SIC
close

6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
IXGP48N60A3 IXYS IXGP48N60A3 8.1300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP48 标准 300 w TO-220 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-IXGP48N60A3 Ear99 8541.29.0095 50 480V，32A，5OHM，15V 30 ns pt 600 v 120 a 300 a 1.35V @ 15V，32a （950µJ）（在），2.9MJ（2.9MJ）中 110 NC 25NS/334N
DSA60C45HB IXYS DSA60C45HB -
RFQ
 ECAD 2063 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSA60C45 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 30a 770 mv @ 30 a 450 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
IXFT20N60Q IXYS IXFT20N60Q -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft20 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A（TC） 10V 350MOHM @ 10A，10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±30V 3300 PF @ 25 V - 300W（TC）
VHF36-14IO5 IXYS VHF36-14IO5 -
RFQ
 ECAD 5069 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 X118 VHF36 桥，单相-scr/二极管（布局1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.4 kV 1 V 320a，350a 65 ma 36 a 2 scr，2个二极管
DSEP30-04A IXYS DSEP30-04A -
RFQ
 ECAD 9181 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 DSEP30 标准 TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.46 V @ 30 A 30 ns 250 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 30a -
DSEC60-06B IXYS DSEC60-06B 7.7300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DSEC60 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 30a 2.51 V @ 30 A 30 ns 250 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
IXTA42N15T IXYS ixta42n15t 2.3137
RFQ
 ECAD 5368 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta42 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta42n15t Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 42A（TC） 10V 45mohm @ 21a，10v 4.5V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 1880 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXTA4N150HV IXYS ixta4n150hv 28.3600
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta4 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1500 v 4A（TC） 10V 6ohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 44.5 NC @ 10 V ±30V 1576 PF @ 25 V - 280W（TC）
IXFR180N085 IXYS IXFR180N085 -
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR180 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 85 v 180a（TC） 10V 7mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 320 NC @ 10 V ±20V 9100 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTQ140N10P IXYS IXTQ140N10P 8.1083
RFQ
 ECAD 3638 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ140 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 140a（TC） 10V 11mohm @ 70a，10v 5V @ 250µA 155 NC @ 10 V ±20V 4700 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXYH12N250CV1HV IXYS IXYH12N250CV1HV 27.0100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh12 标准 310 w TO-247（IXYH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，12a，10ohm，15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V，12a 3.56mj（在）上，1.7MJ OFF） 56 NC 12NS/167NS
IXFT26N60Q IXYS IXFT26N60Q -
RFQ
 ECAD 3821 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft26 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 26a（TC） 10V 250MOHM @ 13A，10V 4.5V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFA12N50P IXYS IXFA12N50P 4.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA12 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfa12n50p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12A（TC） 10V 500mohm @ 6a，10v 5.5V @ 1mA 29 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXTN90N25L2 IXYS IXTN90N25L2 51.3300
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixtn90 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 250 v 90A（TC） 10V 33mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 3mA 640 NC @ 10 V ±20V 23000 PF @ 25 V - 735W（TC）
DSB20C60PN IXYS DSB20C60PN -
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3完整包 DSB20C60 肖特基 TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 10a 730 MV @ 10 A 6 mA @ 60 V -55°C 〜175°C
DSB60C60PB IXYS DSB60C60PB -
RFQ
 ECAD 3822 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 DSB60C60 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 30a 780 mv @ 30 a 20 ma @ 60 V -55°C〜150°C
IXTF02N450 IXYS IXTF02N450 45.3300
RFQ
 ECAD 771 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 （3个线索） ixtf02 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 4500 v 200ma（tc） 10V 750OHM @ 10mA，10v 6.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 V ±20V 256 pf @ 25 V - 78W（TC）
IXFR80N15Q IXYS IXFR80N15Q -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR80 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 75A（TC） 10V 22.5mohm @ 40a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 25 V - 310W（TC）
IXTQ102N25T IXYS IXTQ102N25T -
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ102 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 102A（TC） - - - -
IXFV22N60P IXYS IXFV22N60P -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 IXFV22 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 22a（TC） 10V 350MOHM @ 11A，10V 5.5V @ 4mA 58 NC @ 10 V ±30V 3600 PF @ 25 V - 400W（TC）
M2325HA450 IXYS M2325HA450 -
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 底盘安装 do-200AD M2325 标准 W121 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M2325HA450 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4500 v 2.6 V @ 2500 A 5.4 µs 150 ma @ 4500 V -40°C〜150°C 2325a -
IXGT20N60B IXYS IXGT20N60B -
RFQ
 ECAD 1227 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT20 标准 150 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，20A，10欧姆，15V - 600 v 40 a 80 a 2V @ 15V，20A （150µJ）（700µJ）（OFF） 90 nc 15NS/150NS
IXKT70N60C5-TUB IXYS IXKT70N60C5-TUB 22.7233
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXKT70 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 68A（TC） - - - -
IXTP01N100D IXYS IXTP01N100D 6.6300
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP01 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 400mA（TC） 0V 80ohm @ 50mA，0v 4.5V @ 25µA 5.8 NC @ 5 V ±20V 100 pf @ 25 V 耗尽模式 1.1W（TA），25W（25W）TC）
IXTK80N25 IXYS IXTK80N25 -
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk80 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 250 v 80A（TC） 10V 33mohm @ 500mA，10v 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 540W（TC）
K0500LC650 IXYS K0500LC650 -
RFQ
 ECAD 2577 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK K0500 W10 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-K0500LC650 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 6.5 kV 975 a 3 V 7000a @ 50Hz 300 MA 2.7 v 500 a 150 ma 标准恢复
MDMA35P1200TG IXYS MDMA35P1200TG 22.8483
RFQ
 ECAD 5641 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDMA35 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 35a 1.16 V @ 35 A 40 µA @ 1200 V -40°C〜150°C
IXFP5N50P3 IXYS IXFP5N50P3 -
RFQ
 ECAD 2054 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP5N50 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfp5n50p3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 5A（TC） 10V 1.65OHM @ 2.5A，10V 5V @ 1mA 6.9 NC @ 10 V ±30V 370 pf @ 25 V - 114W（TC）
DSS10-01AS-TUB IXYS DSS10-01AS-tub -
RFQ
 ECAD 6755 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSS10 肖特基 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 840 mv @ 10 a 300 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 10a -
IXFR25N90 IXYS IXFR25N90 -
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR25 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 25A（TC） - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