RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
ixta6n100d2-trl	5.2825	RFQ	1953年	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta6		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta6n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			1000 v	6a（TJ）	0V	2.2OHM @ 3a，0v	4.5V @ 250µA	95 NC @ 5 V	±20V	2650 pf @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
MCB40P1200LB-TRR	-	RFQ	9128	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	MCB40P1200		（SIC）	-		9-SMPD-B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCB40P1200LB-TRRTR	Ear99	8541.29.0095	200	2 n 通道（双）公共来源					1200V（1.2kV）	58a		-	-	-		-	-
IXYH20N65C3D1	6.9113	RFQ	6805	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh20	标准		230 w		TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyH20N65C3D1	Ear99	8541.29.0095	30					400V，20A，20欧姆，15V																					34 ns						pt	650 v	50 a	105 a	2.5V @ 15V，20A	（430µJ）（在350µJ上）	30 NC	19NS/80NS
DSA10IM100UC-TRL	-	RFQ	2230	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DSA10IM100		肖特基			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DSA10IM100UC-TRLTR	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					100 v		890 mv @ 10 a		200 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	10a	68pf @ 24V，1MHz
MDMA240UB1600ED	111.3783	RFQ	7283	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MDMA240		标准			E2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDMA240UB1600ED	Ear99	8541.10.0080	6																									1.92 V @ 240 A		100 µA @ 1600 V		240 a											（（（）	1.2 kV
ixta230n075t2-trl	4.2408	RFQ	7320	ixys	TRENCHT2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta230		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta230n075t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			75 v	230a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXYP20N65B3D1	-	RFQ	3133	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP20	标准		230 w		TO-220	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	50					400V，20A，20欧姆，15V																					25 ns						pt	650 v	58 a	108 a	2.1V @ 15V，20A	（500µJ）（在450µJ上）	29 NC	12NS/103NS
DCG20B650LB-tub	-	RFQ	2054	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	DCG20		schottky			9-SMPD-B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DCG20B650LB-tub		0000.00.0000	20																																								单相
IXFA7N80P-TRL	2.4395	RFQ	7226	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA7N80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa7n80p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	200W（TC）
mdma210ub1600pted	95.0139	RFQ	6705	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MDMA210		标准			E2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDMA210UB1600PTED	Ear99	8541.10.0080	28																									1.75 V @ 210 A		100 µA @ 1600 V		210 a											（（（）	1.6 kV
MDMA660U1600PTEH	162.1363	RFQ	7767	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E3	MDMA660		标准			E3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MDMA660U1600PTEH	Ear99	8541.10.0080	24																									1.95 V @ 660 A		200 µA @ 1600 V		660 a											三期	1.6 kV
MCC162-16IO1B	80.5783	RFQ	9994	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Y4-M6	MCC162				系列连接 -scr		-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCC162-16IO1B	Ear99	8541.30.0080	6				200 ma												1.6 kV	300 a	2.5 v	6000a，6480a	150 ma	181 a										2 scr
DPG60B600LB-TRR	23.7744	RFQ	6039	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-PowersMD	DPG60B600		标准			9-SMPD-B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DPG60B600LB-TRRTR	Ear99	8541.10.0080	200																									3.19 V @ 60 A		250 µA @ 600 V		60 a											单相	600 v
IXG100IF1200HF	23.3630	RFQ	8103	ixys	X2PT™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3变体	IXG100	标准				加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixg100if1200hf		0000.00.0000	30					-																											pt	1200 v	140 a		-	-		-
IXTP76N25TM	3.9398	RFQ	5291	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXTP76		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp76n25tm	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			250 v	76A（TC）	10V	44mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	4920 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFA22N65X2-TRL	5.8800	RFQ	1742年	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA22		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfa22n65x2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			650 v	22a（TC）	10V	145mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	37 NC @ 10 V	±30V	2190 pf @ 25 V	-	390W（TC）
IXYP20N65C3	4.5286	RFQ	3781	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	-	-	IXYP20	-		200 w		-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N65C3	Ear99	8541.29.0095	50					-																					135 ns						-	650 v	50 a	105 a	-	-	30 NC	-
IXYH30N120B4	8.6576	RFQ	8892	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		500 w		TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyh30n120b4	Ear99	8541.29.0095	30					960V，25a，5ohm，15V																					60 ns						pt	1200 v	100 a	174 a	2.1V @ 15V，25a	4.4MJ（在）上，2.6MJ off）	58 NC	20N/245NS
ixta42n25p-trl	3.2181	RFQ	6689	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta42		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta42n25p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			250 v	42A（TC）	10V	84mohm @ 21a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK32N100X	23.0500	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			1000 v	32A（TC）	10V	220MOHM @ 16A，10V	6V @ 4mA	130 NC @ 10 V	±30V	4075 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXGT6N170A	16.4900	RFQ	6460	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT6	标准		75 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					850V，6A，33OHM，15V																											npt	1700 v	6 a	14 a	7V @ 15V，3A	（590µJ）（180µj of），OFF）	18.5 NC	46NS/220NS
IXFH23N80Q	-	RFQ	7173	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH23		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			800 v	23A（TC）	10V	420MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 3mA	130 NC @ 10 V	±30V	4900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFP16N85X	8.2366	RFQ	1175	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-	-	-	IXFP16		-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp16n85x	Ear99	8541.29.0095	50			-				-	-	-	-		-		-	-
DSEP6-06BS-tub	1.4843	RFQ	5468	ixys	-	管子	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DSEP6		标准			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DSEP6-06BS-TUB	Ear99	8541.10.0080	70		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v		2.66 V @ 6 A	15 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	5pf @ 400V，1MHz
IXTY1R4N120PHV	2.0793	RFQ	6324	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			1200 v	1.4A（TC）	10V	13ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 100µA	24.8 NC @ 10 V	±30V	666 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IXA30RG1200DHG-TUB	17.4855	RFQ	3188	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA30	标准		147 w		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20					600V，25a，39ohm，15V																											-	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a	2.5mj（在）上，3MJ（3mj）	76 NC	70NS/250NS
IXFT180N20X3HV	18.4800	RFQ	5674	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT180		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	180a（TC）	10V	7.5MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 4mA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
DPG30C200pb	3.1300	RFQ	30	ixys	Hiperfred™	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	DPG30C200		标准			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				1对普通阴极	200 v	15a	1.26 V @ 15 A	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
IXFT50N50P3	12.1500	RFQ	20	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft50n50p3	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			500 v	50A（TC）	10V	120mohm @ 25a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 0 V	±30V	4335 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXFR180N07	-	RFQ	7250	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			70 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	417W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²