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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | ((av)(av)) | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXFV12N90PS | - | ![]() | 9608 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Polarp2™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 加220SMD | IXFV12 | MOSFET (金属 o化物) | 加220SMD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 900 v | 12A(TC) | 10V | 900mohm @ 6a,10v | 6.5V @ 1mA | 56 NC @ 10 V | ±30V | 3080 pf @ 25 V | - | 380W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYT25N250CHV | 36.7900 | ![]() | 710 | 0.00000000 | ixys | XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixyt25 | 标准 | 937 w | TO-268 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 1250V,25a,5ohm,15V | 34 ns | - | 2500 v | 95 a | 235 a | 4V @ 15V,25a | 8.3mj(在)上,7.3mj(7.3MJ) | 147 NC | 15NS/230NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSIK45-16AR | 7.4183 | ![]() | 5028 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | DSIK45 | 标准 | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 45a | 1.22 V @ 40 A | 3 ma @ 1600 V | -40°C〜175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CLA40MT1200NPZ-TUB | 5.5022 | ![]() | 2813 | 0.00000000 | ixys | DT-TRIAC™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | CLA40 | TO-263HV | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-CLA40MT1200NPZ-TUB | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 50 mA | 标准 | 1.2 kV | 44 a | 1.3 v | 200a,215a | 40 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGM20N60 | - | ![]() | 2911 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AE | IXGM20 | 标准 | 150 w | TO-204AE | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 480V,20a,82ohm,15V | 200 ns | - | 600 v | 40 a | 80 a | 2.5V @ 15V,20A | 2MJ(在)上,3.2MJ(3.2MJ) | 120 NC | 100NS/600NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DGS3-018AS | - | ![]() | 4511 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | DGS3 | 肖特基 | TO-252AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 180 v | 1.1 V @ 2 A | 700 µA @ 180 V | -55°C 〜175°C | 7a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGQ170N30PB | - | ![]() | 9535 | 0.00000000 | ixys | Polar™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXGQ170 | 标准 | 330 w | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 300 v | 170 a | 1.7V @ 15V,85a | - | 143 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH78N60X3 | 14.0400 | ![]() | 56 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X3 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH78 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-ixfh78n60x3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 78a | 10V | 38mohm @ 39a,10v | 5V @ 4mA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 4700 PF @ 25 V | - | 780W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DHG20I1200HA | 4.7600 | ![]() | 1223 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | DHG20 | 标准 | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.24 V @ 20 A | 200 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGF32N170 | 25.5800 | ![]() | 44 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | IXGF32 | 标准 | 200 w | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 1020v,32a,2.7Ohm,15V | npt | 1700 v | 44 a | 200 a | 3.5V @ 15V,32a | 10.6mj(() | 146 NC | 45NS/270NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUBW75-06A8 | - | ![]() | 7843 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | mubw | 320 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | npt | 600 v | 100 a | 2.5V @ 15V,75a | 1.4 MA | 是的 | 4.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUBW35-06A6K | - | ![]() | 3992 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E1 | mubw35 | 130 w | 三相桥梁整流器 | E1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三期逆变器 | npt | 600 v | 42 a | 2.7V @ 15V,35a | 750 µA | 是的 | 1.6 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXKN40N60C | 40.8100 | ![]() | 5815 | 0.00000000 | ixys | coolmos™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | ixkn40 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 600 v | 40a(TC) | 10V | 70MOHM @ 500mA,10V | 3.9V @ 2.5mA | 250 NC @ 10 V | ±20V | - | 290W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ470P2 | 7.6917 | ![]() | 8644 | 0.00000000 | ixys | Polarp2™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ470 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 42A(TC) | 10V | 145mohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 250µA | 88 NC @ 10 V | ±30V | 5400 PF @ 25 V | - | 830W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFR20N80P | 10.0360 | ![]() | 3566 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixfr20 | MOSFET (金属 o化物) | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 800 v | 11A(TC) | 10V | 500mohm @ 10a,10v | 5V @ 4mA | 85 NC @ 10 V | ±30V | 4680 pf @ 25 V | - | 166W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTT1N300P3HV | 40.5800 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | ixys | Polar P3™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixtt1 