SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻
N3790TE240 IXYS N3790TE240 -
RFQ
ECAD 3606 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N3790 W82 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-N3790TE240 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 2.4 kV 7410 a 3 V 55000a @ 50Hz 300 MA 2.1 v 3790 a 250 MA 标准恢复
P0366WC04C IXYS P0366WC04C 129.3000
RFQ
ECAD 9095 0.00000000 ixys - 盒子 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB,B-PUK P0366 W8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-P0366WC04C Ear99 8541.30.0080 24 600 MA 400 v 756 a 3 V 5170a @ 50Hz 200 ma 1.88 v 366 a 30 ma 标准恢复
MDNA210UB2200PTED IXYS mdna210ub2200pted 132.7286
RFQ
ECAD 7467 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E2 MDNA210 标准 E2 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDNA210UB2200PTED Ear99 8541.10.0080 28 1.75 V @ 210 A 100 µA @ 2200 V 210 a ((() 2.2 kV
IXTA3N120HV-TRL IXYS ixta3n120hv-trl 5.3310
RFQ
ECAD 7792 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta3 MOSFET (金属 o化物) TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta3n120hv-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1200 v 3A(TC) 10V 4.5OHM @ 1.5A,10V 5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 200W(TC)
IXTQ86N25T IXYS IXTQ86N25T 6.4897
RFQ
ECAD 4483 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ86 MOSFET (金属 o化物) to-3p - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtq86n25t Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 86A(TC) 10V 37MOHM @ 43A,10V 5V @ 1mA 105 NC @ 10 V ±30V 5330 PF @ 25 V - 540W(TA)
IXTA32P20T-TRL IXYS ixta32p20t-trl 5.9855
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 ixys Trechp™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta32 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta32p20t-trltr Ear99 8541.29.0095 800 P通道 200 v 32A(TC) 10V 130mohm @ 16a,10v 4V @ 250µA 185 NC @ 10 V ±15V 14500 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXTA20N65X-TRL IXYS ixta20n65x-trl 6.0096
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 ixys Ultra X 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta20 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta20n65x-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 650 v 20A(TC) 10V 210mohm @ 10a,10v 5.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±30V 1390 pf @ 25 V - 320W(TC)
IXTA230N075T2-TRL IXYS ixta230n075t2-trl 4.2408
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta230 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta230n075t2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 75 v 230a(TC) 10V 4.2MOHM @ 50a,10v 4V @ 250µA 178 NC @ 10 V ±20V 10500 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1 -
RFQ
ECAD 3133 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXYP20 标准 230 w TO-220 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYP20N65B3D1 Ear99 8541.29.0095 50 400V,20A,20欧姆,15V 25 ns pt 650 v 58 a 108 a 2.1V @ 15V,20A (500µJ)(在450µJ上) 29 NC 12NS/103NS
DCG20B650LB-TUB IXYS DCG20B650LB-tub -
RFQ
ECAD 2054 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 表面安装 9-PowersMD DCG20 schottky 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DCG20B650LB-tub 0000.00.0000 20 单相
IXFA7N80P-TRL IXYS IXFA7N80P-TRL 2.4395
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA7N80 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa7n80p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 800 v 7A(TC) 10V 1.44OHM @ 3.5A,10V 5V @ 1mA 32 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 200W(TC)
MDMA210UB1600PTED IXYS mdma210ub1600pted 95.0139
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E2 MDMA210 标准 E2 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA210UB1600PTED Ear99 8541.10.0080 28 1.75 V @ 210 A 100 µA @ 1600 V 210 a ((() 1.6 kV
MDMA660U1600PTEH IXYS MDMA660U1600PTEH 162.1363
RFQ
ECAD 7767 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E3 MDMA660 标准 E3 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA660U1600PTEH Ear99 8541.10.0080 24 1.95 V @ 660 A 200 µA @ 1600 V 660 a 三期 1.6 kV
MCB40P1200LB-TRR IXYS MCB40P1200LB-TRR -
RFQ
ECAD 9128 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 9-PowersMD MCB40P1200 (SIC) - 9-SMPD-B 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCB40P1200LB-TRRTR Ear99 8541.29.0095 200 2 n 通道(双)公共来源 1200V(1.2kV) 58a - - - - -
IXYH20N65C3D1 IXYS IXYH20N65C3D1 6.9113
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixyh20 标准 230 w TO-247(IXYH) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixyH20N65C3D1 Ear99 8541.29.0095 30 400V,20A,20欧姆,15V 34 ns pt 650 v 50 a 105 a 2.5V @ 15V,20A (430µJ)(在350µJ上) 30 NC 19NS/80NS
