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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFU9024	-	RFQ	9072	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU9	MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU9024	Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF840AS	-	RFQ	8638	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF840AS	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1018 PF @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）
SI4632DY-T1-E3	-	RFQ	8107	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4632	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	25 v	40a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.6V @ 250µA	161 NC @ 10 V	±16V	11175 PF @ 15 V	-	3.5W（TA），7.8W（TC）
IRFI9Z24G	-	RFQ	8756	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9Z24G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	8.5A（TC）	10V	280MOHM @ 5.1A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IRFR420	-	RFQ	7345	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR420	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFR420	Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	2.4A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI2321DS-T1-E3	-	RFQ	5192	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2321	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.9a（ta）	1.8V，4.5V	57MOHM @ 3.3A，4.5V	900mv @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±8V	715 PF @ 6 V	-	710MW（TA）
SI8401DB-T1-E1	1.1800	RFQ	5653	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8401	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.47W（TA）
SI7368DP-T1-GE3	-	RFQ	8238	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7368	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	13A（TA）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	1.8V @ 250µA	25 NC @ 4.5 V	±16V		-	1.7W（TA）
BS250KL-TR1-E3	-	RFQ	1974年	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS250	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-18RM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		P通道	60 V	270mA（ta）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	3V @ 250µA	3 NC @ 15 V	±20V		-	800MW（TA）
SI4172DY-T1-GE3	-	RFQ	9689	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4172	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	820 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），4.5W（TC）
SQA403EJ-T1_GE3	0.6300	RFQ	23	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SQA403	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	10A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	1880 pf @ 10 V	-	13.6W（TC）
SI5475BDC-T1-GE3	-	RFQ	6911	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5475	MOSFET （金属 o化物）		1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	28mohm @ 5.6a，4.5V	1V @ 250µA	40 NC @ 8 V	±8V	1400 pf @ 6 V	-	2.5W（ta），6.3W（TC）
IRFI730G	-	RFQ	5850	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI730	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI730G	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	3.7A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SIA931DJ-T1-GE3	0.5300	RFQ	43	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SC-70-6双重	SIA931	MOSFET （金属 o化物）	7.8W	POWERPAK®SC-70-6双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		30V	4.5a		65mohm @ 3a，10v	2.2V @ 250µA	13nc @ 10V		445pf @ 15V	逻辑级别门
IRFI9Z14G	-	RFQ	8886	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IRFI9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFI9Z14G	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	60 V	5.3A（TC）	10V	500mohm @ 3.2a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	27W（TC）
SI5484DU-T1-GE3	-	RFQ	4333	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Chipfet™	SI5484	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	12A（TC）	2.5V，4.5V	16mohm @ 7.6A，4.5V	2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±12V	1600 PF @ 10 V	-	3.1W（TA），31W（（（（（（
SI1988DH-T1-GE3	-	RFQ	1467	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1988	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	1.3a		168mohm @ 1.4a，4.5V	1V @ 250µA	4.1NC @ 8V		110pf @ 10V	逻辑级别门
IRFP350pbf	3.8100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP350	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFP350pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	400 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）
SI3443BDV-T1-GE3	0.2588	RFQ	4809	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V		-	1.1W（TA）
SIR808DP-T1-GE3	-	RFQ	6098	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir808	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	25 v	20A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	22.8 NC @ 10 V	±20V	815 PF @ 12.5 V	-	29.8W（TC）
SI3443CDV-T1-GE3	0.5400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3443	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5.97A（TC）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.5V @ 250µA	12.4 NC @ 5 V	±12V	610 pf @ 10 V	-	2W（TA），3.2W（TC）
SI3447CDV-T1-GE3	-	RFQ	8328	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3447	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	7.8A（TC）	1.8V，4.5V	36mohm @ 6.3a，4.5V	1V @ 250µA	30 NC @ 8 V	±8V	910 PF @ 6 V	-	2W（TA），3W（tc）
IRC840pbf	-	RFQ	5093	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRC840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRC840pbf	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	电流感应	125W（TC）
IRFZ34STRR	-	RFQ	7393	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ34	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	30A（TC）	10V	50mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFBC40LCSTRR	-	RFQ	1371	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI7948DP-T1-GE3	-	RFQ	9942	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7948	MOSFET （金属 o化物）	1.4W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	3a		75MOHM @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	20NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF720STRL	-	RFQ	4420	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF720	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	400 v	3.3A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	410 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SUM18N25-165-E3	-	RFQ	3948	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum18	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	18A（TC）	10V	165mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），150W（tc）
IRL3103D1STRR	-	RFQ	9981	Vishay Siliconix	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL3103	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	64A（TC）		14mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V		1900 pf @ 25 V	-	-
SIA456DJ-T1-GE3	0.9400	RFQ	8822	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA456	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	1.8V，4.5V	1.38OHM @ 750mA，4.5V	1.4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 100 V	-	3.5W（TA），19W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²