SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) ((av)(av)) 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
IXFV12N90PS IXYS IXFV12N90PS -
RFQ
ECAD 9608 0.00000000 ixys HiperFet™,Polarp2™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 加220SMD IXFV12 MOSFET (金属 o化物) 加220SMD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 12A(TC) 10V 900mohm @ 6a,10v 6.5V @ 1mA 56 NC @ 10 V ±30V 3080 pf @ 25 V - 380W(TC)
IXYT25N250CHV IXYS IXYT25N250CHV 36.7900
RFQ
ECAD 710 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixyt25 标准 937 w TO-268 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V,25a,5ohm,15V 34 ns - 2500 v 95 a 235 a 4V @ 15V,25a 8.3mj(在)上,7.3mj(7.3MJ) 147 NC 15NS/230NS
DSIK45-16AR IXYS DSIK45-16AR 7.4183
RFQ
ECAD 5028 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DSIK45 标准 ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1600 v 45a 1.22 V @ 40 A 3 ma @ 1600 V -40°C〜175°C
CLA40MT1200NPZ-TUB IXYS CLA40MT1200NPZ-TUB 5.5022
RFQ
ECAD 2813 0.00000000 ixys DT-TRIAC™ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB CLA40 TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-CLA40MT1200NPZ-TUB Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 标准 1.2 kV 44 a 1.3 v 200a,215a 40 MA
IXGM20N60 IXYS IXGM20N60 -
RFQ
ECAD 2911 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-204AE IXGM20 标准 150 w TO-204AE - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 480V,20a,82ohm,15V 200 ns - 600 v 40 a 80 a 2.5V @ 15V,20A 2MJ(在)上,3.2MJ(3.2MJ) 120 NC 100NS/600NS
DGS3-018AS IXYS DGS3-018AS -
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DGS3 肖特基 TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 180 v 1.1 V @ 2 A 700 µA @ 180 V -55°C 〜175°C 7a -
IXGQ170N30PB IXYS IXGQ170N30PB -
RFQ
ECAD 9535 0.00000000 ixys Polar™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXGQ170 标准 330 w to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 300 v 170 a 1.7V @ 15V,85a - 143 NC -
IXFH78N60X3 IXYS IXFH78N60X3 14.0400
RFQ
ECAD 56 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH78 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-ixfh78n60x3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 78a 10V 38mohm @ 39a,10v 5V @ 4mA 70 NC @ 10 V ±20V 4700 PF @ 25 V - 780W(TC)
DHG20I1200HA IXYS DHG20I1200HA 4.7600
RFQ
ECAD 1223 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DHG20 标准 TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.24 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 20a -
IXGF32N170 IXYS IXGF32N170 25.5800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 I4-PAC™-5 (3个线索) IXGF32 标准 200 w ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 1020v,32a,2.7Ohm,15V npt 1700 v 44 a 200 a 3.5V @ 15V,32a 10.6mj(() 146 NC 45NS/270NS
MUBW75-06A8 IXYS MUBW75-06A8 -
RFQ
ECAD 7843 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E3 mubw 320 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 npt 600 v 100 a 2.5V @ 15V,75a 1.4 MA 是的 4.2 NF @ 25 V
MUBW35-06A6K IXYS MUBW35-06A6K -
RFQ
ECAD 3992 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E1 mubw35 130 w 三相桥梁整流器 E1 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三期逆变器 npt 600 v 42 a 2.7V @ 15V,35a 750 µA 是的 1.6 nf @ 25 V
IXKN40N60C IXYS IXKN40N60C 40.8100
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixkn40 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 40a(TC) 10V 70MOHM @ 500mA,10V 3.9V @ 2.5mA 250 NC @ 10 V ±20V - 290W(TC)
IXTQ470P2 IXYS IXTQ470P2 7.6917
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 ixys Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ470 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 42A(TC) 10V 145mohm @ 500mA,10v 4.5V @ 250µA 88 NC @ 10 V ±30V 5400 PF @ 25 V - 830W(TC)
IXFR20N80P IXYS IXFR20N80P 10.0360
RFQ
ECAD 3566 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixfr20 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 11A(TC) 10V 500mohm @ 10a,10v 5V @ 4mA 85 NC @ 10 V ±30V 4680 pf @ 25 V - 166W(TC)
IXTT1N300P3HV IXYS IXTT1N300P3HV 40.5800