DSA10IM100UC-TRL IXYS DSA10IM100UC-TRL -
RFQ
ECAD 2230 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DSA10IM100 肖特基 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSA10IM100UC-TRLTR Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 890 mv @ 10 a 200 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 10a 68pf @ 24V,1MHz
MDMA240UB1600ED IXYS MDMA240UB1600ED 111.3783
RFQ
ECAD 7283 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E2 MDMA240 标准 E2 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA240UB1600ED Ear99 8541.10.0080 6 1.92 V @ 240 A 100 µA @ 1600 V 240 a ((() 1.2 kV
MCC162-16IO1B IXYS MCC162-16IO1B 80.5783
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 Y4-M6 MCC162 系列连接 -scr - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCC162-16IO1B Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.6 kV 300 a 2.5 v 6000a,6480a 150 ma 181 a 2 scr
DPG60B600LB-TRR IXYS DPG60B600LB-TRR 23.7744
RFQ
ECAD 6039 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 9-PowersMD DPG60B600 标准 9-SMPD-B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DPG60B600LB-TRRTR Ear99 8541.10.0080 200 3.19 V @ 60 A 250 µA @ 600 V 60 a 单相 600 v
IXG100IF1200HF IXYS IXG100IF1200HF 23.3630
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 ixys X2PT™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3变体 IXG100 标准 加上247™-3 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixg100if1200hf 0000.00.0000 30 - pt 1200 v 140 a - - -
IXTP76N25TM IXYS IXTP76N25TM 3.9398
RFQ
ECAD 5291 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 IXTP76 MOSFET (金属 o化物) TO-220隔离选项卡 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtp76n25tm Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 76A(TC) 10V 44mohm @ 38a,10v 5V @ 250µA 92 NC @ 10 V ±20V 4920 PF @ 25 V - 460W(TC)
MDNA240U2200ED IXYS MDNA240U2200ED 103.9383
RFQ
ECAD 2290 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E2 MDNA240 标准 E2 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDNA240U2200ED Ear99 8541.10.0080 6 1.9 V @ 240 A 200 µA @ 2200 V 240 a 三期 2.2 kV
IXTA6N100D2-TRL IXYS ixta6n100d2-trl 5.2825
RFQ
ECAD 1953年 0.00000000 ixys 消耗 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta6 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta6n100d2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1000 v 6a(TJ) 0V 2.2OHM @ 3a,0v 4.5V @ 250µA 95 NC @ 5 V ±20V 2650 pf @ 25 V 耗尽模式 300W(TC)
IXFA22N65X2-TRL IXYS IXFA22N65X2-TRL 5.8800
RFQ
ECAD 1742年 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA22 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-ixfa22n65x2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 650 v 22a(TC) 10V 145mohm @ 11a,10v 5V @ 1.5mA 37 NC @ 10 V ±30V 2190 pf @ 25 V - 390W(TC)
IXYP20N65C3 IXYS IXYP20N65C3 4.5286
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) - - IXYP20 - 200 w - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYP20N65C3 Ear99 8541.29.0095 50 - 135 ns - 650 v 50 a 105 a - - 30 NC -
IXYH30N120B4 IXYS IXYH30N120B4 8.6576
RFQ
ECAD 8892 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixyh30 标准 500 w TO-247(IXYH) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixyh30n120b4 Ear99 8541.29.0095 30 960V,25a,5ohm,15V 60 ns pt 1200 v 100 a 174 a 2.1V @ 15V,25a 4.4MJ(在)上,2.6MJ off) 58 NC 20N/245NS
IXTA42N25P-TRL IXYS ixta42n25p-trl 3.2181
RFQ
ECAD 6689 0.00000000 ixys 极性 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta42 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta42n25p-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 250 v 42A(TC) 10V 84mohm @ 21a,10v 5.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFN74N100X IXYS IXFN74N100X 91.6000
RFQ
ECAD 9959 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXFN74 MOSFET (金属 o化物) SOT-227B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -1402-ixfn74n100x Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 74A(TC) 10V 66mohm @ 37a,10v 5.5V @ 8mA 425 NC @ 10 V ±30V 17000 PF @ 25 V - 1170W(TC)
MIXA150W1200TEH IXYS MIXA150W1200TEH 180.8320
RFQ
ECAD 5245 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E3 Mixa150 695 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 pt 1200 v 220 a 2.1V @ 15V,150a 500 µA 是的
MIXA60WB1200TEH IXYS MIXA60WB1200TEH 112.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E3 Mixa60 290 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 pt 1200 v 85 a 2.1V @ 15V,55a 500 µA 是的
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库