TA）
SI1402DH-T1-E3	-	RFQ	6775	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1402	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	2.7a（ta）	2.5V，4.5V	77MOHM @ 3A，4.5V	1.6V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	950MW（TA）
IRF840LCl	-	RFQ	8613	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840LCL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SIHP052N60EF-GE3	6.9500	RFQ	266	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP052	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	48A（TC）	10V	52MOHM @ 23A，10V	5V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±30V	3380 pf @ 100 V	-	278W（TC）
SISH103DN-T1-GE3	0.9300	RFQ	3886	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH	SISH103	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	（16a）（ta），54A（tc）	4.5V，10V	155mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2540 pf @ 15 V	-	3.67W（TA），41.6W（tc）
IRF730ASTRR	-	RFQ	8760	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF730	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.3a，10V	4.5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SUD35N10-26P-BE3	2.1700	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD35	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	12a（12a），35a（tc）	7V，10V	26mohm @ 12a，10v	4.4V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 12 V	-	8.3W（ta），83W（tc）
SIHF540STRL-GE3	1.7622	RFQ	6432	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHF540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHF540STRL-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRF720STRL	-	RFQ	4420	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SIZ904DT-T1-GE3	0.4969	RFQ	9768	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ904	MOSFET （金属 o化物）	20W，33W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	12a，16a		24mohm @ 7.8a，10v	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		435pf @ 15V	逻辑级别门
IRFD9210	-	RFQ	5105	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9210	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFD9210	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	200 v	400mA（TA）	10V	3ohm @ 240mA，10v	4V @ 250µA	8.9 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
SI7445DP-T1-GE3	-	RFQ	8147	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7445	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12a（12a）	1.8V，4.5V	7.7MOHM @ 19a，4.5V	1V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±8V		-	1.9W（TA）
SI3437DV-T1-E3	0.9300	RFQ	294	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3437	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	150 v	1.4A（TC）	6V，10V	750MOHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	510 pf @ 50 V	-	2W（TA），3.2W（TC）
IRFR9110TRL	-	RFQ	6310	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9110	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	3.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI7872DP-T1-E3	-	RFQ	1557年	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7872	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	6.4a		22mohm @ 7.5a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI4974DY-T1-E3	-	RFQ	6086	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4974	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6a，4.4a		19mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SIR662DP-T1-GE3	2.0100	RFQ	4505	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir662	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	4365 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
IRFR9220Tr	-	RFQ	1214	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF614pbf	0.7229	RFQ	4163	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF614PBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRFU420APBF	1.5800	RFQ	4869	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU420	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFU420APBF	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	340 pf @ 25 V	-	83W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²