分立半导体产品(5717)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
SIR158DP-T1-RE3	1.7900	询价	2	威世硅科	TrenchFET® 第三代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR158	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	1.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	130nC@10V	±20V	4980pF@15V	-	83W（温度）
SI4800BDY-T1-E3	0.9200	询价	4	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4800	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	30V	6.5A（塔）	4.5V、10V	18.5毫欧@9A，10V	1.8V@250μA	13nC@5V	±25V		-	1.3W（塔）
SIA440DJ-T1-GE3	0.4800	询价	27号	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	SIA440	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	12A（温度）	2.5V、10V	26毫欧@9A，10V	1.4V@250μA	10V时为21.5nC	±12V	700pF@20V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
SIHB16N50C-E3	6.4600	询价	第947章	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB16	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500伏	16A（温度）	10V	380毫欧@8A，10V	5V@250μA	68nC@10V	±30V	1900pF@25V	-	250W（温度）
SQJ460AEP-T1_GE3	1.5100	询价	2334	威世硅科	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ460	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	32A（温度）	4.5V、10V	9.6毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	10V时为106nC	±20V	4795pF@25V	-	83W（温度）
SI4451DY-T1-GE3	-	询价	7346	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4451	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道	12V	10A（塔）	1.8V、4.5V	8.25毫欧@14A，4.5V	800mV@850μA	120nC@4.5V	±8V		-	1.5W（塔）
SI7611DN-T1-GE3	1.6400	询价	3561	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® 1212-8	SI7611	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	18A（温度）	4.5V、10V	25毫欧@9.3A，10V	3V@250μA	62nC@10V	±20V	1980pF@20V	-	3.7W（Ta）、39W（Tc）
IRF840LCPBF	2.2000年	询价	5	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF840	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		*IRF840LCPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500伏	8A（温度）	10V	850毫欧@4.8A，10V	4V@250μA	39nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	125W（温度）
IRF730	-	询价	9631	威世硅科	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF730	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3.3A，10V	4V@250μA	38nC@10V	±20V	700pF@25V	-	74W（温度）
SIHFR120-GE3	0.7000	询价	1	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100V	7.7A（温度）	10V	270毫欧@4.6A，10V	4V@250μA	16nC@10V	±20V	360pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
SI3459BDV-T1-E3	0.8300	询价	3	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	SI3459	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	2.9A（温度）	4.5V、10V	216毫欧@2.2A，10V	3V@250μA	12nC@10V	±20V	350pF@30V	-	3.3W（温度）
SI4804CDY-T1-GE3	0.7600	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4804	MOSFET（金属O化物）	3.1W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	8A		22毫欧@7.5A，10V	2.4V@250μA	23nC@10V		865pF@15V	-
SIR122DP-T1-RE3	0.9800	询价	第725章	威世硅科	TrenchFET®第四代	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SIR122	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	16.7A（Ta）、59.6A（Tc）	7.5V、10V	7.4毫欧@10A、10V	3.8V@250μA	44nC@10V	±20V	1950pF@40V	-	5.2W（Ta）、65.7W（Tc）
SI1922EDH-T1-BE3	0.4100	询价	2	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SI1922	MOSFET（金属O化物）	740mW（Ta）、1.25W（Tc）	SC-70-6	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	1.3A（Ta）、1.3A（Tc）		198毫欧@1A，4.5V	1V@250μA	2.5nC@8V		-	-
IRF624STRR	-	询价	3611	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IRF624	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	250伏	4.4A（温度）	10V	1.1欧姆@2.6A，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	3.1W（Ta）、50W（Tc）
SQP120P06-6M7L_GE3	-	询价	7565	威世硅科	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3	SQP120			TO-220AB	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50				119A（TC）
