SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备软件包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXGL50N60BD1 IXYS IXGL50N60BD1 -
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXGL50 标准 ISOPLUS264™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 v - - -
GWM180-004X2-SL IXYS GWM180-004X2-SL -
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 17-SMD，平坦的铅 GWM180 MOSFET （金属 o化物） - ISOPLUS-DIL™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 6 n通道（3相桥） 40V 180a 2.5MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 110NC @ 10V - -
IXGR35N120B IXYS IXGR35N120B -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgr35 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，35A，4.7OHM，15V pt 1200 v 70 a 140 a 3.3V @ 15V，35a 3.8MJ（（） 170 NC 50NS/180NS
IXFH76N07-11 IXYS IXFH76N07-11 8.3538
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH76 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 70 v 76A（TC） 10V 11mohm @ 40a，10v 3.4V @ 4mA 240 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 360W（TC）
QJ6016NH5RP IXYS QJ6016NH5RP 3.8900
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 ixys QJXX16XHX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB QJ6016 TO-263（D2PAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-QJ6016NH5RPTR Ear99 8541.30.0080 500 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 16 a 1.3 v 167a，200a 50 mA
DH60-16A IXYS DH60-16A 10.9300
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 DH60 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1600 v 2.04 V @ 60 A 230 ns 200 µA @ 1400 V -55°C〜150°C 60a 32pf @ 1200V，1MHz
MCD94-20IO1B IXYS MCD94-20IO1B 55.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD94 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -MCD94-20IO1B Ear99 8541.30.0080 36 150 ma 2 kV 180 a 1.5 v 1700a，1800a 100 ma 104 a 1 sc，1二极管
DSI30-08AC IXYS DSI30-08AC -
RFQ
 ECAD 5100 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 ISOPLUS220™ DSI30-08 标准 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.45 V @ 45 A 50 µA @ 800 V -55°C〜150°C 30a -
DSA120X150LB-TRR IXYS DSA120X150LB-TRR -
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 9-SMD模块 DSA120 肖特基 ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 150 v 75a 930 MV @ 60 A 1 ma @ 150 V -55°C 〜175°C
DSEI2X31-06P IXYS DSEI2X31-06P -
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 底盘安装 Eco-PAC1 dsei2x 标准 Eco-PAC1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 30a 1.6 V @ 30 A 50 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C
DCG100X1200NA IXYS DCG100X1200NA 156.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DCG100 SIC （碳化硅） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA（IO） 2独立 1200 v 49a 1.8 V @ 50 A 0 ns 500 µA @ 1200 V -40°C〜175°C
MID100-12A3 IXYS 中期100-12A3 -
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y4-M5 中期100 560 w 标准 Y4-M5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 单身的 npt 1200 v 135 a 2.7V @ 15V，75a 5 ma 不 5.5 nf @ 25 V
MDD220-18N1 IXYS MDD220-18N1 -
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y2-DCB MDD220 标准 Y2-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1800 v 270a 1.4 V @ 600 A 40 ma @ 1800 V -40°C〜150°C
MDD255-22N1 IXYS MDD255-22N1 181.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 Y1-CU MDD255 标准 Y1-CU 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 2200 v 270a 1.4 V @ 600 A 30 ma @ 2200 V -40°C〜150°C
IXYP20N120C3 IXYS IXYP20N120C3 6.5700
RFQ
 ECAD 9881 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXYP20 标准 278 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V，20a，10ohm，15V - 1200 v 40 a 96 a 3.4V @ 15V，20A 1.3mj（在）上，500µJ（OFF） 53 NC 20N/90NS
CMA50E1600TZ-TUB IXYS CMA50E1600TZ-TUB 6.3833
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 ixys CMA50E1600TZ 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA CMA50 TO-268AA（D3PAK-HV） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CMA50E1600TZ-TUB Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.6 kV 79 a 1.5 v 550a，595a 50 mA 1.3 v 50 a 标准恢复
DSEP2X61-06A IXYS DSEP2X61-06A 34.0000
RFQ
 ECAD 3602 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSEP2X61 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 600 v 60a 2.01 V @ 60 A 35 ns 650 µA @ 600 V -40°C〜150°C
DSI30-16AS-TUB IXYS DSI30-16AS-tub 3.0700
RFQ
 ECAD 8111 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSI30 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.29 V @ 30 A 40 µA @ 1600 V -40°C〜175°C 30a 10pf @ 400V，1MHz
IXFH160N15T2 IXYS IXFH160N15T2 9.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH160 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 160a（TC） 10V 9MOHM @ 80A，10V 4.5V @ 1mA 253 NC @ 10 V ±20V 15000 PF @ 25 V - 880W（TC）
IXXH110N65B4 IXYS IXXH110N65B4 14.2433
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 ixys XPT™，Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH110 标准 880 w TO-247（IXTH） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixxh110n65b4 Ear99 8541.29.0095 30 400V，55A，2OHM，15V 40 ns pt 650 v 250 a 570 a 2.1V @ 15V，110a 2.2mj（在）上，1.05mj off） 183 NC 26NS/146NS
IXGH72N60A3 IXYS IXGH72N60A3 11.8100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH72 标准 540 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，3ohm，15v pt 600 v 75 a 400 a 1.35V @ 15V，60a 1.38mj（在）上，3.5MJ off） 230 NC 31ns/320ns
DMA100A1600NB IXYS DMA100A1600NB 23.7270
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 ixys - 管子 积极的 DMA100 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA100A1600NB 10
IXTX170P10P IXYS ixtx170p10p 21.2100
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx170 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 170a（TC） 10V 12mohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 240 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXTH240N15X4 IXYS IXTH240N15X4 14.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH240 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 240a（TC） 10V 4.4mohm @ 120A，10V 4.5V @ 250µA 195 NC @ 10 V ±20V 8900 PF @ 25 V - 940W（TC）
MIXG240W1200PTEH IXYS MIXG240W1200PTEH 227.7113
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 模块 Mixg240 938 w 标准 E3 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MIXG240W1200PTEH Ear99 8541.29.0095 24 三相逆变器 - 1200 v 312 a 2V @ 15V，200a 150 µA 是的 10.6 NF @ 100 V
IXEN60N120 IXYS IXEN60N120 -
RFQ
 ECAD 9023 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixen60 445 w 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 npt 1200 v 100 a 2.7V @ 15V，60a 800 µA 不 3.8 nf @ 25 V
MITA300RF1700PTED IXYS mita300rf1700pted 129.7314
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MITA300 1390 w 标准 E2 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MITA300RF1700PTED Ear99 8541.29.0095 28 单菜器 沟 1700 v 400 a 2.45V @ 15V，300A 1.2 ma 是的
IXGP30N60B4D1 IXYS IXGP30N60B4D1 -
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP30 标准 190 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，24a，10ohm，15V 30 ns pt 600 v 56 a 156 a 1.7V @ 15V，24a （440µJ）（在700µJ上） 77 NC 21NS/200NS
IXGQ90N33TCD1 IXYS IXGQ90N33TCD1 -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXGQ90 标准 200 w to-3p - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 沟 330 v 90 a 1.8V @ 15V，45a - 69 NC -
IXFJ40N30 IXYS IXFJ40N30 -
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 IXFJ40 MOSFET （金属 o化物） TO-268 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 40a（TC） 10V 80Mohm @ 20a，10v 4V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 300W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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196-LFBGA裸露的垫子

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