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离散半导体产品（（5717）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
SIE822DF-T1-E3	-	RFQ	9308	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-Polarpak®（S）	SIE822	MOSFET （金属 o化物）		10-Polarpak®（S）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	50A（TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 18.3a，10v	3V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 10 V	-	5.2W（ta），104W（tc）
SIR182DP-T1-RE3	1.6600	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®Geniv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir182	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	7.5V，10V	2.8mohm @ 15a，10v	3.6V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3250 pf @ 30 V	-	69.4W（TC）
SI7489DP-T1-E3	2.6600	RFQ	36	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	SI7489	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	28a（TC）	4.5V，10V	41MOHM @ 7.8A，10V	3V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 50 V	-	5.2W（ta），83w（tc）
IRFBC40pbf	2.4100	RFQ	2	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBC40	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBC40PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
SI4354DY-T1-E3	-	RFQ	4280	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4354	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	9.5A（TA）	4.5V，10V	16.5MOHM @ 9.5A，10V	1.6V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±12V		-	2.5W（TA）
SIR403EDP-T1-GE3	0.9000	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir403	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	40a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 13A，10V	2.8V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±25V	4620 PF @ 15 V	-	5W（5W），56.8W（TC）
SI3456DDV-T1-E3	0.4300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	SI3456	MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6.3a（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	325 pf @ 15 V	-	1.7W（ta），2.7W（TC）
IRFBF30PBF	2.8800	RFQ	822	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFBF30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFBF30PBF	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	3.6A（TC）	10V	3.7OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRL630pbf	2.3500	RFQ	4949	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRL630	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRL630pbf	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	200 v	9A（TC）	4V，5V	400MOHM @ 5.4A，5V	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	1100 PF @ 25 V	-	74W（TC）
VP0808B-2	-	RFQ	2354	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	VP0808	MOSFET （金属 o化物）		到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		P通道	80 V	880mA（TA）	10V	5ohm @ 1A，10V	4.5V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	6.25W（TA）
SIHA30N60AEL-GE3	-	RFQ	6319	Vishay Siliconix	El	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	Siha30	MOSFET （金属 o化物）		TO-220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	28a（TC）	10V	120mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 100 V	-	39W（TC）
SQJ960EP-T1_GE3	2.1700	RFQ	2	Vishay Siliconix	汽车，AEC-Q101，Trenchfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	POWERPAK®SO-8	SQJ960	MOSFET （金属 o化物）	34W	POWERPAK®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	8a		36mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		735pf @ 25V	逻辑级别门
IRF530STRRPBF	1.7300	RFQ	728	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF530	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	100 v	14A（TC）	10V	160MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	670 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），88W（TC）
IRFR320Tr	-	RFQ	9434	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR320	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	400 v	3.1A（TC）	10V	1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
SIS410DN-T1-GE3	1.0700	RFQ	9	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®1212-8	SIS410	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®1212-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 10 V	-	3.8W（TA），52W（TC）
IRFR120TRR	-	RFQ	5398	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR120	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	7.7A（TC）	10V	270MOHM @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
IRF9540STRR	-	RFQ	2977	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9540	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	3.7W（TA），150W（tc）
IRF9Z14STRR	-	RFQ	7722	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9Z14	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		P通道	60 V	6.7A（TC）	10V	500MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	3.7W（ta），43W（tc）
SI1970DH-T1-GE3	-	RFQ	7197	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SI1970	MOSFET （金属 o化物）	1.25W	SC-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	1.3a		225mohm @ 1.2A，4.5V	1.6V @ 250µA	3.8NC @ 10V		95pf @ 15V	逻辑级别门
SIA433EDJ-T1-GE3	0.7100	RFQ	9587	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA433	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	12A（TC）	1.8V，4.5V	18mohm @ 7.6a，4.5V	1.2V @ 250µA	75 NC @ 8 V	±12V		-	3.5W（TA），19W（tc）
SI4816BDY-T1-GE3	1.6400	RFQ	2261	Vishay Siliconix	Littlefoot®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4816	MOSFET （金属 o化物）	1W，1.25W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）		30V	5.8a，8.2a		18.5mohm @ 6.8a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 5V		-	逻辑级别门
SI9424BDY-T1-E3	-	RFQ	3642	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9424	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	5.6a（ta）	2.5V，4.5V	25mohm @ 7.1a，4.5V	850mv @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±9V		-	1.25W（TA）
SIR662DP-T1-GE3	2.0100	RFQ	4505	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®SO-8	Sir662	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®SO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	60a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	4365 PF @ 30 V	-	6.25W（TA），104W（tc）
SIA418DJ-T1-GE3	-	RFQ	9866	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	PowerPak®Sc-70-6	SIA418	MOSFET （金属 o化物）		PowerPak®Sc-70-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	12A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 9a，10v	2.4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 15 V	-	3.5W（TA），19W（tc）
SI5509DC-T1-GE3	-	RFQ	3837	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5509	MOSFET （金属 o化物）	4.5W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	6.1a，4.8a		52MOHM @ 5A，4.5V	2V @ 250µA	6.6nc @ 5V		455pf @ 10V	逻辑级别门
IRFP450A	-	RFQ	8961	Vishay Siliconix	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP450	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP450A	Ear99	8541.29.0095	500		n通道	500 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±30V	2038 PF @ 25 V	-	190w（TC）
IRFPC50APBF	4.2200	RFQ	5	Vishay Siliconix	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC50	MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		*IRFPC50APBF	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	11A（TC）	10V	580MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	2100 PF @ 25 V	-	180W（TC）
SI8405DB-T1-E1	-	RFQ	9954	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，CSPBGA	SI8405	MOSFET （金属 o化物）		4微米	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	12 v	3.6a（ta）	1.8V，4.5V	55mohm @ 1A，4.5V	950mv @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V		-	1.47W（TA）
SI5504BDC-T1-GE3	1.0000	RFQ	48	Vishay Siliconix	Trechfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	SI5504	MOSFET （金属 o化物）	3.12W，3.1W	1206-8 chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		30V	4a，3.7a		65mohm @ 3.1a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 10V		220pf @ 15V	逻辑级别门
IRF610STRRPBF	1.0272	RFQ	1420	Vishay Siliconix	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	（3w（ta），36w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5717）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²