SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备软件包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MUBW25-12A7 IXYS MUBW25-12A7 98.3100
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 mubw25 225 w 三相桥梁整流器 E2 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 npt 1200 v 50 a 2.7V @ 15V，25a 900 µA 是的 1.65 NF @ 25 V
IXFH34N50P3 IXYS IXFH34N503 9.4100
RFQ
 ECAD 292 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH34 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfh34n50p3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 34A（TC） 10V 170mohm @ 17a，10v 5V @ 4mA 60 NC @ 10 V ±30V 3260 pf @ 25 V - 695W（TC）
DSP45-18A IXYS DSP45-18A 7.0600
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DSP45 标准 TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-DSP45-18A Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1800 v 1.26 V @ 45 A 40 µA @ 1800 V -40°C〜175°C 45a 18pf @ 400V，1MHz
IXTY1R4N120P IXYS IXTY1R4N120P 4.1800
RFQ
 ECAD 202 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty1 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 1200 v 1.4A（TC） 10V - 4.5V @ 100µA ±20V - -
IXTH24N50 IXYS IXTH24N50 -
RFQ
 ECAD 1870年 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth24 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q2768977 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4V @ 250µA 190 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXYK100N65B3D1 IXYS IXYK100N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixyk100 标准 830 w TO-264 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V，50a，3ohm，15V 37 ns - 650 v 225 a 460 a 1.85V @ 15V，70a 1.27MJ（在）上，2MJ OFF） 168 NC 29NS/150NS
M1104NC450 IXYS M1104NC450 -
RFQ
 ECAD 9206 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 do-200 ac，k-puk M1104 标准 W5 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M1104NC450 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4500 v 2.2 V @ 1500 A 6 µs 50 ma @ 4500 V -40°C〜125°C 1104a -
DGS4-025A IXYS DGS4-025A -
RFQ
 ECAD 6215 0.00000000 ixys - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 DGS4 肖特基 TO-220AC 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 250 v 1.6 V @ 2 A 700 µA @ 250 V -55°C 〜175°C 5.4a -
IXTH460P2 IXYS IXTH460P2 5.4483
RFQ
 ECAD 7296 0.00000000 ixys Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH460 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 270MOHM @ 12A，10V 4.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±30V 2890 pf @ 25 V - 480W（TC）
IXFX98N50P3 IXYS IXFX98NNNNN50P3 18.6300
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX98 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 98A（TC） 10V 50mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 197 nc @ 10 V ±30V 13100 PF @ 25 V - 1300W（TC）
DGS3-030AS IXYS DGS3-030AS -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DGS3 肖特基 TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 2 V @ 2 A 700 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 5a -
IXFN32N100Q3 IXYS IXFN32N100Q3 64.0600
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN32 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn32n100q3 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1000 v 28a（TC） 10V 320MOHM @ 16a，10v 6.5V @ 8mA 195 NC @ 10 V ±30V 9940 pf @ 25 V - 780W（TC）
STP802U2SRP IXYS STP802U2SRP 3.0100
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 ixys sts 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 独立 -scrs 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-STP802U2SRPDKR Ear99 8541.30.0080 2,500 3 ma 800 v 0.6 a 800 mv 20a，24a 100 µA 2 scr
IXTQ34N65X2M IXYS IXTQ34N65X2M 8.9737
RFQ
 ECAD 8153 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixtq34n65x2m Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 34A（TC） 10V 96mohm @ 17a，10v 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 43W（TC）
IXYH100N65C3 IXYS IXYH100N65C3 12.1400
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH100 标准 830 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，3ohm，15V pt 650 v 200 a 420 a 2.3V @ 15V，70a 2.15MJ（在）上，840µJ off） 164 NC 28NS/106NS
IXDH30N120D1 IXYS IXDH30N120D1 10.6200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXDH30 标准 300 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，30a，47ohm，15V 40 ns npt 1200 v 60 a 76 a 2.9V @ 15V，30a 4.6mj（在）上，3.4MJ off） 120 NC -
IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1 9.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH30 标准 270 w TO-247AD（IXXH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，24a，10ohm，15V 25 ns pt 600 v 60 a 115 a 1.85V @ 15V，24a （550µJ）（在500µJ）上（500µJ） 39 NC 23ns/97ns
MITA30WB600TMH IXYS MITA30WB600TMH -
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Minipack2 mita30w 标准 Minipack2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 20 - npt 1600 v 40 a - 不
IXBT32N300 IXYS IXBT32N300 -
RFQ
 ECAD 1605 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 在sic中停产 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT32 标准 400 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.5 µs - 3000 v 80 a 280 a 3.2V @ 15V，32a - 142 NC -
IXYA20N120C3HV IXYS IXYA20N120C3HV 6.3389
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixya20 标准 278 w TO-263HV 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V，20a，10ohm，15V 29 ns - 1200 v 40 a 96 a 3.4V @ 15V，20A 1.3mj（在）上，1MJ（1MJ） 53 NC 20N/90NS
IXGT40N120B2D1 IXYS IXGT40N120B2D1 -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT40 标准 380 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，40a，2ohm，15V 100 ns pt 1200 v 75 a 200 a 3.5V @ 15V，40a 4.5mj（在）上，3MJ（3mj） 138 NC 21NS/290NS
IXTP150N15X4 IXYS IXTP150N15X4 9.1500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP150 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 150a（TC） 10V 7.2MOHM @ 75A，10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 480W（TC）
W7045MC030 IXYS W7045MC030 -
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 夹紧 do-200 ac，k-puk W7045 标准 W54 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W7045MC030 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 300 v 1.49 V @ 21000 A 17.7 µs 50 mA @ 300 V -40°C 〜190°C 7045a -
IXTQ120N15P IXYS IXTQ120N15P 8.1083
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ120 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 120A（TC） 10V 16mohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFR24N80P IXYS IXFR24N80P 12.0027
RFQ
 ECAD 6454 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR24 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 13A（TC） 10V 420MOHM @ 12A，10V 5V @ 4mA 105 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 208W（TC）
IXYT80N90C3 IXYS IXYT80N90C3 10.4730
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixyt80 标准 830 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 450V，80a，2ohm，15V - 900 v 165 a 360 a 2.7V @ 15V，80a 4.3mj（在）上，1.9MJ（（） 145 NC 34NS/90NS
IXTA3N100P IXYS ixta3n100p 3.4128
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta3 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 3A（TC） 10V 4.8OHM @ 1.5A，10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 125W（TC）
MII75-12A3 IXYS MII75-12A3 -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y4-M5 MII75 370 w 标准 Y4-M5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 半桥 npt 1200 v 90 a 2.7V @ 15V，50a 4 mA 不 3.3 NF @ 25 V
IXFN140N60X3 IXYS IXFN140N60X3 39.5070
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 ixys - 管子 积极的 IXFN140 - 238-ixfn140n60x3 10
IXA30PG1200DHG-TUB IXYS IXA30PG1200DHG-TUB 21.1660
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 IXA30 150 w 标准 ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 pt 1200 v 43 a 2.2V @ 15V，25a 2.1 MA 不
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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