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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXYP20N65C3	4.5286	RFQ	3781	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	-	-	IXYP20	-		200 w	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N65C3	Ear99	8541.29.0095	50			-															135 ns					-	650 v	50 a	105 a	-	-	30 NC	-
IXYH30N120B4	8.6576	RFQ	8892	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		500 w	TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyh30n120b4	Ear99	8541.29.0095	30			960V，25a，5ohm，15V															60 ns					pt	1200 v	100 a	174 a	2.1V @ 15V，25a	4.4MJ（在）上，2.6MJ off）	58 NC	20N/245NS
ixta42n25p-trl	3.2181	RFQ	6689	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta42		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta42n25p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		250 v	42A（TC）	10V	84mohm @ 21a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK32N100X	23.0500	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	32A（TC）	10V	220MOHM @ 16A，10V	6V @ 4mA	130 NC @ 10 V	±30V	4075 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXGT6N170A	16.4900	RFQ	6460	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT6	标准		75 w	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，6A，33OHM，15V																				npt	1700 v	6 a	14 a	7V @ 15V，3A	（590µJ）（180µj of），OFF）	18.5 NC	46NS/220NS
IXFH23N80Q	-	RFQ	7173	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH23		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	23A（TC）	10V	420MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 3mA	130 NC @ 10 V	±30V	4900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFP16N85X	8.2366	RFQ	1175	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-	-	-	IXFP16		-		-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp16n85x	Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
DSEP6-06BS-tub	1.4843	RFQ	5468	ixys	-	管子	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DSEP6		标准		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DSEP6-06BS-TUB	Ear99	8541.10.0080	70	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		2.66 V @ 6 A	15 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	5pf @ 400V，1MHz
IXTY1R4N120PHV	2.0793	RFQ	6324	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1200 v	1.4A（TC）	10V	13ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 100µA	24.8 NC @ 10 V	±30V	666 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IXA30RG1200DHG-TUB	17.4855	RFQ	3188	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA30	标准		147 w	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			600V，25a，39ohm，15V																				-	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a	2.5mj（在）上，3MJ（3mj）	76 NC	70NS/250NS
IXFT180N20X3HV	18.4800	RFQ	5674	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT180		MOSFET （金属 o化物）		TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	180a（TC）	10V	7.5MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 4mA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
DPG30C200pb	3.1300	RFQ	30	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DPG30C200		标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	15a	1.26 V @ 15 A	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
IXFT50N50P3	12.1500	RFQ	20	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft50n50p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	50A（TC）	10V	120mohm @ 25a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 0 V	±30V	4335 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXFR180N07	-	RFQ	7250	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		70 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	417W（TC）
ixtv22n60p	-	RFQ	1699年	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv22		MOSFET （金属 o化物）		加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
DPG15I200PA	2.1400	RFQ	5835	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	DPG15I200		标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		1.26 V @ 15 A	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	15a	-
IXFY36N20X3	4.7300	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXFY36		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	176W（TC）
IXTH02N450HV	26.5500	RFQ	9045	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXTH02		MOSFET （金属 o化物）		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth02n450hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		4500 v	200ma（tc）	10V	625ohm @ 10mA，10v	6.5V @ 250µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	246 pf @ 25 V	-	113W（TC）
IXTH58N25L2	23.7067	RFQ	4298	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth58		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixth58n25l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	58A（TC）	10V	64mohm @ 29a，10v	4.5V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFK33N50	-	RFQ	1413	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK33		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	33A（TC）	10V	160MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 4mA	227 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
DNA30ER2200IY	5.2100	RFQ	74	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-262-2，I²Pak	DNA30er2200		标准		TO-262（I2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DNA30ER2200IY	Ear99	8541.10.0080	50	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														2200 v		1.26 V @ 30 A		40 µA @ 2200 V	-55°C 〜175°C	30a	7pf @ 700V，1MHz
MDD810-12N2	-	RFQ	9202	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	模块			标准		-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDD810-12N2	Ear99	8541.10.0080	4	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1对系列连接	1200 v	807a	1.24 V @ 2000 A	16.5 µs	50 ma @ 1200 V	-40°C〜150°C
IXFV20N80P	-	RFQ	9121	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV20		MOSFET （金属 o化物）		加220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
DFE10I600PM	2.2200	RFQ	15	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	DFE10		标准		TO-220ACFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.5 V @ 10 A	35 ns	20 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	10a	-
IXGH25N160	17.1200	RFQ	3	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH25	标准		300 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-																				npt	1600 v	75 a	200 a	4.7V @ 20v，100a	-	84 NC	-
IXST40N60B	-	RFQ	7953	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST40	标准		280 w	TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2.7Ohm，15V																				pt	600 v	75 a	150 a	2.2V @ 15V，40a	1.8MJ（（）	190 NC	50NS/110NS
ixta36n20t	-	RFQ	8802	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta36		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	36a（TC）		-	-				-	-
DPG10I400PM	2.2200	RFQ	50	ixys	Hiperfred²™	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡	DPG10I400		标准		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-DPG10I400PM	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.32 V @ 10 A	45 ns	1 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	10a	-
DSI75-08B	-	RFQ	8379	ixys	-	盒子	过时的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	DSI75		标准		do-203ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														800 v		1.17 V @ 150 A		6 ma @ 800 V	-40°C〜180°C	110a	-
IXTH180N10T	7.5100	RFQ	60	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH180		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	180a（TC）	10V	6.4mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	480W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²