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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFN130N65X3	38.7020	RFQ	1224	ixys	-	管子	积极的				IXFN130							-				238-ixfn130n65x3			10
IXTP160N10T	5.0500	RFQ	2	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP160		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	160a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	6600 PF @ 25 V	-	430W（TC）
DSI2X55-16A	24.3400	RFQ	9904	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSI2X55		标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							2独立	1600 v	56a	1.2 V @ 60 A		300 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C
IXSN50N60BD2	-	RFQ	3760	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXSN50			250 w		标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																																		-	600 v	75 a		2.5V @ 15V，50a						350 µA	不	3.85 NF @ 25 V
IXTQ200N10T	7.4800	RFQ	16	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ200		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			100 v	200a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±30V	9400 PF @ 25 V	-	550W（TC）
150-12A4中期	-	RFQ	6540	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	150年中期			760 w		标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的																																		npt	1200 v	180 a		2.7V @ 15V，100a						7.5 ma	不	6.6 NF @ 25 V
DSB30C45PB	-	RFQ	6727	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3	DSB30C45		肖特基				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	45 v	15a	590 mv @ 15 A		10 mA @ 45 V	-55°C〜150°C
MCMA700PD1600CB	226.5767	RFQ	5211	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	组合	MCMA700				系列连接 -SCR/二极管			-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCMA700PD1600CB	Ear99	8541.30.0080	3				300 MA												1.6 kV	1200 a	2 v	19000a，20500a	300 MA		700 a												1 sc，1二极管
DSEC30-06A	5.2800	RFQ	16	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	DSEC30		标准				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSEC3006A	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	600 v	15a	2.03 V @ 15 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
IXTA96P085T	6.5100	RFQ	9170	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta96		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道			85 v	96A（TC）	10V	13mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±15V	13100 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXFK50N85X	19.0400	RFQ	9197	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK50		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			850 v	50A（TC）	10V	105mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±30V	4480 pf @ 25 V	-	890W（TC）
MCC56-14IO8B	34.0200	RFQ	13	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCC56				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												1.4 kV	100 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma		64 a												2 scr
MDA600-14N1	-	RFQ	5292	ixys	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	MDA600		标准				模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对公共阳极	1400 v	883a	880 mv @ 500 A	18 µs	50 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
MCC700-16IO1W-T	-	RFQ	3972	ixys	*	托盘	过时的											-	rohs3符合条件			238-MCC700-16IO1W-T	Ear99	8541.30.0080	1
IXFV30N60P	-	RFQ	7819	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV30		MOSFET （金属 o化物）				加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	82 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	500W（TC）
CMA40E1600小时	11.1600	RFQ	7176	ixys	CMA40E1600小时	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	CMA40						ISO247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CMA40E1600HR	Ear99	8541.30.0080	30				100 ma												1.6 kV	63 a	1.5 v	550a，595a	50 mA	1.23 v	40 a		标准恢复
IXTH86N25T	7.6917	RFQ	9507	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth86		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixth86n25t	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			250 v	86A（TC）	10V	37MOHM @ 43A，10V	5V @ 1mA	105 NC @ 10 V	±30V	5330 PF @ 25 V	-	540W（TA）
MDO500-20N1	172.5150	RFQ	3260	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y1-CU	MDO500		标准				Y1-CU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								2000 v		1.3 V @ 1200 A		30 ma @ 2000 V		560a	576pf @ 700V，1MHz
IXGA7N60C	-	RFQ	2300	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga7	标准		54 w			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					480V，7A，22OHM，15V																														pt	600 v	14 a	30 a	2.7V @ 15V，7a	（70µJ）（在120µJ上）	25 NC	9NS/65NS
IXKP20N60C5M	-	RFQ	5080	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IXKP20		MOSFET （金属 o化物）				TO-220ABFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	7.6A（TC）	10V	200mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1.1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	-
ixta32p05t	2.8200	RFQ	261	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta32		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道			50 V	32A（TC）	10V	39mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±15V	1975 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXTH64N65X	13.1883	RFQ	2269	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth64		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth64n65x	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	64A（TC）	10V	51MOHM @ 32A，10V	5V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	890W（TC）
MIXA40WB1200	82.8400	RFQ	4166	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa40			195 w		三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																																		pt	1200 v	60 a		2.1V @ 15V，35a						2.1 MA	是的
ixtm11p50	-	RFQ	9328	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtm11		-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			-				-	-	-	-		-		-	-
IXFA14N85XHV	4.7308	RFQ	3512	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA14		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			850 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1043 PF @ 25 V	-	460W（TC）
ixta86n20t	6.4600	RFQ	148	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta86		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta86n20t	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	86A（TC）	10V	29mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
CS45-08IO1	4.4545	RFQ	9722	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜140°C	通过洞	TO-247-3	CS45						TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	30				100 ma												800 v	75 a	1.5 v	520a，560a	100 ma	1.64 v	48 a	5 ma	标准恢复
FBE22-06N1	14.8800	RFQ	6561	ixys	Hiperfred²™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FBE22		标准				ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	FBE2206N1	Ear99	8541.10.0080	25																												2.13 V @ 11 A		60 µA @ 600 V		20 a											单相	600 v
HTZ240F12K	-	RFQ	5767	ixys	htz240f	盒子	积极的		底盘安装	模块	HTZ240		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	12000 v	1.7a	10 V @ 2 A		500 µA @ 12000 V
MCD255-18IO1	171.2767	RFQ	7197	ixys	-	盒子	积极的	-40°C 〜140°C（TJ）	底盘安装	Y1-CU	MCD255				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				150 ma												1.8 kV	450 a	2 v	9000a，9600a	150 ma		250 a												1 sc，1二极管

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²