SI4340DY-T1-E3	-	询价	9910	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4340	MOSFET（金属O化物）	1.14W、1.43W	14-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		20V	7.3A、9.9A		12毫欧@9.6A，10V	2V@250μA	15nC@4.5V		-	逻辑电平门
SIHB24N80AE-GE3	3.5600	询价	4	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SIHB24	MOSFET（金属O化物）		D²PAK (TO-263)	下载		1（无限制）		742-SIHB24N80AE-GE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	21A（温度）		184mOhm@10A，10V	4V@250μA	89nC@10V	±30V	1836pF@100V	-	208W（温度）
SI4544DY-T1-GE3	-	询价	1086	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4544	MOSFET（金属O化物）	2.4W	8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	N 和 P 沟道，共漏极		30V	-		35毫欧@6.5A，10V	1V@250μA（最低）	35nC@10V		-	逻辑电平门
SQJA02EP-T1_GE3	1.4600	询价	2	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJA02	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	60A（温度）	10V	4.8毫欧@10A、10V	3.5V@250μA	80nC@10V	±20V	4700pF@25V	-	68W（温度）
SQJ407EP-T1_GE3	1.4800	询价	6300	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SO-8	SQJ407	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SO-8	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	60A（温度）	4.5V、10V	4.4毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	260nC@10V	±20V	10700pF@25V	-	68W（温度）
SQJ914EP-T1_BE3	1.3000	询价	2763	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SQJ914	MOSFET（金属O化物）	27W（温度）	PowerPAK® SO-8 双	下载		1（无限制）		742-SQJ914EP-T1_BE3TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	30A（温度）		12毫欧@4.5A，10V	2.5V@250μA	25nC@10V		1110pF@15V	-
SIA444DJT-T1-GE3	-	询价	6755	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	PowerPAK® SC-70-6	SIA444	MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	12A（温度）	4.5V、10V	17毫欧@7.4A，10V	2.2V@250μA	15nC@10V	±20V	560pF@15V	-	3.5W（Ta）、19W（Tc）
SQS180ENW-T1_GE3	1.0600	询价	9668	威世硅科	汽车、AEC-Q101、TrenchFET® GenIV	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装，可湿侧面	PowerPAK® 1212-8SLW		MOSFET（金属O化物）		PowerPAK® 1212-8SLW	-	符合ROHS3标准	1（无限制）					3,000		N沟道	80V	72A（温度）	10V	8.67毫欧@10A、10V	3.5V@250μA	56nC@10V	±20V	3092pF@25V	-	119W（温度）
SI4058DY-T1-GE3	0.6200	询价	3764	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	SI4058	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100V	10.3A（温度）	4.5V、10V	26毫欧@10A，10V	2.8V@250μA	18nC@10V	±20V	690pF@50V	-	5.6W（温度）
SUD50N10-34P-T4-E3	-	询价	6384	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	50苏丹元	MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100V	5.9A（Ta）、20A（Tc）	6V、10V	34毫欧@7A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	1800pF@25V	-	2.5W（Ta）、56W（Tc）
SI1056X-T1-E3	-	询价	第1187章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SI1056	MOSFET（金属O化物）		SC-89 (SOT-563F)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	1.32A（塔）	1.8V、4.5V	89毫欧@1.32A，4.5V	950mV@250μA	5V时为8.7nC	±8V	400pF@10V	-	236mW（塔）
IRF624PBF-BE3	0.8831	询价	9980	威世硅科	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF624	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		742-IRF624PBF-BE3	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	250伏	4.4A（温度）		1.1欧姆@2.6A，10V	4V@250μA	14nC@10V	±20V	260pF@25V	-	50W（温度）
SI7540ADP-T1-GE3	1.7500	询价	第574章	威世硅科	TrenchFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55℃～150℃	表面贴装	PowerPAK® SO-8 双	SI7540	-	3.5W	PowerPAK® SO-8 双	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道		20V	12A、9A		28毫欧@12A，10V	1.4V@250μA	48nC@10V		1310pF@10V	-
2N7002E-T1-E3	0.6400	询价	第1582章	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3 (TO-236)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	240mA（塔）	4.5V、10V	3欧姆@250mA，10V	2.5V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	21pF@5V	-	350毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(5717)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²