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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRFR9024PBF-BE3	0.8874	RFQ	5679	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9024	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irfr9024pbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	8.8A（TC）	10V	280MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIHP6N40D-BE3	1.1400	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	50		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	311 PF @ 100 V	-	104W（TC）
SI2319DS-T1-BE3	0.7100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	40 V	2.3a（ta）	4.5V，10V	82MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 20 V	-	750MW（TA）
SQJB70EP-T1_BE3	0.8700	RFQ	7820	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJB70	MOSFET （金属 o化物）	27W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJB70EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		100V	11.3A（TC）		95MOHM @ 4A，10V	3.5V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 25V	-
SIHP065N60E-BE3	7.2600	RFQ	1	Vishay Siliconix	e	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	40a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SQJ486EP-T1_BE3	1.2200	RFQ	2523	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	75 v	30A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 5.9a，10v	2.1V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1386 pf @ 37 V	-	56W（TC）
SQJ416EP-T1_BE3	0.9900	RFQ	9202	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ416EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	27a（TC）	10V	30mohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFR220TRPBF-BE3	0.6674	RFQ	3024	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-IRFR220TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI3469DV-T1-BE3	0.6600	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载		（1 （无限）		742-SI3469DV-T1-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	5A（5A）	4.5V，10V	30mohm @ 6.7a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V		-	1.14W（TA）
SIHFBC40AS-GE3	1.7700	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）		742-SIHFBC40AS-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±30V	1036 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SIHD14N60ET4-GE3	2.3200	RFQ	2	Vishay Siliconix	e	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	309MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	1205 pf @ 100 V	-	147W（TC）
SI2337DS-T1-BE3	1.0100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2337DS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	80 V	1.2A（ta），2.2a（2a）TC）	6V，10V	270MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 40 V	-	（760MW）（TA），2.5W（tc）
SQJ992EP-T2_GE3	0.9600	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ992	MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	15A（TC）		56.2MOHM @ 3.7A，10V	2.5V @ 250µA	12nc @ 10V		446pf @ 30V	-
IRF840LCPBF-BE3	2.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF840	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
SI2323DS-T1-BE3	0.7400	RFQ	1377年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	3.7a（ta）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
IRFR214TRPBF-BE3	0.6159	RFQ	9943	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR214	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-IRFR214TRPBF-BE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFR320TRPBF-BE3	1.7900	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SI6954ADQ-T1-BE3	1.1800	RFQ	4755	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6954	MOSFET （金属 o化物）	830MW（TA）	8-tssop	下载		（1 （无限）		742-SI6954ADQ-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	3.1a（ta）		53MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	16NC @ 10V		-	-
SI6926ADQ-T1-BE3	1.2500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	SI6926	MOSFET （金属 o化物）	830MW（TA）	8-tssop	下载		（1 （无限）		742-SI6926ADQ-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	4.1a（ta）		30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	10.5NC @ 4.5V		-	-
SQJ860EP-T1_BE3	0.9600	RFQ	3561	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8	下载		（1 （无限）		742-SQJ860EP-T1_BE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	48W（TC）
SI2312BDS-T1-BE3	0.5700	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载		（1 （无限）		742-SI2312BDS-T1-BE3TR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	31MOHM @ 5A，4.5V	850mv @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±8V		-	750MW（TA）
SIHB30N60ET5-GE3	6.0700	RFQ	800	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	29A（TC）	10V	125mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 100 V	-	250W（TC）
IRLR110TRPBF-BE3	0.6321	RFQ	1917年	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR110	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irlr110trpbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	100 v	4.3A（TC）	4V，5V	540MOHM @ 2.6a，5V	2V @ 250µA	6.1 NC @ 5 V	±10V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
SIHA25N50E-GE3	3.2000	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	500 v	26a（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1980 pf @ 100 V	-	35W（TC）
irfr220pbf-be3	0.6674	RFQ	6996	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR220	MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载				742-irfr220pbf-be3tr	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	200 v	4.8A（TC）	10V	800MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIDR402EP-T1-RE3	2.5200	RFQ	1279	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8		MOSFET （金属 o化物）		POWERPAK®SO-8DC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIDR402EP-T1-RE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	65.2A（TA），291a （TC）	4.5V，10V	0.88MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	165 NC @ 10 V	+20V，-16V	9100 PF @ 20 V	-	7.5W（ta），150W（TC）
SQJQ150E-T1_GE3	2.2200	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	PowerPak®8X8		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®8X8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SQJQ150E-T1_GE3TR	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	233a（TC）	10V	1.9mohm @ 20a，10v	3.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	4643 PF @ 25 V	-	187W（TC）
SIB4317EDK-T1-GE3	0.4500	RFQ	3	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-75-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-75-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIB4317EDK-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	4.3a（ta），4.5a tc（TC）	2.5V，10V	65mohm @ 3a，10v	1.3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±12V	600 pf @ 15 V	-	1.95W（ta），10W（10W）TC）
SIA4371EDJ-T1-GE3	0.5300	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6		MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		742-SIA4371EDJ-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.4a（ta），9a （TC）	2.5V，10V	45mohm @ 3.7A，10V	1.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±12V		-	2.9W（TA），15.6W（TC）
SI2393DS-T1-GE3	0.5000	RFQ	8975	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SI2393	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	742-SI2393DS-T1-GE3TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	6.1a（ta），7.5a tc）	4.5V，10V	22.7MOHM @ 5A，10V	2.2V @ 250µA	25.2 NC @ 10 V	+16V，-20V	980 pf @ 15 V	-	1.3W（ta），2.5W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²