SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
IXFB170N30P IXYS IXFB170N30P 31.4408
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFB170 MOSFET （金属 o化物） 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 170a（TC） 10V 18mohm @ 85a，10v 4.5V @ 1mA 258 NC @ 10 V ±20V 20000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXFH12N90P IXYS IXFH12N90P 10.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH12 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 12A（TC） 10V 900mohm @ 6a，10v 6.5V @ 1mA 56 NC @ 10 V ±30V 3080 pf @ 25 V - 380W（TC）
IXFK250N10P IXYS IXFK250N10P 24.5300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK250 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 250A（TC） 10V 6.5MOHM @ 50a，10v 5V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 16000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXFK40N90P IXYS IXFK40N90P 29.8700
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK40 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 900 v 40a（TC） 10V 230mohm @ 20a，10v 6.5V @ 1mA 230 NC @ 10 V ±30V 14000 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXFN300N10P IXYS IXFN300N10P 48.2300
RFQ
 ECAD 6259 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN300 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 295a（TC） 10V 5.5MOHM @ 50a，10v 5V @ 8mA 279 NC @ 10 V ±20V 23000 PF @ 25 V - 1070W（TC）
IXFN56N90P IXYS IXFN56N90P 61.8500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN56 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 56A（TC） 10V 135mohm @ 28a，10v 6.5V @ 3mA 375 NC @ 10 V ±30V 23000 PF @ 25 V - 1000W（TC）
IXTC62N15P IXYS ixtc62n15p -
RFQ
 ECAD 9751 0.00000000 ixys Polarht™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ ixtc62 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 36a（TC） 10V 45mohm @ 31a，10v 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTQ28N15P IXYS ixtq28n15p -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 ixtq28 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 - - - - -
IXBH2N250 IXYS IXBH2N250 66.4200
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH2 标准 32 W TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 920 ns - 2500 v 5 a 13 a 3.5V @ 15V，2a - 10.6 NC -
IXTH6N50D2 IXYS IXTH6N50D2 9.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth6 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 6A（TC） - 500mohm @ 3a，0v - 96 NC @ 5 V ±20V 2800 PF @ 25 V 耗尽模式 300W（TC）
IXBX25N250 IXYS IXBX25N250 44.2800
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXBX25 标准 300 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 621487 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.6 µs - 2500 v 55 a 180 a 3.3V @ 15V，25a - 103 NC -
IXTP08N50D2 IXYS IXTP08N50D2 2.4900
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp08 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 800mA（TC） - 4.6ohm @ 400mA，0v - 12.7 NC @ 5 V ±20V 312 PF @ 25 V 耗尽模式 60W（TC）
IXTP08N100D2 IXYS IXTP08N100D2 2.4900
RFQ
 ECAD 1851年 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp08 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 800mA（TC） - 21ohm @ 400mA，0v - 14.6 NC @ 5 V ±20V 325 pf @ 25 V 耗尽模式 60W（TC）
IXBF32N300 IXYS IXBF32N300 81.7300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） IXBF32 标准 160 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - 1.5 µs - 3000 v 40 a 250 a 3.2V @ 15V，32a - 142 NC -
IXBT12N300 IXYS IXBT12N300 23.7863
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT12 标准 160 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.4 µs - 3000 v 30 a 100 a 3.2V @ 15V，12A - 62 NC -
IXFK240N15T2 IXYS IXFK240N15T2 21.7200
RFQ
 ECAD 1242 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK240 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 150 v 240a（TC） 10V 5.2MOHM @ 60a，10V 5V @ 8mA 460 NC @ 10 V ±20V 32000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXFT18N90P IXYS IXFT18N90P -
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft18 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 18A（TC） 10V 600mohm @ 500mA，10v 6.5V @ 1mA 97 NC @ 10 V ±30V 5230 PF @ 25 V - 540W（TC）
IXFX320N17T2 IXYS IXFX320N17T2 32.2000
RFQ
 ECAD 8250 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX320 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 170 v 320a（TC） 10V 5.2MOHM @ 60a，10V 5V @ 8mA 640 NC @ 10 V ±20V 45000 PF @ 25 V - 1670W（TC）
CLA50E1200TC-TRL IXYS CLA50E1200TC-TRL 8.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA CLA50 TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 400 75 MA 1.2 kV 79 a 1.5 v 550a，595a 50 mA 1.6 v 50 a 50 µA 标准恢复
CS20-25MO1F IXYS CS20-25MO1F 44.7200
RFQ
 ECAD 8250 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） CS20 ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 2.5 kV - 标准恢复
DGS10-018AS-TUB IXYS DGS10-018AS-TUB -
RFQ
 ECAD 5711 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DGS10 肖特基 TO-263AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 180 v 1.1 V @ 5 A 1.3 ma @ 180 V -55°C 〜175°C 15a -
DGSK20-025AS-TUB IXYS DGSK20-025AS-tub -
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DGSK20 肖特基 TO-263AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 250 v 12a 1.5 V @ 5 A 1.3 ma @ 250 V -55°C 〜175°C
DHG100X1200NA IXYS DHG100X1200NA 38.8300
RFQ
 ECAD 3520 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DHG100 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -DHG100X1200NA Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1200 v 50a 2.16 V @ 50 A 75 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C
DHG60I1200HA IXYS DHG60I1200HA 7.8683
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DHG60 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 2.32 V @ 60 A 200 ns 125 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 60a -
DHG60I600HA IXYS DHG60I600HA 16.3887
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DHG60 标准 TO-247 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v -55°C〜150°C 60a -
DPF240X200NA IXYS DPF240x200NA 40.1530
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DPF240 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 200 v 120a -40°C〜150°C
DSEC29-02AS-TUB IXYS DSEC29-02AS-TUB -
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 过时的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSEC29 标准 TO-263AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 15a 1.06 V @ 15 A 25 ns 100 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
DSEC59-06BC IXYS DSEC59-06BC 9.4224
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 ISOPLUS220™ DSEC59 标准 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 30a 2.51 V @ 30 A 30 ns 250 µA @ 600 V -40°C〜175°C
DSEI8-06AS-TUB IXYS DSEI8-06AS-TUB 2.3362
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 ixys 弗雷德 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSEI8 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 20 µA @ 600 V -40°C〜150°C 8a -
DSI30-08AS-TUB IXYS DSI30-08AS-TUB 2.9700
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSI30 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.29 V @ 30 A 40 µA @ 800 V -40°C〜175°C 30a 10pf @ 400V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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