SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MDNA140P2200TG IXYS MDNA140P2200TG 45.3850
RFQ
 ECAD 2869 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDNA140 标准 TO-240AA - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-MDNA140P2200TG Ear99 8541.10.0080 36 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 2200 v 140a 1.18 V @ 140 A 100 µA @ 2200 V -40°C〜150°C
FDM21-05QC IXYS FDM21-05QC -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FDM21 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 n通道 500 v 21a（TC） 10V 220MOHM @ 15A，10V 4.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V - -
IXGT64N60B3 IXYS IXGT64N60B3 -
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT64 标准 460 w TO-268 - 238-ixgt64n60b3 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，3ohm，15v 41 ns pt 600 v 64 a 400 a 1.8V @ 15V，50a 1.5mj（在）上，1MJ（1MJ） 168 NC 25NS/138NS
A1237NC280 IXYS A1237NC280 -
RFQ
 ECAD 2428 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 夹紧 TO-200AC，K-PUK A1237 W11 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-A1237NC280 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 2.8 kV 2555 a 3 V 18000a @ 50Hz 400 MA 2.7 v 1237 a 60 ma 标准恢复
IXTQ60N30T IXYS IXTQ60N30T -
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ60 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 60a（TC） - - - -
VBO88-18NO7 IXYS VBO88-18NO7 -
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VBO88 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.13 V @ 50 A 500 µA @ 1800 V 92 a 单相 1.8 kV
IXFR100N25 IXYS IXFR100N25 -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR100 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 87A（TC） 10V 27mohm @ 50a，10v 4V @ 8mA 300 NC @ 10 V ±20V 9100 PF @ 25 V - 400W（TC）
N3790TJ280 IXYS N3790TJ280 -
RFQ
 ECAD 1915年 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N3790 W81 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N3790TJ280 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 2.8 kV 7410 a 3 V 55000a @ 50Hz 300 MA 2.1 v 3790 a 250 MA 标准恢复
STP802U2SRP IXYS STP802U2SRP 3.0100
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 ixys sts 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 独立 -scrs 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-STP802U2SRPDKR Ear99 8541.30.0080 2,500 3 ma 800 v 0.6 a 800 mv 20a，24a 100 µA 2 scr
DGS4-025A IXYS DGS4-025A -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 DGS4 肖特基 TO-220AC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 250 v 1.6 V @ 2 A 700 µA @ 250 V -55°C 〜175°C 5.4a -
DGS3-030AS IXYS DGS3-030AS -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DGS3 肖特基 TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 2 V @ 2 A 700 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 5a -
IXFX98N50P3 IXYS IXFX98NNNNN50P3 18.6300
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX98 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 98A（TC） 10V 50mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 197 nc @ 10 V ±30V 13100 PF @ 25 V - 1300W（TC）
IXTH460P2 IXYS IXTH460P2 5.4483
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 ixys Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH460 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 270MOHM @ 12A，10V 4.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±30V 2890 pf @ 25 V - 480W（TC）
IXFN32N100Q3 IXYS IXFN32N100Q3 64.0600
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN32 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn32n100q3 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 28a（TC） 10V 320MOHM @ 16a，10v 6.5V @ 8mA 195 NC @ 10 V ±30V 9940 pf @ 25 V - 780W（TC）
IXTQ34N65X2M IXYS IXTQ34N65X2M 8.9737
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtq34n65x2m Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 34A（TC） 10V 96mohm @ 17a，10v 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 43W（TC）
IXYT80N90C3 IXYS IXYT80N90C3 10.4730
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixyt80 标准 830 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 450V，80a，2ohm，15V - 900 v 165 a 360 a 2.7V @ 15V，80a 4.3mj（在）上，1.9MJ（（） 145 NC 34NS/90NS
MKI100-12F8 IXYS MKI100-12F8 164.4500
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MKI100 640 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 125 a 3.9V @ 15V，100a 1.3 ma 不 6.5 nf @ 25 V
IXTA3N100P IXYS ixta3n100p 3.4128
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta3 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 3A（TC） 10V 4.8OHM @ 1.5A，10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 125W（TC）
CLA15E1200NPZ-TUB IXYS CLA15E1200NPZ-TUB 2.3570
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 ixys CLA15E1200NPZ 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB CLA15 TO-263HV 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CLA15E1200NPZ-TUB Ear99 8541.30.0080 50 70 MA 1.2 kV 33 a 1.3 v 170a，185a 20 ma 1.35 v 15 a 标准恢复
MII75-12A3 IXYS MII75-12A3 -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y4-M5 MII75 370 w 标准 Y4-M5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 半桥 npt 1200 v 90 a 2.7V @ 15V，50a 4 mA 不 3.3 NF @ 25 V
IXFN140N60X3 IXYS IXFN140N60X3 39.5070
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFN140 - 238-ixfn140n60x3 10
IXFT16N90Q IXYS IXFT16N90Q -
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT16 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 16A（TC） 10V 650MOHM @ 8A，10V 5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXYK120N120C3 IXYS IXYK120N120C3 27.8000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXYK120 标准 1500 w TO-264（ixyk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 600V，100A，1OHM，15V - 1200 v 240 a 700 a 3.2V @ 15V，120a 6.75mj（在）上，5.1MJ（（） 412 NC 35NS/176NS
IXYH20N120C3 IXYS IXYH20N120C3 5.8513
RFQ
 ECAD 9311 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixyh20 标准 278 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，20a，10ohm，15V - 1200 v 40 a 96 a 3.4V @ 15V，20A 1.3mj（在）上，500µJ（OFF） 53 NC 20N/90NS
IXA30PG1200DHG-TUB IXYS IXA30PG1200DHG-TUB 21.1660
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 IXA30 150 w 标准 ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 pt 1200 v 43 a 2.2V @ 15V，25a 2.1 MA 不
DPG60IM300PC-TUB IXYS DPG60IM300pc-tub 5.2030
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DPG60IM300 标准 TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DPG60IM300PC-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.43 V @ 60 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 60a 80pf @ 150V，1MHz
MIXA151W1200EH IXYS MIXA151W1200EH -
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） - - Mixa151 695 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 pt 1200 v 220 a 2.1V @ 15V，150a 500 µA 不
IXFR15N80Q IXYS IXFR15N80Q -
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR15 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 13A（TC） 10V 600MOHM @ 7.5A，10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 25 V - 250W（TC）
MCNA55P2200TA IXYS MCNA55P2200TA 41.6825
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCNA55 系列连接 -scr - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCNA55P2200TA Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 2.2 kV 86 a 1.5 v 1000a，1080a 95 MA 55 a 2 scr
IXGH30N120IH IXYS IXGH30N120IH -
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXGH30 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 1200 v 50 a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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