RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXYT40N120A4HV	11.1433	RFQ	2458	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		IXYT40	标准		600 w			TO-268HV ixyt）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-IXYT40N120A4HV	Ear99	8541.29.0095	30					600V，32A，5OHM，15V																										pt	1200 v	140 a	275 a	1.8V @ 15V，32a	2.3MJ（在）上，3.75MJ off）	90 nc	22NS/204NS
IXTY18P10T	4.0200	RFQ	30	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ixty18		MOSFET （金属 o化物）				TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixty18p10t	Ear99	8541.29.0095	70			P通道				100 v	18A（TC）	10V	120mohm @ 9a，10v	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±15V	2100 PF @ 25 V	-	83W（TC）
MKI50-12F7	118.2500	RFQ	6	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2		MKI50			350 w		标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	完整的桥梁逆变器																														npt	1200 v	65 a		3.8V @ 15V，50a						700 µA	不	3.3 NF @ 25 V
ixta14n60p	4.9300	RFQ	250	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		ixta14		MOSFET （金属 o化物）				TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXA40PF1200TDHGLB	-	RFQ	9062	ixys	-	大部分	积极的			-	-	IXA40PF1200							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	45	-					-
IXFH6N120P	12.0200	RFQ	5939	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFH6		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				1200 v	6A（TC）	10V	2.4ohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	2830 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXFX25N90	-	RFQ	6503	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		IXFX25		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				900 v	25A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTT110N10P	7.5317	RFQ	3254	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		IXTT110		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				100 v	110A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 25 V	-	480W（TC）
GMM3X180-004X2-SMD	-	RFQ	6214	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼		GMM3x180		MOSFET （金属 o化物）	-			24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）						40V	180a		-	4.5V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
FII30-06D	-	RFQ	2836	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5		FII30			100 W		标准	ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥																														npt	600 v	30 a		2.4V @ 15V，20A						600 µA	不	1.1 NF @ 25 V
IXSK50N60AU1	-	RFQ	3941	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA		IXSK50	标准		300 w			TO-264AA（IXSK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					480V，50a，2.7Ohm，15V																				50 ns						-	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	6MJ（（）	190 NC	70NS/200NS
IXFN48N50U3	-	RFQ	9464	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		IXFN48		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道				500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
MKE38RK600DFEL-TRR	2000年228日	RFQ	9976	ixys	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块		MKE38		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200			n通道				600 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-
M0759YC160	-	RFQ	3498	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	DO-200AB，A-PUK		M0759		标准				W2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M0759YC160	Ear99	8541.10.0080	24		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1600 v	1.7 V @ 1500 A	2 µs	50 ma @ 1600 V	-40°C〜125°C	759a	-
IXTP18N60PM	-	RFQ	2389	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		ixtp18		MOSFET （金属 o化物）				TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				600 v	9A（TC）	10V	420MOHM @ 9A，10V	5.5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	90W（TC）
IXGX120N120A3	39.6000	RFQ	2089	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		IXGX120	标准		830 w			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					960V，100A，1OHM，15V																										pt	1200 v	240 a	600 a	2.2V @ 15V，100a	（10mj）（33MJ）（33MJ）	420 NC	40NS/490NS
IXFN130N90SK	143.6650	RFQ	4172	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		IXFN130		MOSFET （金属 o化物）	-			SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfn130n90sk	Ear99	8541.29.0095	10	2 n 通道（双）						900V	-		-	-	-		-	-
IXTV280N055TS	-	RFQ	8184	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD		ixtv280		MOSFET （金属 o化物）				加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				55 v	280a（TC）	10V	3.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9800 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFT400N075T2	15.4733	RFQ	4068	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		IXFT400		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				75 v	400A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
IXFK32N80Q3	28.9700	RFQ	446	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA		IXFK32		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk32n80q3	Ear99	8541.29.0095	25			n通道				800 v	32A（TC）	10V	270mohm @ 16a，10v	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	6940 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
IXTQ100N25P	12.0200	RFQ	49	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		ixtq100		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				250 v	100A（TC）	10V	24mohm @ 50a，10v	5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFH6N90	-	RFQ	7660	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFH6		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响	IXFH6N90-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			n通道				900 v	6A（TC）	10V	2ohm @ 3a，10v	4.5V @ 2.5mA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH24N90P	16.0200	RFQ	196	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFH24		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				900 v	24A（TC）	10V	420MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	660W（TC）
MMO62-12IO6	34.8500	RFQ	10	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MMO62				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				100 ma													1.2 kV	39 a	1.5 v	400a，430a	100 ma	25 a								2 scr
IXFH60N65X2-4	13.1300	RFQ	213	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		IXFH60		MOSFET （金属 o化物）				TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				650 v	60a（TC）	10V	52MOHM @ 30a，10v	5V @ 4mA	108 NC @ 10 V	±30V	6300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXFN24N100F	-	RFQ	1936年	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		IXFN24		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	10			n通道				1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	600W（TC）
VUB120-12NO2	-	RFQ	1834年	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v2-pak		VUB120		标准				v2-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6																								2.7 V @ 30 A		500 µA @ 1200 V		188 a											（（（）	1.2 kV
IXFK120N25	-	RFQ	6617	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA		IXFK120		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道				250 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFR140N20P	18.9800	RFQ	4	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IXFR140		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道				200 v	90A（TC）	10V	22mohm @ 45a，10v	5V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGT32N60BD1	-	RFQ	3571	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		IXGT32	标准		200 w			TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					480V，32a，4.7Ohm，15V																				25 ns						-	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V，32a	600µJ（离）	110 NC	25n/100n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²