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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
htz180d30k	-	RFQ	9798	ixys	htz180d	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz180		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	30000 v	1.3a	22 V @ 2 A		500 µA @ 30000 V
IXTV72N30T	-	RFQ	2003	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv72		MOSFET （金属 o化物）				加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			300 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXFX180N085	-	RFQ	3669	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX180		MOSFET （金属 o化物）				加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			85 v	180a（TC）	10V	7mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	320 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
htz170c2.4k	-	RFQ	7514	ixys	htz170c	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz170		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	2400 v	10a	1.9 V @ 40 A		500 µA @ 2400 V
W3708MC350	-	RFQ	9672	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	do-200 ac，k-puk	W3708		标准				W54	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W3708MC350	Ear99	8541.10.0080	12		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								3500 v		1.27 V @ 3000 A	37 µs	100 ma @ 3500 V	-40°C〜160°C	3753a	-
DSA30C200pc-Trl	-	RFQ	4687	ixys	DSA30C200PC	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DSA30C200		肖特基				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DSA30C200PC-TRLTR	Ear99	8541.10.0080	800		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	200 v	15a	940 mv @ 15 A		250 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
MCD550-12IO1	-	RFQ	3197	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			-	rohs3符合条件			238-MCD550-12IO1	Ear99	8541.30.0080	1				1 a												1.2 kV	1318 a	3 V	18000a，19800a	300 MA		550 a												1 sc，1二极管
DSB60C60HB	-	RFQ	4512	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	DSB60C60		肖特基				TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	60 V	30a	770 mv @ 30 a		20 ma @ 60 V	-55°C〜150°C
MCB60P1200TLB-tub	-	RFQ	4523	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	MCB60P1200		（SIC）	-			9-SMPD-B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCB60P1200TLB-TUB	Ear99	8541.29.0095	20	4（n n 通道（半桥）					1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
DHG10I600PM	3.0000	RFQ	6380	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	DHG10		标准				TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								600 v		2.35 V @ 10 A	35 ns	15 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	10a	-
MDD172-14N1	56.2200	RFQ	9525	ixys	-	盒子	积极的		底盘安装	Y4-M6	MDD172		标准				Y4-M6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	1400 v	190a	1.15 V @ 300 A		20 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
N1725MC320	-	RFQ	1678年	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC，K-PUK	N1725						W70	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-N1725MC320	Ear99	8541.30.0080	6				1 a												3.2 kV	3360 a	3 V	22000a @ 50Hz	300 MA	3 V	1725 a	150 ma	标准恢复
IXGA24N120C3	-	RFQ	3828	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA24	标准		250 w			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					600V，20A，5OHM，15V																														pt	1200 v	48 a	96 a	4.2V @ 15V，20A	1.16mj（在）（470µJ）上）	79 NC	16ns/93ns
DSEI2X30-12B	28.4100	RFQ	3693	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSEI2X30		标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							2独立	1200 v	28a	2.55 V @ 30 A	60 ns	750 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C
MWI45-12T6K	-	RFQ	6900	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	MWI45			160 w		标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																																		沟	1200 v	43 a		2.3V @ 15V，25a				400 µA	是的	1.81 NF @ 25 V
IXFR80N20Q	-	RFQ	8762	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR80		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	71A（TC）	10V	28mohm @ 80a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
IXFN26N120P	55.2860	RFQ	2650	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN26		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			1200 v	23A（TC）	10V	460MOHM @ 13A，10V	6.5V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	695W（TC）
IXTP72N20T	-	RFQ	9007	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp72		MOSFET （金属 o化物）				TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXGH30N120IH	-	RFQ	9814	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准					TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					-																														-	1200 v	50 a		-	-		-
MDD600-12N1	-	RFQ	3388	ixys	-	盒子	过时的		底盘安装	WC-500	MDD600		标准				WC-500	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	1200 v	600a	880 mv @ 500 A		50 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C
IXTT2N170D2	26.1600	RFQ	26	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt2		MOSFET （金属 o化物）				TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1700 v	2A（TJ）	-	6.5OHM @ 1A，0V	-	110 NC @ 5 V	±20V	3650 pf @ 25 V	耗尽模式	568W（TC）
M0955LC200	-	RFQ	8882	ixys	-	盒子	在sic中停产		夹紧	DO-200AB，B-PUK	M0955		标准				W4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M0955LC200	Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								2000 v		2.07 V @ 1900 A	3.4 µs	50 mA @ 2000 V	-40°C〜125°C	955a	-
MEK300-06DA	78.9100	RFQ	71	ixys	弗雷德	盒子	积极的		底盘安装	Y4-M6	MEK300		标准				Y4-M6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	600 v	304a	1.36 V @ 260 A	300 ns	12 ma @ 600 V	-40°C〜150°C
IXTH360N055T2	10.5120	RFQ	3886	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH360		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			55 v	360a（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	935W（TC）
IXFC80N085	-	RFQ	9962	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC80N085		MOSFET （金属 o化物）				ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			85 v	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXGN400N30A3	-	RFQ	2109	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn400			735 w		标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																																		pt	300 v	400 a		1.15V @ 15V，100a				50 µA	不	19 nf @ 25 V
IXFN48N50Q	-	RFQ	5012	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN48		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MCD56-14IO8B	27.9472	RFQ	2467	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	MCD56				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	36				200 ma												1.4 kV	100 a	1.5 v	1500a，1600a	100 ma		64 a												1 sc，1二极管
DSA20C200pb	-	RFQ	7881	ixys	DSA20C200pb	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-3	DSA20C200		肖特基				TO-220	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DSA20C200pb	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	200 v	10a	910 MV @ 10 A		200 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
IXFN240N15T2	39.5350	RFQ	1668年	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN240		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			150 v	240a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	460 NC @ 10 V	±20V	32000 PF @ 25 V	-	830W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²