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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHB11N80AE-GE3	2.1800	RFQ	10	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB11N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	78W（TC）
SQJ150EP-T1_GE3	0.8500	RFQ	3015	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ150	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ150EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	66A（TC）	10V	8.4mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1274 PF @ 25 V	-	65W（TC）
SQJ146EP-T1_GE3	0.8800	RFQ	7121	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ146	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ146EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	75A（TC）	10V	7mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
SQ3493EV-T1_GE3	0.6900	RFQ	1143	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3493	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQ3493EV-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	8A（TC）	2.5V，4.5V	21MOHM @ 5A，4.5V	1.4V @ 250µA	34 NC @ 4.5 V	±12V	3300 PF @ 10 V	-	5W（TC）
SQJ144EP-T1_GE3	0.9700	RFQ	5855	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ144	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJ144EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	130a（TC）	10V	4.6mohm @ 15a，10v	3.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	148W（TC）
SQJB02ELP-T1_GE3	1.0900	RFQ	8	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB02	MOSFET （金属 o化物）	27W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	30A（TC）		7.5MOHM @ 6A，10V	2.2V @ 250µA	32NC @ 10V		1700pf @ 20V	-
SISF06DN-T1-GE3	1.1800	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SCD	SISF06	MOSFET （金属 o化物）	5.2W（ta），69.4W（TC）	PowerPak®1212-8SCD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水		30V	28a（28a），101a（tc）		4.5MOHM @ 7A，10V	2.3V @ 250µA	45nc @ 10V		2050pf @ 15V	-
SISS80DN-T1-GE3	1.6700	RFQ	11	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SISS80	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	58.3A（TA），210A （TC）	2.5V，10V	0.92Mohm @ 10a，10v	1.5V @ 250µA	122 NC @ 10 V	+12V，-8V	6450 pf @ 10 V	-	（5W）（65W（ta）（TC）
SIDR680ADP-T1-RE3	2.4900	RFQ	10	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SIDR680	MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	-		（1 （无限）		742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	30.7a（TA），137A （TC）	7.5V，10V	2.88mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	83 NC @ 10 V	±20V	4415 PF @ 40 V	-	6.25W（TA），125W（（（（（（（（（（（
SIHA125N60EF-GE3	6.3400	RFQ	999	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHA125	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）		742-SIHA125N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	125mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±30V	1533 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SIR166DP-T1-GE3	1.5000	RFQ	6182	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir166	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 15A，10V	2.2V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	3340 pf @ 15 V	-	5W（5W），48W（（（（（
IRFD020PBF	1.5900	RFQ	6	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD020	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	50 V	2.4A（TC）	10V	100mohm @ 1.4a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRFB9N65APBF	2.8500	RFQ	956	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFB9N65APBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	8.5A（TC）	10V	930MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	1417 PF @ 25 V	-	167W（TC）
IRF9Z24	-	RFQ	1992	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z24	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	11A（TC）	10V	280MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFP264NPBF	-	RFQ	4745	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP264	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP264NPBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	250 v	44A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	3860 pf @ 25 V	-	380W（TC）
IRFI614GPBF	1.5500	RFQ	9983	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI614	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI614GPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	2.1A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	23W（TC）
SI3483DV-T1-GE3	-	RFQ	9139	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3483	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.7a（ta）	4.5V，10V	35mohm @ 6.2a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
2N7002-T1-E3	0.6500	RFQ	404	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		TO-236	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	115ma（ta）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200mw（ta）
SMMB911DK-T1-GE3	-	RFQ	4892	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-75-6L双重	SMMB911	MOSFET （金属 o化物）	3.1W	POWERPAK®SC-75-6L双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.6a		295MOHM @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	4NC @ 8V		115pf @ 10V	-
SIR588DP-T1-RE3	1.0000	RFQ	50	Vishay Siliconix	Trechfet®Genv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	80 V	17.2A（ta），59.5a tc）	7.5V，10V	8mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 40 V	-	5W（5W），59.5W（TC）
irfr014pbf-be3	1.4600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr014pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	7.7A（TC）		200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1926DL-T1-BE3	0.4100	RFQ	3457	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1926	MOSFET （金属 o化物）	300MW（TA），510MW（TC）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	742-SI1926DL-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	340mA ta（370mA to）TC）		1.4OHM @ 340mA，10V	2.5V @ 250µA	1.4NC @ 10V		18.5pf @ 30V	-
IRFBC40PBF-BE3	2.4100	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-IRFBC40PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）		1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFR120TRRPBF-BE3	1.5900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr120trrpbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）		270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRFR110PBF-BE3	1.0000	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR110	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr110pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	4.3A（TC）		540MOHM @ 2.6A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI1965DH-T1-BE3	0.5100	RFQ	9846	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1965	MOSFET （金属 o化物）	（740MW）（TA），1.25W（tc）	SC-70-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		12V	1.14A（ta），1.3a （TC）		390MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 8V		120pf @ 6V	-
IRF630pbf-be3	1.5300	RFQ	5671	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irf630pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）		400MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR214PBF-BE3	1.4500	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		742-irfr214pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	250 v	2.2A（TC）		2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SI6423ADQ-T1-GE3	0.9400	RFQ	3532	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6423	MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	742-SI6423ADQ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	10.3a（ta），12.5a tc）		9.8mohm @ 10a，4.5V	1V @ 250µA	168 NC @ 8 V	±8V	5875 pf @ 10 V	-	1.5W（TA），2.2W（TC）
IRL630pbf-be3	2.3500	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		742-irl630pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	9A（TC）		400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	74W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²