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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXTY1R4N120PHV	2.0793	RFQ	6324	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1200 v	1.4A（TC）	10V	13ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 100µA	24.8 NC @ 10 V	±30V	666 pf @ 25 V	-	86W（TC）
DSEP6-06BS-tub	1.4843	RFQ	5468	ixys	-	管子	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DSEP6		标准			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DSEP6-06BS-TUB	Ear99	8541.10.0080	70	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v		2.66 V @ 6 A	15 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	5pf @ 400V，1MHz
MDD312-18N1	158.6300	RFQ	3635	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y1-CU	MDD312		标准			Y1-CU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1对系列连接	1800 v	310a	1.32 V @ 600 A		30 ma @ 1800 V	-40°C〜150°C
IXFP16N85X	8.2366	RFQ	1175	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-	-	-	IXFP16		-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp16n85x	Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
IXTH58N25L2	23.7067	RFQ	4298	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth58		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixth58n25l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	58A（TC）	10V	64mohm @ 29a，10v	4.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFT150N20T	18.8863	RFQ	6479	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT150		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	150a（TC）	10V	15mohm @ 75a，10v	5V @ 4mA	177 NC @ 10 V	±20V	11700 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXGX120N60B	-	RFQ	4390	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX120	标准		660 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q2675300	Ear99	8541.29.0095	30			480V，100A，2.4OHM，15V																							pt	600 v	200 a	300 a	2.1V @ 15V，120a	2.4MJ（在）上，5.5MJ off）	350 NC	60NS/200NS
IXFP20N50P3M	4.8100	RFQ	57	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp20n50p3m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	8A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IXTP60N10T	2.8400	RFQ	23	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	60a（TC）	10V	18mohm @ 25a，10v	4.5V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±30V	2650 pf @ 25 V	-	176W（TC）
DSSK28-006B	-	RFQ	8960	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DSSK28		肖特基			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	60 V	15a	560 mv @ 15 A		10 mA @ 60 V	-55°C〜150°C
MDD810-12N2	-	RFQ	9202	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	模块			标准			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDD810-12N2	Ear99	8541.10.0080	4	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1对系列连接	1200 v	807a	1.24 V @ 2000 A	16.5 µs	50 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C
IXFV20N80P	-	RFQ	9121	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV20		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXA30RG1200DHG-TUB	17.4855	RFQ	3188	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA30	标准		147 w		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			600V，25a，39ohm，15V																							-	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a	2.5mj（在）上，3MJ（3mj）	76 NC	70NS/250NS
IXFT50N50P3	12.1500	RFQ	20	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft50n50p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	50A（TC）	10V	120mohm @ 25a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 0 V	±30V	4335 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXFR180N07	-	RFQ	7250	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		70 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	417W（TC）
MCC501-14IO1	-	RFQ	1744年	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	WC-501	MCC501				系列连接 -scr		下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1														1.4 kV	-										2 scr
IXTA140N055T2	2.7438	RFQ	3615	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta140		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta140n055t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	140a（TC）	10V	5.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	4760 pf @ 25 V	-	250W（TA）
IXYH24N90C3D1	12.5800	RFQ	31	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh24	标准		200 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，24A，10OHM，15V																	340 ns						-	900 v	44 a	105 a	2.7V @ 15V，24a	1.35MJ（在）上，400µJ（（）	40 NC	20N/73NS
IXGK55N120A3H1	19.0439	RFQ	3149	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK55	标准		460 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，55a，3ohm，15V																	200 ns						pt	1200 v	125 a	400 a	2.3V @ 15V，55a	5.1mj（在）上，13.3mj off）	185 NC	23ns/365ns
IXFH90N20X3	9.5300	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH90		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXTN320N10T	-	RFQ	8984	ixys	-	管子	过时的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN320		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	320a（TC）	10V	-	4.5V @ 1mA		±20V		-	680W（TC）
DFE10I600PM	2.2200	RFQ	15	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	DFE10		标准			TO-220ACFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v		1.5 V @ 10 A	35 ns	20 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	10a	-
MDD310-16N1	127.0000	RFQ	4598	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y2-DCB	MDD310		标准			Y2-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1对系列连接	1600 v	305a	1.2 V @ 600 A		40 mA @ 1600 V	-40°C〜150°C
IXTT34N65X2HV	7.0695	RFQ	7634	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt34		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	34A（TC）	10V	96mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
DPG30I600PM	2.7034	RFQ	9351	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	DPG30I600		标准			TO-220ACFP	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DPG30I600PM	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v		2.52 V @ 30 A	25 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	15a	26pf @ 400V，1MHz
IXFK33N50	-	RFQ	1413	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK33		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	33A（TC）	10V	160MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 4mA	227 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
DNA30ER2200IY	5.2100	RFQ	74	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-262-2，I²Pak	DNA30er2200		标准			TO-262（I2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DNA30ER2200IY	Ear99	8541.10.0080	50	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																2200 v		1.26 V @ 30 A		40 µA @ 2200 V	-55°C 〜175°C	30a	7pf @ 700V，1MHz
IXTQ240N055T	-	RFQ	7267	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ240		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	240a（TC）	10V	3.6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
DPG30C200pb	3.1300	RFQ	30	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DPG30C200		标准			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1对普通阴极	200 v	15a	1.26 V @ 15 A	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
IXFT180N20X3HV	18.4800	RFQ	5674	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT180		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	180a（TC）	10V	7.5MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 4mA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	780W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²