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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFBC40LC	-	RFQ	5430	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFBC40LC	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SQD40N10-25_GE3	6.3700	RFQ	4	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SQD40	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3380 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SIHG155N60EF-GE3	4.5500	RFQ	7320	Vishay Siliconix	EF	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SIHG155	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载		（1 （无限）		742-SIHG155N60EF-GE3	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	600 v	21a（TC）	10V	149MOHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 100 V	-	179W（TC）
SI1403BDL-T1-GE3	0.5200	RFQ	19	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1403	MOSFET （金属 o化物）		SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	150MOHM @ 1.5A，4.5V	1.3V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	625MW（TA）
SI4862DY-T1-E3	1.6758	RFQ	6470	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4862	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	16 V	17A（TA）	2.5V，4.5V	3.3MOHM @ 25a，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	70 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.6W（TA）
SI2318DS-T1-BE3	0.5300	RFQ	20	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2318DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	40 V	3A（3A）	4.5V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
IRFBC30ASTRLPBF	2.9100	RFQ	789	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC30	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	2.2OHM @ 2.2A，10V	4.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	510 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IRFR220TRPBF-BE3	0.6674	RFQ	3024	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-IRFR220TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHB11N80AE-GE3	2.1800	RFQ	10	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SIHB11	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHB11N80AE-GE3	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	804 PF @ 100 V	-	78W（TC）
IRFR310TRL	-	RFQ	5428	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR310	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	400 v	1.7A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
irfr014trlpbf	1.5900	RFQ	4	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR014	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	7.7A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHFR420A-GE3	0.3624	RFQ	9283	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SIHFR420	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIHFR420A-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	500 v	3.3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRFR210TRRPBF	0.5880	RFQ	8328	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR210	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	2.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SUM120N04-1M7L-GE3	-	RFQ	2688	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum120	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	120A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	285 NC @ 10 V	±20V	11685 PF @ 20 V	-	375W（TC）
SQ4917EY-T1_GE3	1.8400	RFQ	9	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SQ4917	MOSFET （金属 o化物）	5W（TC）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	8A（TC）		48mohm @ 4.3A，10V	2.5V @ 250µA	65nc @ 10V		1910pf @ 30V	-
IRF614STRR	-	RFQ	4962	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF614	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	2.7A（TC）	10V	2ohm @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），36W（TC）
SI7476DP-T1-E3	-	RFQ	9619	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7476	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	15A（TA）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 25A，10V	3V @ 250µA	177 NC @ 10 V	±20V		-	1.9W（TA）
IRFD113	-	RFQ	3407	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD113	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	800mA（TC）	10V	800mohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1W（TC）
SI5944DU-T1-GE3	-	RFQ	5386	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®CHIPFET™双重	SI5944	MOSFET （金属 o化物）	10W	PowerPak®Chipfet双重	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	6a		112MOHM @ 3.3A，10V	3V @ 250µA	6.6nc @ 10V		210pf @ 20V	逻辑级别门
IRFBC20SPBF	2.9100	RFQ	4392	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFBC20	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	2.2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
SI7949DP-T1-GE3	1.6400	RFQ	9164	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SI7949	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		60V	3.2a		64mohm @ 5A，10V	3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
IRF820STRL	-	RFQ	4930	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF820	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），50W（TC）
IRFR9024Trl	-	RFQ	9679	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIR878ADP-T1-GE3	-	RFQ	1080	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir878	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	40a（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 15a，10v	2.8V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 50 V	-	5W（5W），44.5W（TC）
IRF2807ZSTRL	-	RFQ	5450	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF2807	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
SISHA18ADN-T1-GE3	0.8100	RFQ	12	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8SH		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8SH	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	22a（22a），60a（tc）	4.5V，10V	4.6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	+20V，-16V	1650 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），26.5W（tc）
SUM65N20-30-E3	4.8900	RFQ	7	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	sum65	MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	65A（TC）	10V	30mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），375W（tc）
IRFD113PBF	2.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD113	MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100		n通道	60 V	800mA（TC）	10V	800mohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1W（TC）
IRCZ24PBF	-	RFQ	4824	Vishay Siliconix	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5	IRCZ24	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*IRCZ24PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	55 v	17a（TC）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 25 V	电流感应	60W（TC）
IRF644STRL	-	RFQ	8130	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²