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 ixys Polar P3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixtt1 MOSFET (金属 o化物) TO-268HV(IXTT) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -ixtt1N300P3HV Ear99 8541.29.0095 30 n通道 3000 v 1A(TC) 10V 50ohm @ 500mA,10v 4V @ 250µA 30.6 NC @ 10 V ±20V 895 pf @ 25 V - (195W)(TC)
IXFT26N50Q IXYS IXFT26N50Q -
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft26 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 26a(TC) 10V 200mohm @ 13a,10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXGH45N120 IXYS IXGH45N120 -
RFQ
ECAD 8049 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH45 标准 300 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,45A,5OHM,15V - 1200 v 75 a 180 a 2.5V @ 15V,45a (14mj)) 170 NC 55NS/370NS
DSEP8-02A IXYS DSEP8-02A -
RFQ
ECAD 8311 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 DSEP8 标准 TO-220AC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 8 A 25 ns 50 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 8a -
IXGJ40N60C2D1 IXYS IXGJ40N60C2D1 -
RFQ
ECAD 7521 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3,短选项卡 IXGJ40 标准 300 w TO-268 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,3ohm,15V 25 ns pt 600 v 75 a 200 a 2.7V @ 15V,30a (200µJ) 95 NC 18NS/90NS
IXFK64N50P IXYS IXFK64N50P 17.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK64 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA(IXFK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 64A(TC) 10V 85mohm @ 32a,10v 5.5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8700 PF @ 25 V - 830W(TC)
IXXH110N65B4 IXYS IXXH110N65B4 14.2433
RFQ
ECAD 4805 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXXH110 标准 880 w TO-247(IXTH) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixxh110n65b4 Ear99 8541.29.0095 30 400V,55A,2OHM,15V 40 ns pt 650 v 250 a 570 a 2.1V @ 15V,110a 2.2mj(在)上,1.05mj off) 183 NC 26NS/146NS
IXFH160N15T2 IXYS IXFH160N15T2 9.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH160 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 160a(TC) 10V 9MOHM @ 80A,10V 4.5V @ 1mA 253 NC @ 10 V ±20V 15000 PF @ 25 V - 880W(TC)
MWI50-12E6K IXYS MWI50-12E6K -
RFQ
ECAD 4561 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E1 MWI50 210 w 标准 E1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 - 1200 v 51 a 2.9V @ 15V,35a 300 µA 是的 2 NF @ 25 V
IXTY44N10T-TRL IXYS IXTY44N10T-TRL 1.1818
RFQ
ECAD 3665 0.00000000 ixys 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty44 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXTY44N10T-TRLTR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 100 v 44A(TC) 10V 30mohm @ 22a,10v 4.5V @ 25µA 33 NC @ 10 V ±30V 1262 PF @ 25 V - 130W(TC)
MCNA650P2200CA IXYS MCNA650P2200CA 322.1733
RFQ
ECAD 4513 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C(TJ) 底盘安装 组合 MCNA650 系列连接 -scr - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCNA650P2200CA Ear99 8541.30.0080 3 300 MA 2.2 kV 1020 a 2 v 16000a,17300a 300 MA 650 a 2 scr
IXYH30N120C4 IXYS IXYH30N120C4 8.6576
RFQ
ECAD 2388 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixyh30 标准 500 w TO-247(IXYH) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixyh30n120c4 Ear99 8541.29.0095 30 960V,25a,5ohm,15V 58 ns pt 1200 v 94 a 166 a 2.4V @ 15V,25a 4.8MJ(在)上,1.5MJ(1.5MJ) 57 NC 18NS/205NS
VHF36-08IO5 IXYS VHF36-08IO5 -
RFQ
ECAD 2111 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 X118 VHF36 桥,单相-scr/二极管(布局1) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 v 1 V 320a,350a 65 ma 36 a 2 scr,2个二极管
IXFH30N85X IXYS IXFH30N85X 12.9700
RFQ
ECAD 9616 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH30 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 30A(TC) 10V 220MOHM @ 500mA,10V 5.5V @ 2.5mA 68 NC @ 10 V ±30V 2460 pf @ 25 V - 695W(TC)
DHG40I4500KO IXYS DHG40I4500KO 61.0464
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 ISOPLUS264™ DHG40 标准 ISOPLUS264™ - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DHG40I4500KO Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 4500 v 3 V @ 50 A 1.45 µs 100 µA @ 4500 V -40°C〜150°C 43a 13pf @ 1.8KV,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库