SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTA24N65X2 IXYS ixta24n65x2 5.7200
RFQ
 ECAD 2790 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta24 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixta24n65x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24A（TC） 10V 145mohm @ 12a，10v 5V @ 250µA 36 NC @ 10 V ±30V 2060 pf @ 25 V - 390W（TC）
IXTH06N220P3HV IXYS IXTH06N220P3HV -
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 ixys Polar P3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXTH06 MOSFET （金属 o化物） TO-247HV 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 2200 v 600mA（TC） 10V 80ohm @ 300mA，10v 4V @ 250µA 10.4 NC @ 10 V ±20V 290 pf @ 25 V - 104W（TC）
IXGH30N60B2D1 IXYS IXGH30N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH30 标准 190 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，24A，5OHM，15V 25 ns pt 600 v 70 a 150 a 1.8V @ 15V，24a 320µJ（离） 66 NC 13NS/110NS
IXGX120N60B IXYS IXGX120N60B -
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 ixys HiperFast™ 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXGX120 标准 660 w 加上247™-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Q2675300 Ear99 8541.29.0095 30 480V，100A，2.4OHM，15V pt 600 v 200 a 300 a 2.1V @ 15V，120a 2.4MJ（在）上，5.5MJ off） 350 NC 60NS/200NS
IXFT150N20T IXYS IXFT150N20T 18.8863
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT150 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 150a（TC） 10V 15mohm @ 75a，10v 5V @ 4mA 177 NC @ 10 V ±20V 11700 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFR32N100P IXYS IXFR32N100P 22.4577
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR32 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 18A（TC） 10V 340MOHM @ 16A，10V 6.5V @ 1mA 225 NC @ 10 V ±30V 14200 PF @ 25 V - 320W（TC）
HTZ130B24K IXYS htz130b24k -
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 ixys htz130b 盒子 积极的 底盘安装 模块 htz130 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 24000 v 1a 24 V @ 2 A 500 µA @ 24000 V
MCNA120UI2200P-PC IXYS MCNA120UI2200P-PC 131.6168
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - MCNA120 - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MCNA120UI2200P-PC Ear99 8541.30.0080 28 - -
DH20-18A IXYS DH20-18A 6.2000
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DH20 标准 TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1800 v 2.24 V @ 20 A 300 ns 50 µA @ 1800 V -55°C〜150°C 20a -
IXGA12N100 IXYS IXGA12N100 -
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA12 标准 100 W TO-263AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 800V，12a，120ohm，15V - 1000 v 24 a 48 a 3.5V @ 15V，12A 2.5MJ（） 65 NC 100NS/850NS
IXTM11N80 IXYS IXTM11N80 -
RFQ
 ECAD 5373 0.00000000 ixys Gigamos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 ixtm11 MOSFET （金属 o化物） TO-204AA（IXTM） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 800 v 11A（TC） 10V 950MOHM @ 5.5A，10V 4.5V @ 250µA 170 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFH14N80 IXYS IXFH14N80 -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH14 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 14A（TC） 10V 700mohm @ 500mA，10v 4.5V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4870 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFN50N50 IXYS IXFN50N50 -
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN50 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 50A（TC） 10V 90MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 600W（TC）
DSEP29-12B IXYS DSEP29-12B 5.3640
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DSEP29 标准 TO-220-2 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSEP29-12B Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1200 v 3.76 V @ 30 A 140 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 30a 12pf @ 600V，1MHz
MDMA700P1600CC IXYS MDMA700P1600CC 212.5667
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 ixys MDMA700P1600CC 盒子 积极的 底盘安装 模块 MDMA700 标准 组合 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 238-MDMA700P1600CC Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 700a 1.14 V @ 700 A 500 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
MIEB101H1200EH IXYS MIEB101H1200EH 145.0900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 Mieb101 630 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 完整的桥梁逆变器 - 1200 v 183 a 2.2V @ 15V，100a 300 µA 不 7.43 NF @ 25 V
HTZ250G33K IXYS HTZ250G33K -
RFQ
 ECAD 5615 0.00000000 ixys HTZ250G 盒子 积极的 底盘安装 模块 HTZ250 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 33600 v 2.7a 32 V @ 12 A 500 µA @ 33600 V
IXTH2R4N120P IXYS IXTH2R4N120P 8.0763
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth2 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 2.4A（TC） 10V 7.5OHM @ 500mA，10v 4.5V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 1207 PF @ 25 V - 125W（TC）
IXFH22N65X2 IXYS IXFH22N65X2 6.5500
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH22 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 22a（TC） 10V 160mohm @ 11a，10v 5.5V @ 1.5mA 38 NC @ 10 V ±30V 2310 PF @ 25 V - 390W（TC）
IXTP94N20X4 IXYS IXTP94N20X4 12.8000
RFQ
 ECAD 539 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp94 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixtp94n20x4 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 94A（TC） 10V 10.6MOHM @ 47A，10V 4.5V @ 250µA 77 NC @ 10 V ±20V 5050 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXA4IF1200TC-TRL IXYS IXA4IF1200TC-TRL 3.9930
RFQ
 ECAD 5788 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXA4IF1200 标准 45 W TO-268AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixa4if1200TC-trltr Ear99 8541.29.0095 400 - - 1200 v 9 a 2.1V @ 15V，3A - 12 nc -
IXFH90N65X3 IXYS IXFH90N65X3 17.9400
RFQ
 ECAD 2631 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH90 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXFH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfh90n65x3 Ear99 8541.29.0095 300 n通道 650 v 90A（TC） 10V 33mohm @ 45a，10v 5.2V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 6080 pf @ 25 V - 960W（TC）
N3790TE240 IXYS N3790TE240 -
RFQ
 ECAD 3606 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N3790 W82 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N3790TE240 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 2.4 kV 7410 a 3 V 55000a @ 50Hz 300 MA 2.1 v 3790 a 250 MA 标准恢复
P0366WC04C IXYS P0366WC04C 129.3000
RFQ
 ECAD 9095 0.00000000 ixys - 盒子 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK P0366 W8 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-P0366WC04C Ear99 8541.30.0080 24 600 MA 400 v 756 a 3 V 5170a @ 50Hz 200 ma 1.88 v 366 a 30 ma 标准恢复
IXGP12N120A2 IXYS IXGP12N120A2 -
RFQ
 ECAD 1837年 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP12 标准 75 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V，12a，100ohm，15V pt 1200 v 24 a 48 a 3V @ 15V，12A 5.4MJ（） 24 NC 15NS/680NS
IXTP120N20X4 IXYS IXTP120N20X4 8.5800
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP120 MOSFET （金属 o化物） TO-220（IXTP） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 238-ixtp120n20x4 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 120A（TC） 10V 9.5MOHM @ 60a，10v 4.5V @ 250µA 108 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 25 V - 417W（TC）
VMO445-02F IXYS VMO445-02F -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 VMO445 - 238-VMO445-02F 过时的 1
IXFR140N60X3 IXYS IXFR140N60X3 40.3760
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFR140 - 238-ixfr140n60x3 30
VUO35-16NO1 IXYS VUO35-16NO1 -
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-A VUO35 标准 PWS-A - 238-VUO35-16NO1 Ear99 8541.10.0080 1 1.01 V @ 15 A 40 µA @ 1600 V 35 a 三期 1.6 kV
IXFN74N100X IXYS IXFN74N100X 91.6000
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN74 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -1402-ixfn74n100x Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 74A（TC） 10V 66mohm @ 37a，10v 5.5V @ 8mA 425 NC @ 10 V ±30V 17000 PF @ 25 V - 1170W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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