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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 结构 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | SCR,二极管的数量 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | N3790TE240 | - | ![]() | 3606 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | TO-200AF | N3790 | W82 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-N3790TE240 | Ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 1 a | 2.4 kV | 7410 a | 3 V | 55000a @ 50Hz | 300 MA | 2.1 v | 3790 a | 250 MA | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P0366WC04C | 129.3000 | ![]() | 9095 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | TO-200AB,B-PUK | P0366 | W8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-P0366WC04C | Ear99 | 8541.30.0080 | 24 | 600 MA | 400 v | 756 a | 3 V | 5170a @ 50Hz | 200 ma | 1.88 v | 366 a | 30 ma | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mdna210ub2200pted | 132.7286 | ![]() | 7467 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MDNA210 | 标准 | E2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MDNA210UB2200PTED | Ear99 | 8541.10.0080 | 28 | 1.75 V @ 210 A | 100 µA @ 2200 V | 210 a | ((() | 2.2 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta3n120hv-trl | 5.3310 | ![]() | 7792 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263HV | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta3n120hv-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 1200 v | 3A(TC) | 10V | 4.5OHM @ 1.5A,10V | 5V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1100 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ86N25T | 6.4897 | ![]() | 4483 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | IXTQ86 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixtq86n25t | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 250 v | 86A(TC) | 10V | 37MOHM @ 43A,10V | 5V @ 1mA | 105 NC @ 10 V | ±30V | 5330 PF @ 25 V | - | 540W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta32p20t-trl | 5.9855 | ![]() | 3659 | 0.00000000 | ixys | Trechp™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta32 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta32p20t-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 200 v | 32A(TC) | 10V | 130mohm @ 16a,10v | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 V | ±15V | 14500 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta20n65x-trl | 6.0096 | ![]() | 8605 | 0.00000000 | ixys | Ultra X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta20n65x-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 650 v | 20A(TC) | 10V | 210mohm @ 10a,10v | 5.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1390 pf @ 25 V | - | 320W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta230n075t2-trl | 4.2408 | ![]() | 7320 | 0.00000000 | ixys | TRENCHT2™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta230 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta230n075t2-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 75 v | 230a(TC) | 10V | 4.2MOHM @ 50a,10v | 4V @ 250µA | 178 NC @ 10 V | ±20V | 10500 PF @ 25 V | - | 480W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXYP20N65B3D1 | - | ![]() | 3133 | 0.00000000 | ixys | XPT™,GenX3™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXYP20 | 标准 | 230 w | TO-220 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-IXYP20N65B3D1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,20A,20欧姆,15V | 25 ns | pt | 650 v | 58 a | 108 a | 2.1V @ 15V,20A | (500µJ)(在450µJ上) | 29 NC | 12NS/103NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCG20B650LB-tub | - | ![]() | 2054 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | DCG20 | schottky | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DCG20B650LB-tub | 0000.00.0000 | 20 | 单相 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFA7N80P-TRL | 2.4395 | ![]() | 7226 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,极性 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXFA7N80 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixfa7n80p-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 800 v | 7A(TC) | 10V | 1.44OHM @ 3.5A,10V | 5V @ 1mA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mdma210ub1600pted | 95.0139 | ![]() | 6705 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MDMA210 | 标准 | E2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MDMA210UB1600PTED | Ear99 | 8541.10.0080 | 28 | 1.75 V @ 210 A | 100 µA @ 1600 V | 210 a | ((() | 1.6 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDMA660U1600PTEH | 162.1363 | ![]() | 7767 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | MDMA660 | 标准 | E3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MDMA660U1600PTEH | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.95 V @ 660 A | 200 µA @ 1600 V | 660 a | 三期 | 1.6 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCB40P1200LB-TRR | - | ![]() | 9128 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | MCB40P1200 | (SIC) | - | 9-SMPD-B | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCB40P1200LB-TRRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 2 n 通道(双)公共来源 | 1200V(1.2kV) | 58a | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH20N65C3D1 | 6.9113 | ![]() | 6805 | 0.00000000 | ixys | XPT™,GenX3™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixyh20 | 标准 | 230 w | TO-247(IXYH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixyH20N65C3D1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,20A,20欧姆,15V | 34 ns | pt | 650 v | 50 a | 105 a | 