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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR9310TRPBF	1.6800	RFQ	2236	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	400 v	1.8A（TC）	10V	7ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI3454CDV-T1-E3	-	RFQ	5283	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3454	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	4.2A（TC）	4.5V，10V	50MOHM @ 3.8A，10V	3V @ 250µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	305 pf @ 15 V	-	1.25W（TA），1.5W（tc）
IRF610LPBF	0.8511	RFQ	1779年	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF610LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	（3w（ta），36w（tc）
irll110pbf	-	RFQ	5074	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL110	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	80		n通道	100 v	1.5A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 900mA，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2W（TA），3.1W（TC）
SQM50P08-25L_GE3	2.6100	RFQ	3735	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SQM50	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	80 V	50A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 12.5a，10v	2.5V @ 250µA	137 NC @ 10 V	±20V	5350 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIR496DP-T1-GE3	-	RFQ	1401	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir496	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1570 pf @ 10 V	-	5W（5W），27.7W（TC）
IRF640LPBF	-	RFQ	9590	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF640LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），130W（tc）
IRFD9024PBF	1.6700	RFQ	31	Vishay Siliconix	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9024	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFD9024PBF	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	1.6a（ta）	10V	280MOHM @ 960mA，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
IRF610SPBF	1.7300	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF610SPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	（3w（ta），36w（tc）
IRFPC50APBF	4.2200	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC50APBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	11A（TC）	10V	580MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2100 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRF9530STRLPBF	2.6300	RFQ	371	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	12A（TC）	10V	300MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFIBC40GPBF	3.9000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFIBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFIBC40GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFP440	-	RFQ	2752	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP440	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP440	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	8.8A（TC）	10V	850MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
SIHP21N80AE-GE3	4.3500	RFQ	976	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP21	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	17.4A（TC）	10V	235mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	1388 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IRF840AS	-	RFQ	8638	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
IRF9510STRR	-	RFQ	5377	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9510	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
IRF620pbf	1.1700	RFQ	527	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF620	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRF620pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	5.2A（TC）	10V	800MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SI4210DY-T1-GE3	-	RFQ	6502	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4210	MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	6.5a		35.5MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		445pf @ 15V	逻辑级别门
IRL530	-	RFQ	3872	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL530S	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
SI7450DP-T1-E3	2.9000	RFQ	475	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7450	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	3.2A（ta）	6V，10V	80mohm @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
SUP45N03-13L-E3	-	RFQ	2190	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SUP45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道	30 V	45A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 45a，10v	3V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±10V	2730 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SIHW33N60E-GE3	6.6800	RFQ	9981	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SIHW33	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	480		n通道	600 v	33A（TC）	10V	99MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	3508 PF @ 100 V	-	278W（TC）
SI2302ADS-T1-E3	-	RFQ	9440	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2.1a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 3.6A，4.5V	1.2V @ 50µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	300 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
IRFZ24STRRPBF	1.4700	RFQ	2949	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
SIHFR420TRL-GE3	0.3669	RFQ	5844	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR420	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF9610L	-	RFQ	1325	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF9610	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRF9610L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	-
SIHF16N50C-E3	3.4104	RFQ	4716	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF16	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	16A（TC）	10V	380MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRF520STRL	-	RFQ	3890	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF520	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	9.2A（TC）	10V	270MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），60W（TC）
IRFR9220TRLPBF	2.2900	RFQ	170	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9220	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SI4511DY-T1-GE3	-	RFQ	6407	Vishay Siliconix	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4511	MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		20V	7.2a，4.6a		14.5MOHM @ 9.6A，10V	1.8V @ 250µA	18NC @ 4.5V		-	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²