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268HV(IXTT) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -ixtt1N300P3HV | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 3000 v | 1A(TC) | 10V | 50ohm @ 500mA,10v | 4V @ 250µA | 30.6 NC @ 10 V | ±20V | 895 pf @ 25 V | - | (195W)(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFT26N50Q | - | ![]() | 6363 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | ixft26 | MOSFET (金属 o化物) | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 500 v | 26a(TC) | 10V | 200mohm @ 13a,10v | 4.5V @ 4mA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 3900 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGH45N120 | - | ![]() | 8049 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH45 | 标准 | 300 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V,45A,5OHM,15V | - | 1200 v | 75 a | 180 a | 2.5V @ 15V,45a | (14mj)) | 170 NC | 55NS/370NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DSEP8-02A | - | ![]() | 8311 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | DSEP8 | 标准 | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGJ40N60C2D1 | - | ![]() | 7521 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3,短选项卡 | IXGJ40 | 标准 | 300 w | TO-268 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,3ohm,15V | 25 ns | pt | 600 v | 75 a | 200 a | 2.7V @ 15V,30a | (200µJ) | 95 NC | 18NS/90NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFK64N50P | 17.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXFK64 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264AA(IXFK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 500 v | 64A(TC) | 10V | 85mohm @ 32a,10v | 5.5V @ 8mA | 150 NC @ 10 V | ±30V | 8700 PF @ 25 V | - | 830W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXXH110N65B4 | 14.2433 | ![]() | 4805 | 0.00000000 | ixys | XPT™,Genx4™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXXH110 | 标准 | 880 w | TO-247(IXTH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixxh110n65b4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,55A,2OHM,15V | 40 ns | pt | 650 v | 250 a | 570 a | 2.1V @ 15V,110a | 2.2mj(在)上,1.05mj off) | 183 NC | 26NS/146NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH160N15T2 | 9.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ixys | HiperFet™,Trencht2™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH160 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247AD(IXFH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 150 v | 160a(TC) | 10V | 9MOHM @ 80A,10V | 4.5V @ 1mA | 253 NC @ 10 V | ±20V | 15000 PF @ 25 V | - | 880W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MWI50-12E6K | - | ![]() | 4561 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E1 | MWI50 | 210 w | 标准 | E1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 51 a | 2.9V @ 15V,35a | 300 µA | 是的 | 2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTY44N10T-TRL | 1.1818 | ![]() | 3665 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | ixty44 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252AA | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-IXTY44N10T-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 44A(TC) | 10V | 30mohm @ 22a,10v | 4.5V @ 25µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1262 PF @ 25 V | - | 130W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCNA650P2200CA | 322.1733 | ![]() | 4513 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C 〜140°C(TJ) | 底盘安装 | 组合 | MCNA650 | 系列连接 -scr | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCNA650P2200CA | Ear99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 MA | 2.2 kV | 1020 a | 2 v | 16000a,17300a | 300 MA | 650 a | 2 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH30N120C4 | 8.6576 | ![]() | 2388 | 0.00000000 | ixys | XPT™,Genx4™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixyh30 | 标准 | 500 w | TO-247(IXYH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixyh30n120c4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V,25a,5ohm,15V | 58 ns | pt | 1200 v | 94 a | 166 a | 2.4V @ 15V,25a | 4.8MJ(在)上,1.5MJ(1.5MJ) | 57 NC | 18NS/205NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VHF36-08IO5 | - | ![]() | 2111 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | X118 | VHF36 | 桥,单相-scr/二极管(布局1) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10 | 100 ma | 800 v | 1 V | 320a,350a | 65 ma | 36 a | 2 scr,2个二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFH30N85X | 12.9700 | ![]() | 9616 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXFH30 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 850 v | 30A(TC) | 10V | 220MOHM @ 500mA,10V | 5.5V @ 2.5mA | 68 NC @ 10 V | ±30V | 2460 pf @ 25 V | - | 695W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DHG40I4500KO | 61.0464 | ![]() | 1446 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | ISOPLUS264™ | DHG40 | 标准 | ISOPLUS264™ | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DHG40I4500KO | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 3 V @ 50 A | 1.45 µs | 100 µA @ 4500 V | -40°C〜150°C | 43a | 13pf @ 1.8KV,1MHz |
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