SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IXTH52N65X IXYS IXTH52N65X 10.0070
RFQ
ECAD 6997 0.00000000 ixys Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixth52 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 52A(TC) 10V 68mohm @ 26a,10v 5V @ 250µA 113 NC @ 10 V ±30V 4350 pf @ 25 V - 660W(TC)
IXFT50N30Q3 IXYS IXFT50N30Q3 15.3200
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft50 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixft50n30q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 50A(TC) 10V 80Mohm @ 25a,10v 6.5V @ 4mA 65 NC @ 10 V ±20V 3165 PF @ 25 V - 690W(TC)
IXFK24N100Q3 IXYS IXFK24N100Q3 28.9700
RFQ
ECAD 60 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK24 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1000 v 24A(TC) 10V 440MOHM @ 12A,10V 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 1000W(TC)
IXFX120N65X2 IXYS IXFX120N65X2 24.8600
RFQ
ECAD 243 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX120 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 120A(TC) 10V 24mohm @ 60a,10v 5.5V @ 8mA 225 NC @ 10 V ±30V 15500 pf @ 25 V - 1250W(TC)
IXTA4N65X2 IXYS ixta4n65x2 3.0400
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta4 MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A(TC) 10V 850MOHM @ 2A,10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W(TC)
IXTY4N65X2 IXYS IXTY4N65X2 2.7700
RFQ
ECAD 50 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty4 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixty4N65x2 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 650 v 4A(TC) 10V 850MOHM @ 2A,10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W(TC)
IXXH30N60B3 IXYS IXXH30N60B3 5.0815
RFQ
ECAD 8055 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXXH30 标准 270 w TO-247AD(IXXH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,24a,10ohm,15V pt 600 v 60 a 115 a 1.85V @ 15V,24a (550µJ)(在500µJ)上(500µJ) 39 NC 23ns/97ns
FID60-06D IXYS FID60-06D -
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 FID60 标准 200 w ISOPLUS I4-PAC™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 300V,30a,22ohm,15V 70 ns npt 600 v 65 a 2V @ 15V,30a 1MJ(在)上,1.4MJ(OFF) 120 NC -
IXBF40N160 IXYS IXBF40N160 25.4324
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 (3个线索) IXBF40 标准 250 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 960V,25a,22ohm,15V - 1600 v 28 a 7.1V @ 15V,20A - 130 NC -
IXBF9N160G IXYS IXBF9N160G -
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 (3个线索) IXBF9N160 标准 70 W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 960V,5A,27OHM,10V - 1600 v 7 a 7V @ 15V,5A - 34 NC -
IXBH14N250 IXYS IXBH14N250 -
RFQ
ECAD 4112 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXBH14 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 2500 v - - -
IXBH9N160G IXYS IXBH9N160G -
RFQ
ECAD 3459 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXBH9N160 标准 100 W TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,5A,27OHM,10V - 1600 v 9 a 10 a 7V @ 15V,5A - 34 NC -
IXBN42N170A IXYS IXBN42N170A 41.0930
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXBN42 312 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1700 v 42 a 6V @ 15V,21a 50 µA 3.5 nf @ 25 V
IXDR30N120D1 IXYS IXDR30N120D1 12.9400
RFQ
ECAD 8336 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixdr30 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,30a,47ohm,15V 40 ns npt 1200 v 50 a 60 a 2.9V @ 15V,30a 4.6mj(在)上,3.4MJ off) 120 NC -
IXEL40N400 IXYS IXEL40N400 134.1500
RFQ
ECAD 167 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 isoplusi5-pak™ ixel40 标准 380 w isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q6074758 Ear99 8541.29.0095 25 2800V,40a,33ohm,15V - 4000 v 90 a 400 a 3.2V @ 15V,40a (55MJ)(165MJ)(OFF) 275 NC 160NS/630NS
IXFA3N80 IXYS IXFA3N80 -
RFQ
ECAD 1743年 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixfa3 MOSFET (金属 o化物) TO-263AA(IXFA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 3.6A(TC) 10V 3.6ohm @ 500mA,10v 4.5V @ 1mA 24 NC @ 10 V ±20V 685 pf @ 25 V - 100W(TC)
IXFB60N80P IXYS IXFB60N80P 29.5100
RFQ
ECAD 3158 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFB60 MOSFET (金属 o化物) 加上264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 800 v 60a(TC) 10V 140mohm @ 30a,10v 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 18000 PF @ 25 V - 1250W(TC)
VUO62-14NO7 IXYS VUO62-14NO7 39.1100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 PWS-D VUO62 标准 PWS-D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 150 A 300 µA @ 1400 V 63 a 三期 1.4 kV
VUO62-16NO7 IXYS VUO62-16NO7 38.3000
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 PWS-D VUO62 标准 PWS-D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VUO6216NO7 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 63 a 三期 1.6 kV
VUO80-14NO1 IXYS VUO80-14NO1 -
RFQ
ECAD 4385 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 v1-a VUO80 标准 v1-a 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 24 1.14 V @ 30 A 40 µA @ 1400 V 82 a 三期 1.4 kV
VUO80-18NO1 IXYS VUO80-18NO1 35.1342
RFQ
ECAD 9438 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 v1-a VUO80 标准 v1-a 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 24 1.14 V @ 30 A 40 µA @ 1800 V 82 a 三期 1.8 kV
VUO82-08NO7 IXYS VUO82-08NO7 36.1120
RFQ
ECAD 2649 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 PWS-D VUO82 标准 PWS-D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.6 V @ 150 A 300 µA @ 800 V 88 a 三期 800 v
VUO85-08NO7 IXYS VUO85-08NO7 -
RFQ
ECAD 7810 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 fo-ta VUO85 标准 fo-ta 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.6 V @ 150 A 500 µA @ 800 V 85 a 三期 800 v
VUO86-12NO7 IXYS VUO86-12NO7 18.1300
RFQ
ECAD 6449 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC1 VUO86 标准 Eco-PAC1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.14 V @ 30 A 40 µA @ 1200 V 86 a 三期 1.2 kV
VUO98-16NO7 IXYS VUO98-16NO7 25.2452
RFQ
ECAD 7064 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 VUO98 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.14 V @ 40 A 100 µA @ 1600 V 105 a 三期 1.6 kV
VGB0124AY7A IXYS VGB0124AY7A 119.7000
RFQ
ECAD 38 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - 底盘安装 模块 VGB0124 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8504.40.9540 45 1 a ((() 1.4 kV
VUB145-16NO1 IXYS VUB145-16NO1 -
RFQ
ECAD 6846 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E2 VUB145 标准 E2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 168 V @ 150 A 100 µA @ 1600 V 145 a ((() 1.6 kV
VUBM33-05P1 IXYS VUBM33-05P1 -
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 - 底盘安装 Eco-PAC2 标准 Eco-PAC2 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 25 A 20 µA @ 500 V 三期 600 v
VUC25-12GO2 IXYS VUC25-12GO2 -
RFQ
ECAD 5389 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 卡姆 Vuc 标准 卡姆 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 2.2 V @ 55 A 5 ma @ 1200 V 25 a 三期 1.2 kV
VUC25-16GO2 IXYS VUC25-16GO2 -
RFQ
ECAD 7001 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 卡姆 Vuc 标准 卡姆 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5 2.2 V @ 55 A 5 ma @ 1600 V 25 a 三期 1.6 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库