SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXGA16N60C2D1 IXYS IXGA16N60C2D1 -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXGA16 标准 150 w TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，12A，22OHM，15V 30 ns pt 600 v 40 a 100 a 3V @ 15V，12A 160µJ（在）（90µJ）上，OFF） 25 NC 16ns/75ns
VUO25-16NO8 IXYS VUO25-16NO8 14.1600
RFQ
 ECAD 9104 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VUO25 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 2.2 V @ 150 A 300 µA @ 1600 V 25 a 三期 1.6 kV
VBO13-16NO2 IXYS VBO13-16NO2 -
RFQ
 ECAD 7652 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-a VBO13 标准 fo-a 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.8 V @ 55 A 300 µA @ 1600 V 18 a 单相 1.6 kV
IXTH30N50L2 IXYS IXTH30N50L2 17.0700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth30 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 200mohm @ 15a，10v 4.5V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXGH24N170A IXYS IXGH24N170A 18.3767
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH24 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，24a，10ohm，15V npt 1700 v 24 a 75 a 6V @ 15V，16a 2.97mj（在）上（790µJ）off） 140 NC 21NS/336NS
VBO36-12NO8 IXYS VBO36-12NO8 12.7606
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-b VBO36 标准 fo-b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.7 V @ 150 A 300 µA @ 1200 V 30 a 三期 1.2 kV
IXGH240N30PB IXYS IXGH240N30PB -
RFQ
 ECAD 2241 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXGH240 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 300 v 48 a - - -
IXGH39N60BD1 IXYS IXGH39N60BD1 -
RFQ
 ECAD 3487 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH39 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，39A，4.7OHM，15V 25 ns - 600 v 76 a 152 a 1.7V @ 15V，39a （4MJ）） 110 NC 25NS/250NS
DMA90U1800LB-TRR IXYS DMA90U1800LB-TRR 27.4200
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 ixys ISOPLUS™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 DMA90 标准 ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 200 1.26 V @ 30 A 40 µA @ 1800 V 90 a 三期 1.8 kV
VUO110-16NO7 IXYS VUO110-16NO7 64.1700
RFQ
 ECAD 5219 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 PWS-E VUO110 标准 PWS-E 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VUO11016NO7 Ear99 8541.10.0080 5 1.13 V @ 50 A 100 µA @ 1600 V 127 a 三期 1.6 kV
IXFQ30N60X IXYS IXFQ30N60X 7.8100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ30 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfq30n60x Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 155mohm @ 15a，10v 4.5V @ 4mA 56 NC @ 10 V ±30V 2270 pf @ 25 V - 500W（TC）
IXTH90N15T IXYS IXTH90N15T -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth90 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 90A（TC） 10V 20mohm @ 45a，10v 4.5V @ 1mA 80 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 25 V - 455W（TC）
VID25-12P1 IXYS VID25-12P1 -
RFQ
 ECAD 2771 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vid 130 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 1200 v 30 a 3.3V @ 15V，25a 900 µA 是的 1 nf @ 25 V
IXFA30N60X IXYS IXFA30N60X 5.1560
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA30 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 30A（TC） 10V 155mohm @ 15a，10v 4.5V @ 4mA 56 NC @ 10 V ±30V 2270 pf @ 25 V - 500W（TC）
IXTA4N150HV-TRL IXYS ixta4n150hv-trl 20.2798
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta4 MOSFET （金属 o化物） TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta4n150hv-trl Ear99 8541.29.0095 800 n通道 1500 v 4A（TC） 10V 6ohm @ 2a，10v 5V @ 250µA 44.5 NC @ 10 V ±30V 1576 PF @ 25 V - 280W（TC）
MIXG120W1200TEH IXYS MIXG120W1200TEH 155.5040
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 E3 Mixg120 625 w 标准 E3 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MIXG120W1200TEH Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 pt 1200 v 186 a 2V @ 15V，100a 2 ma 是的
IXFA28N60X3 IXYS IXFA28N60X3 5.6624
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFA28 - 238-ixfa28n60x3 50
VUO30-14NO3 IXYS VUO30-14NO3 -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-fb VUO30 标准 fo-fb 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 2.55 V @ 150 A 300 µA @ 1400 V 37 a 三期 1.4 kV
IXGR12N60C IXYS IXGR12N60C -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR12 标准 55 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，12a，18onm，15v - 600 v 15 a 48 a 2.7V @ 15V，12A 90µJ（离） 32 NC 20N/60N
IXTA3N50D2-TRL IXYS ixta3n50d2-trl 2.6990
RFQ
 ECAD 4885 0.00000000 ixys 消耗 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta3 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta3n50d2-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 500 v 3A（TJ） 0V 1.5OHM @ 1.5A，0V 4.5V @ 250µA 40 NC @ 5 V ±20V 1070 pf @ 25 V 耗尽模式 125W（TC）
IXYA20N120C3HV-TRL IXYS IXYA20N120C3HV-TRL 16.6628
RFQ
 ECAD 1763年 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB 标准 278 w TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixya20n120c3hv-trltr Ear99 8541.29.0095 800 600V，20a，10ohm，15V 29 ns - 1200 v 40 a 96 a 3.4V @ 15V，20A 1.3mj（在）上，500µJ（OFF） 53 NC 20N/90NS
IXGX50N60C2D1 IXYS IXGX50N60C2D1 -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXGX50 标准 480 w 加上247™-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，2ohm，15V 35 ns pt 600 v 75 a 300 a 2.5V @ 15V，40a 380µJ（OFF） 138 NC 18NS/115NS
DMA30P1600HR IXYS DMA30P1600小时 7.9660
RFQ
 ECAD 9478 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DMA30 标准 ISO247 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-DMA30P1600小时 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1600 v 1.28 V @ 30 A 40 µA @ 1600 V -55°C 〜175°C 30a 10pf @ 400V，1MHz
MKI100-12F8 IXYS MKI100-12F8 164.4500
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MKI100 640 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 125 a 3.9V @ 15V，100a 1.3 ma 不 6.5 nf @ 25 V
DPG60IM300PC-TUB IXYS DPG60IM300pc-tub 5.2030
RFQ
 ECAD 9965 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DPG60IM300 标准 TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DPG60IM300PC-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.43 V @ 60 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 60a 80pf @ 150V，1MHz
CMA20E1600PZ-TUB IXYS CMA20E1600PZ-TUB 2.7638
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 ixys CMA20E1600PZ 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB CMA20 TO-263HV 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-CMA20E1600PZ-TUB Ear99 8541.30.0080 50 60 ma 1.6 kV 31 a 1.3 v 180a，195a 28 ma 1.46 v 20 a 标准恢复
K2325TJ600 IXYS K2325TJ600 -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF K2325 W81 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-K2325TJ600 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 6 kV 4625 a 3 V 36300a @ 50Hz 300 MA 4.2 v 2380 a 200 ma 标准恢复
DPG30IM400PC-TUB IXYS DPG30IM400pc-tub 3.0896
RFQ
 ECAD 2943 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DPG30IM400 标准 TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DPG30IM400PC-TUB Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.43 V @ 30 A 45 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 30a 32pf @ 200V，1MHz
IXFN360N15T2 IXYS IXFN360N15T2 50.8700
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN360 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 150 v 310a（TC） 10V 4mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 715 NC @ 10 V ±20V 47500 PF @ 25 V - 1070W（TC）
IXFT16N90Q IXYS IXFT16N90Q -
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT16 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 16A（TC） 10V 650MOHM @ 8A，10V 5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 360W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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