2.5V @ 15V,20A | (430µJ)(在350µJ上) | 30 NC | 19NS/80NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSA10IM100UC-TRL | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | DSA10IM100 | 肖特基 | TO-252AA | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DSA10IM100UC-TRLTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 890 mv @ 10 a | 200 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 10a | 68pf @ 24V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDMA240UB1600ED | 111.3783 | ![]() | 7283 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MDMA240 | 标准 | E2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MDMA240UB1600ED | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 1.92 V @ 240 A | 100 µA @ 1600 V | 240 a | ((() | 1.2 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCC162-16IO1B | 80.5783 | ![]() | 9994 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | Y4-M6 | MCC162 | 系列连接 -scr | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MCC162-16IO1B | Ear99 | 8541.30.0080 | 6 | 200 ma | 1.6 kV | 300 a | 2.5 v | 6000a,6480a | 150 ma | 181 a | 2 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DPG60B600LB-TRR | 23.7744 | ![]() | 6039 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 9-PowersMD | DPG60B600 | 标准 | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DPG60B600LB-TRRTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 3.19 V @ 60 A | 250 µA @ 600 V | 60 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXG100IF1200HF | 23.3630 | ![]() | 8103 | 0.00000000 | ixys | X2PT™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3变体 | IXG100 | 标准 | 加上247™-3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixg100if1200hf | 0000.00.0000 | 30 | - | pt | 1200 v | 140 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTP76N25TM | 3.9398 | ![]() | 5291 | 0.00000000 | ixys | 沟 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | IXTP76 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220隔离选项卡 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixtp76n25tm | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 250 v | 76A(TC) | 10V | 44mohm @ 38a,10v | 5V @ 250µA | 92 NC @ 10 V | ±20V | 4920 PF @ 25 V | - | 460W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MDNA240U2200ED | 103.9383 | ![]() | 2290 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MDNA240 | 标准 | E2 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-MDNA240U2200ED | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 1.9 V @ 240 A | 200 µA @ 2200 V | 240 a | 三期 | 2.2 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta6n100d2-trl | 5.2825 | ![]() | 1953年 | 0.00000000 | ixys | 消耗 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta6 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta6n100d2-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 1000 v | 6a(TJ) | 0V | 2.2OHM @ 3a,0v | 4.5V @ 250µA | 95 NC @ 5 V | ±20V | 2650 pf @ 25 V | 耗尽模式 | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFA22N65X2-TRL | 5.8800 | ![]() | 1742年 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXFA22 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-ixfa22n65x2-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 650 v | 22a(TC) | 10V | 145mohm @ 11a,10v | 5V @ 1.5mA | 37 NC @ 10 V | ±30V | 2190 pf @ 25 V | - | 390W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYP20N65C3 | 4.5286 | ![]() | 3781 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | - | - | IXYP20 | - | 200 w | - | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-IXYP20N65C3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 135 ns | - | 650 v | 50 a | 105 a | - | - | 30 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH30N120B4 | 8.6576 | ![]() | 8892 | 0.00000000 | ixys | XPT™,Genx4™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixyh30 | 标准 | 500 w | TO-247(IXYH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixyh30n120b4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V,25a,5ohm,15V | 60 ns | pt | 1200 v | 100 a | 174 a | 2.1V @ 15V,25a | 4.4MJ(在)上,2.6MJ off) | 58 NC | 20N/245NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ixta42n25p-trl | 3.2181 | ![]() | 6689 | 0.00000000 | ixys | 极性 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixta42 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-ixta42n25p-trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 250 v | 42A(TC) | 10V | 84mohm @ 21a,10v | 5.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 2300 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXFN74N100X | 91.6000 | ![]() | 9959 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet™,Ultra X | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXFN74 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -1402-ixfn74n100x | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1000 v | 74A(TC) | 10V | 66mohm @ 37a,10v | 5.5V @ 8mA | 425 NC @ 10 V | ±30V | 17000 PF @ 25 V | - | 1170W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIXA150W1200TEH | 180.8320 | ![]() | 5245 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixa150 | 695 w | 标准 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | pt | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V,150a | 500 µA | 是的 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MIXA60WB1200TEH | 112.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixa60 | 290 w | 三相桥梁整流器 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三期逆变器 | pt | 1200 v | 85 a | 2.1V @ 15V,55a | 500 µA | 是的 |
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