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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIHP068N60EF-GE3	5.4900	RFQ	3291	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SIHP068	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-SIHP068N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	41A（TC）	10V	68mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±30V	2628 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SQJA81EP-T1_GE3	2.2400	RFQ	8879	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJA81	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）	742-SQJA81EP-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	80 V	46A（TC）	4.5V，10V	17.3mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IRF9Z30PBF-BE3	2.6200	RFQ	8	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-IRF9Z30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	50 V	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9.3A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF740pbf-be3	2.0400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-IRF740PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF740APBF-BE3	2.7800	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF740	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-IRF740APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	10A（TC）	10V	550MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF9640pbf-be3	2.0400	RFQ	674	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）	742-irf9640pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	200 v	11A（TC）	10V	500MOHM @ 6.6a，10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFBC30PBF-BE3	1.7300	RFQ	938	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-IRFBC30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRF840pbf-be3	1.9400	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-irf840pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	100		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFBG30PBF-BE3	2.5600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBG30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-IRFBG30PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	3.1A（TC）	10V	5ohm @ 1.9a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	980 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SUD15N15-95-BE3	2.2000	RFQ	6	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD15	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	742-SUD15N15-95-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	150 v	15A（TC）	6V，10V	95mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	2.7W（TA），62W（tc）
SQJ912AEP-T2_BE3	-	RFQ	8259	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ912	MOSFET （金属 o化物）	48W（TC）	POWERPAK®SO-8	-				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	30A（TC）		9.3mohm @ 9.7a，10v	2.5V @ 250µA	38nc @ 10V		1835pf @ 20V	-
IRFBC20PBF-BE3	1.4000	RFQ	977	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-IRFBC20PBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRL640pbf-be3	2.4800	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）	742-irl640pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFR420TRPBF-BE3	1.2900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SUD50P10-43L-BE3	2.6500	RFQ	4455	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	742-SUD50P10-43L-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	100 v	9.2A（ta），37.1a （TC）	4.5V，10V	43mohm @ 9.2a，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
IRF640PBF-BE3	1.9900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF640	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）	742-irf640pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFBC30APBF-BE3	3.0700	RFQ	7668	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-		（1 （无限）	742-IRFBC30APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
SUD50P08-25L-BE3	2.6900	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	80 V	12.5A（ta），50a （TC）	4.5V，10V	25.2MOHM @ 12.5A，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 40 V	-	8.3W（ta），136W（tc）
IRF820PBF-BE3	1.4000	RFQ	4606	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-irf820pbf-be3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRFB11N50APBF-BE3	2.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB11	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	742-IRFB11N50APBF-BE3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	11A（TC）	10V	520MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1423 PF @ 25 V	-	170W（TC）
SUD20N10-66L-BE3	0.8500	RFQ	8550	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD20	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	742-SUD20N10-66L-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	16.9a（TC）	4.5V，10V	66mohm @ 6.6a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 50 V	-	2.1W（ta），41.7W（tc）
SQ2308CES-T1_BE3	0.6700	RFQ	103	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SQ2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-		（1 （无限）	742-SQ2308CES-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	2.3a（TC）	4.5V，10V	150MOHM @ 2.3a，10V	2.5V @ 250µA	5.3 NC @ 10 V	±20V	205 pf @ 30 V	-	2W（TC）
SQ3457EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3457	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	-		（1 （无限）	742-SQ3457EV-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.8A（TC）	4.5V，10V	65mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	705 pf @ 15 V	-	5W（TC）
SQ4483EY-T1_BE3	1.5100	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4483	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	4500 pf @ 15 V	-	7W（TC）
SQJ488EP-T2_BE3	1.5800	RFQ	9161	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SQJ488	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	42A（TC）	4.5V，10V	21MOHM @ 7.1A，10V	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	978 PF @ 50 V	-	83W（TC）
SUD50P06-15-BE3	2.6600	RFQ	5178	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	742-SUD50P06-15-BE3CT	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），113W（tc）
SUD50P04-08-BE3	1.5000	RFQ	5751	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD50	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	（3W）（100W）（100W）TC）
SQ4284EY-T1_BE3	1.6200	RFQ	6	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4284	MOSFET （金属 o化物）	3.9W（TC）	8-SOIC	-		（1 （无限）	742-SQ4284EY-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8A（TC）		13.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 250µA	45nc @ 10V		2200pf @ 25V	-
SQ3985EV-T1_BE3	0.6900	RFQ	3146	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SQ3985	MOSFET （金属 o化物）	3W（TC）	6-TSOP	下载		（1 （无限）	742-SQ3985EV-T1_BE3CT	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3.9a（TC）		145mohm @ 2.8a，4.5V	1.5V @ 250µA	4.6NC @ 10V		350pf @ 10V	-
SUD23N06-31L-T4BE3	0.9800	RFQ	4284	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SUD23	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-		（1 （无限）	742-SUD23N06-31L-T4BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	9.1A（TA），21.4a （TC）	4.5V，10V	31mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	5.7W（TA），31.25W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²