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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SUM18N25-165-E3	-	RFQ	3948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum18	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	18A（TC）	10V	165mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
IRL3103D1STRR	-	RFQ	9981	Vishay Siliconix	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL3103	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	64A（TC）		14mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V		1900 pf @ 25 V	-	-
SIA456DJ-T1-GE3	0.9400	RFQ	8822	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	1.8V，4.5V	1.38OHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 100 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIA419DJ-T1-GE3	-	RFQ	2404	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA419	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.2V，4.5V	30mohm @ 5.9a，4.5V	850mv @ 250µA	29 NC @ 5 V	±5V	1500 pf @ 10 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SIHF15N60E-E3	3.0900	RFQ	6785	Vishay Siliconix	e	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SIHF15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		SIHF15N60EE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 100 V	-	34W（TC）
SI6963BDQ-T1-E3	-	RFQ	8660	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6963	MOSFET （金属 o化物）	830MW	8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	3.4a		45mohm @ 3.9a，4.5V	1.4V @ 250µA	11NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7145DP-T1-GE3	2.2900	RFQ	53	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7145	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 25a，10v	2.3V @ 250µA	413 NC @ 10 V	±20V	15660 pf @ 15 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
irfz14strl	-	RFQ	3531	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	10A（TC）	10V	200mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI1077X-T1-GE3	0.4900	RFQ	21	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SI1077	MOSFET （金属 o化物）		SC-89（SOT-563F）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.75A（TA）	1.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，4.5V	1V @ 250µA	31.1 NC @ 8 V	±8V	965 PF @ 10 V	-	330MW（TA）
IRFP450APBF	3.9100	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP450	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP450APBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	2038 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFBE20	-	RFQ	5800	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBE20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBE20	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	1.8A（TC）	10V	6.5OHM @ 1.1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	54W（TC）
SI8475EDB-T1-E1	-	RFQ	5763	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8475	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.9a（ta）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 1A，4.5V	1.5V @ 250µA		±12V		-	1.1W（ta），2.7W（TC）
IRL530STRRPBF	1.1925	RFQ	3756	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	15A（TC）	4V，5V	160MOHM @ 9A，5V	2V @ 250µA	28 NC @ 5 V	±10V	930 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFI510GPBF	2.1900	RFQ	977	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI510	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFI510GPBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	4.5A（TC）	10V	540MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.3 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SISB46DN-T1-GE3	0.8900	RFQ	2041	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®1212-8	SISB46	MOSFET （金属 o化物）	23W	POWERPAK®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	34A（TC）		11.71MOHM @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	11NC @ 4.5V		1100pf @ 20V	-
SI4472DY-T1-GE3	-	RFQ	5108	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4472	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	7.7A（TC）	8V，10V	45mohm @ 5a，10v	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1735 PF @ 50 V	-	3.1W（TA），5.9W（TC）
IRFP344	-	RFQ	2886	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP344	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		*IRFP344	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	450 v	9.5A（TC）	10V	630MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRLZ44SPBF	3.0600	RFQ	945	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLZ44	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）	4V，5V	28mohm @ 31a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	3300 PF @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRFBF20LPBF	1.2165	RFQ	5130	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRFBF20	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBF20LPBF	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.7A（TC）	10V	8ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），54W（TC）
irlr8103trl	-	RFQ	8605	Vishay Siliconix	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8103	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	89a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA（）	50 NC @ 5 V	±20V		-	-
SI7964DP-T1-E3	-	RFQ	3245	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7964	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	6.1a		23mohm @ 9.6a，10v	4.5V @ 250µA	65nc @ 10V		-	-
SI3586DV-T1-GE3	-	RFQ	4225	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3586	MOSFET （金属 o化物）	830MW	6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		20V	2.9a，2.1a		60mohm @ 3.4a，4.5V	1.1V @ 250µA	6NC @ 4.5V		-	逻辑级别门
SI7619DN-T1-GE3	0.8300	RFQ	89	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SI7619	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	24A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），27.8W（TC）
SQD40131EL_GE3	1.3500	RFQ	6953	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40131	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	50A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	62W（TC）
SI1471DH-T1-E3	-	RFQ	2677	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1471	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	2.7A（TC）	2.5V，10V	100mohm @ 2a，10v	1.6V @ 250µA	9.8 NC @ 4.5 V	±12V	445 pf @ 15 V	-	1.5W（TA），2.78W（tc）
VQ1006P	-	RFQ	6088	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	-	VQ1006	MOSFET （金属 o化物）	2W	14浸	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	4 n通道		90V	400mA		4.5OHM @ 1A，10V	2.5V @ 1mA	-		60pf @ 25V	逻辑级别门
SIZ904DT-T1-GE3	0.4969	RFQ	9768	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-PowerPair™	SIZ904	MOSFET （金属 o化物）	20W，33W	6-PowerPair™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）		30V	12a，16a		24mohm @ 7.8a，10v	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		435pf @ 15V	逻辑级别门
IRL640STRLPBF	2.3000	RFQ	110	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL640	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	17a（TC）	4V，5V	180mohm @ 10a，5v	2V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±10V	1800 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI5511DC-T1-E3	-	RFQ	9656	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5511	MOSFET （金属 o化物）	3.1W，2.6W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	4a，3.6a		55MOHM @ 4.8A，4.5V	2V @ 250µA	7.1nc @ 5V		435pf @ 15V	逻辑级别门
SUM120N04-1M7L-GE3	-	RFQ	2688	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±20V	11685 PF @ 20 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²