SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTP90N15T IXYS IXTP90N15T 4.3900
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp90 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 90A（TC） 10V 20mohm @ 45a，10v 4.5V @ 1mA 80 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 25 V - 455W（TC）
DSS17-06CR IXYS DSS17-06CR -
RFQ
 ECAD 9216 0.00000000 ixys Hiperdyn™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DSS17 肖特基 ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 3.32 V @ 15 A 500 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 17a -
IXTT1N250HV IXYS IXTT1N250HV 48.8700
RFQ
 ECAD 1909年 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt1 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 628949 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 2500 v 1.5A（TC） 10V 40ohm @ 750mA，10v 4V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1660 pf @ 25 V - 250W（TC）
IXSN55N120AU1 IXYS IXSN55N120AU1 -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXSN55 500 w 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200 v 110 a 4V @ 15V，55a 1 MA 不 8 nf @ 25 V
IXTH220N055T IXYS IXTH220N055T -
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH220 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 220A（TC） 10V 4mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 158 NC @ 10 V ±20V 7200 PF @ 25 V - 430W（TC）
IXTX240N075L2 IXYS ixtx240N075L2 37.2000
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx240 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 240a（TC） 10V 7MOHM @ 120A，10V 4.5V @ 3mA 546 NC @ 10 V ±20V 19000 PF @ 25 V - 960W（TC）
MUBW6-06A6 IXYS MUBW6-06A6 -
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 E1 mubw6 38 w 三相桥梁整流器 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三期逆变器 npt 600 v 7 a 2.5V @ 15V，4A 10 µA 是的 340 pf @ 25 V
N0634LC380 IXYS N0634LC380 -
RFQ
 ECAD 4806 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK N0634 W10 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N0634LC380 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 3.8 kV 1228 a 3 V 7700a @ 50Hz 300 MA 2.8 v 634 a 100 ma 标准恢复
IXTK90P20P IXYS ixtk90p20p 21.4200
RFQ
 ECAD 3896 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk90 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 P通道 200 v 90A（TC） 10V 44mohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 12000 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXYR100N65A3V1 IXYS IXYR100N65A3V1 23.9527
RFQ
 ECAD 7126 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - - - ixyr100 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - - - -
IXGN320N60A3 IXYS IXGN320N60A3 36.8900
RFQ
 ECAD 705 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXGN320 735 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 320 a 1.25V @ 15V，100a 150 µA 不 18 nf @ 25 V
IXFR102N30P IXYS IXFR102N30P 16.7170
RFQ
 ECAD 9416 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR102 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 60a（TC） 10V 36mohm @ 51a，10v 5V @ 4mA 224 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 250W（TC）
DGSK28-025CS IXYS DGSK28-025CS -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DGSK28 肖特基 TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 250 v 21a 1.7 V @ 7.5 A 18 ns 250 µA @ 250 V -55°C 〜175°C
IXA20I1200PZ-TUB IXYS IXA20I1200PZ-TUB 4.8668
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXA20I1200 标准 165 w TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXA20I1200PZ-TUB Ear99 8541.29.0095 50 600V，15a，56ohm，15V pt 1200 v 38 a 2.1V @ 15V，15a 1.6mj（在）上，1.7mj off） 47 NC 48NS/230N
VWI15-12P1 IXYS VWI15-12P1 -
RFQ
 ECAD 7645 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VWI15 90 W 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 三相逆变器 npt 1200 v 18 a 2.7V @ 15V，10a 500 µA 是的 600 pf @ 25 V
IXTX102N65X2 IXYS IXTX102N65X2 20.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx102 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 102A（TC） 10V 30mohm @ 51a，10v 5V @ 250µA 152 NC @ 10 V ±30V 10900 PF @ 25 V - 1040W（TC）
IXGH4N250C IXYS IXGH4N250C -
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH4N250 标准 150 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，4A，20欧姆，15V - 2500 v 13 a 46 a 6V @ 15V，4A 360µJ（离） 57 NC - /350n
QJ6016LH5TP IXYS QJ6016LH5TP 3.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys QJXX16XHX 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 QJ6016 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-QJ6016LH5TP Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 16 a 1.3 v 167a，200a 50 mA
MWI100-12A8 IXYS MWI100-12A8 -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MWI100 640 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 1200 v 160 a 2.6V @ 15V，100a 6.3 MA 不 6.5 nf @ 25 V
IXFR20N100P IXYS IXFR20N100P -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixfr20 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 11A（TC） 10V 640MOHM @ 10A，10V 6.5V @ 1mA 126 NC @ 10 V ±30V 7300 PF @ 25 V - 230W（TC）
DSSK28-01AS-TRL IXYS DSSK28-01AS-TRL -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSSK28 肖特基 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 15a 820 MV @ 15 A 500 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
IXTH20N50D IXYS IXTH20N50D -
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth20 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 20A（TC） 10V 330mohm @ 10a，10v - 125 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V 耗尽模式 400W（TC）
IXFT140N20X3HV IXYS IXFT140N20X3HV 14.7700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT140 MOSFET （金属 o化物） TO-268HV（IXFT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 140a（TC） 10V 9.6mohm @ 70a，10v 4.5V @ 4mA 127 NC @ 10 V ±20V 7660 pf @ 25 V - 520W（TC）
IXFN82N60Q3 IXYS IXFN82N60Q3 60.1900
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN82 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 66A（TC） 10V 75MOHM @ 41A，10V 6.5V @ 8mA 275 NC @ 10 V ±30V 13500 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXFX74N50P2 IXYS IXFX74N50P2 -
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX74 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 74A（TC） 10V 77MOHM @ 500mA，10V 5V @ 4mA 165 NC @ 10 V ±30V 9900 PF @ 25 V - 1400W（TC）
IXYB82N120C3H1 IXYS IXYB82N120C3H1 31.0900
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixyb82 标准 1040 w 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixyB82N120C3H1 Ear99 8541.29.0095 25 600V，80a，2ohm，15V 420 ns - 1200 v 164 a 320 a 3.2V @ 15V，82a 4.95MJ（在）上，2.78mj off） 215 NC 29NS/192NS
IXGH72N60A3 IXYS IXGH72N60A3 11.8100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH72 标准 540 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，3ohm，15v pt 600 v 75 a 400 a 1.35V @ 15V，60a 1.38mj（在）上，3.5MJ off） 230 NC 31ns/320ns
DMA100A1600NB IXYS DMA100A1600NB 23.7270
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 ixys - 管子 积极的 DMA100 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA100A1600NB 10
IXKR25N80C IXYS IXKR25N80C 26.1800
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXKR25 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 25A（TC） 10V 150MOHM @ 18A，10V 4V @ 2mA 355 NC @ 10 V ±20V - -
MUBW15-06A7 IXYS MUBW15-06A7 -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 mubw15 100 W 三相桥梁整流器 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 npt 600 v 25 a 2.3V @ 15V，15a 600 µA 是的 800 pf @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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