SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
IXXH75N60B3 IXYS IXXH75N60B3 11.8227
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH75 标准 750 w TO-247AD（IXXH） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixxh75n60b3 Ear99 8541.29.0095 30 400V，60a，5ohm，15V 75 ns pt 600 v 160 a 300 a 1.85V @ 15V，60a 1.7mj（在）上，1.5MJ（1.5MJ） 107 NC 35NS/118NS
DSEP60-03A IXYS DSEP60-03A -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 ixys Hiperfred™ 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 DSEP60 标准 TO-247 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 120 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.71 V @ 60 A 30 ns 650 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 60a -
VHF15-08IO5 IXYS VHF15-08IO5 -
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 PWS-E1 VHF15 桥，单相-scr/二极管（布局1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 v 15 a 1 V 190a，210a 65 ma 2 scr，2个二极管
N6012ZD020 IXYS N6012ZD020 -
RFQ
 ECAD 7963 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜140°C 底盘安装 TO-200AF N6012 W46 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N6012ZD020 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 200 v 11795 a 3 V 71500A @ 50Hz 300 MA 1.45 v 6012 a 100 ma 标准恢复
N1806QK180 IXYS N1806QK180 -
RFQ
 ECAD 8432 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AB，B-PUK N1806 WP2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N1806QK180 Ear99 8541.30.0080 12 1 a 1.8 kV 3571 a 3 V 21000a @ 50Hz 300 MA 2.4 v 1806 a 100 ma 标准恢复
IXTF6N200P3 IXYS ixtf6n200p3 33.7528
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 ixys Polar P3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixtf6 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 2000 v 4A（TC） 10V 4.2OHM @ 3A，10V 5V @ 250µA 143 NC @ 10 V ±20V 3700 PF @ 25 V - 215W（TC）
IXTT10N100D IXYS IXTT10N100D 18.0763
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixtt10 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 10A（TC） 10V 1.4ohm @ 10a，10v 3.5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V 耗尽模式 400W（TC）
QV6012RH5TP IXYS QV6012RH5TP 2.9900
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 ixys qvxx12xhx 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TO-220 - 3（168）） 238-QV6012RH5TP Ear99 8541.30.0080 1,000 单身的 50 mA 逻辑 -敏感门 600 v 12 a 1.2 v 140a，153a 50 mA
IXFN50N80Q2 IXYS IXFN50N80Q2 41.6170
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q2类 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN50 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 50A（TC） 10V 160MOHM @ 500mA，10V 5.5V @ 8mA 260 NC @ 10 V ±30V 13500 PF @ 25 V - 1135W（TC）
MCNA120UI2200TED IXYS MCNA120UI2200 135.4133
RFQ
 ECAD 8435 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 E2 MCNA120 桥梁，三相 -scrs/diodes -igbt与二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 100 ma 2.2 kV 1.4 v 500a，540a 70 MA 3 scr，3个二极管
IXGH20N60AU1 IXYS IXGH20N60AU1 -
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXGH20 标准 150 w TO-247AD - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v 40 a 3V @ 15V，20A - -
DSA15IM45UC-TUB IXYS DSA15IM45UC-TUB -
RFQ
 ECAD 9153 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DSA15IM45 肖特基 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSA15IM45UC-TUB Ear99 8541.10.0080 70 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 45 v 750 MV @ 15 A 250 µA @ 45 V -55°C 〜175°C 15a 227pf @ 4V，1MHz
E3000EC45E IXYS E3000EC45E -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 底盘安装 do-200ae E3000EC45 标准 W111 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-E3000EC45E Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4500 v 3.1 V @ 3000 A 1.25 µs 90 MA @ 4500 V -40°C〜140°C 3410a -
IXFR40N90P IXYS IXFR40N90P 26.2580
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR40 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 21a（TC） 10V 230mohm @ 20a，10v 6.5V @ 1mA 230 NC @ 10 V ±30V 14000 PF @ 25 V - 300W（TC）
DHG55I3300FE IXYS DHG55I3300FE 41.8509
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 i4-PAC™-5 （2个线索） DHG55 标准 ISOPLUS I4-PAC™ - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DHG55I3300FE Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 3300 v 3.4 V @ 60 A 1.65 µs 100 µA @ 3300 V -40°C〜150°C 50a 16pf @ 1.8KV，1MHz
MDMA600P1600PTSF IXYS MDMA600P1600PTSF 172.2017
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 ixys MDMA600P1600PTSF 盒子 积极的 底盘安装 Simbus f MDMA600 标准 Simbus f - rohs3符合条件 到达不受影响 238-MDMA600P1600PTSF Ear99 8541.10.0080 24 - - 1600 v 600a -
DSEI2X31-04C IXYS DSEI2X31-04C 28.7100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 DSEI2X31 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 400 v 30a 1.6 V @ 30 A 50 ns 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C
IXTH280N055T IXYS IXTH280N055T -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH280 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 55 v 280a（TC） 10V 3.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 200 NC @ 10 V ±20V 9700 PF @ 25 V - 550W（TC）
E2400EC45E IXYS E2400EC45E -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 底盘安装 do-200ae E2400EC45 标准 W111 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-E2400EC45E Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4500 v 3.65 V @ 2400 A 1.22 µs 100 ma @ 4500 V -40°C〜140°C 2490a -
DSA30C150PC-TRL IXYS DSA30C150pc-Trl -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 ixys DSA30C150PC 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSA30C150 肖特基 TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-DSA30C150PC-TRLTR Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 15a 890 mv @ 15 A 250 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
IXTA76P10T IXYS ixta76p10t 6.5100
RFQ
 ECAD 492 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta76 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 100 v 76A（TC） 10V 25mohm @ 38a，10v 4V @ 250µA 197 nc @ 10 V ±15V 13700 PF @ 25 V - 298W（TC）
M1583VF450 IXYS M1583VF450 -
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 底盘安装 do-200AD M1583 标准 W43 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-M1583VF450 Ear99 8541.10.0080 6 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 4500 v 2.8 V @ 2000 A 5 µs 150 ma @ 4500 V -40°C〜150°C 1583a -
IXFR80N20Q IXYS IXFR80N20Q -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR80 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 71A（TC） 10V 28mohm @ 80a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 25 V - 310W（TC）
IXFN48N50Q IXYS IXFN48N50Q -
RFQ
 ECAD 5012 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN48 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 48A（TC） 10V 100mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 500W（TC）
W5282ZC240 IXYS W5282ZC240 -
RFQ
 ECAD 6587 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 底盘安装 do-200ae W5282 标准 W7 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-W5282ZC240 Ear99 8541.10.0080 12 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2400 v 1.35 V @ 6000 A 100 ma @ 2400 V -55°C〜160°C 5282a -
VHF36-08IO5 IXYS VHF36-08IO5 -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 X118 VHF36 桥，单相-scr/二极管（布局1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 800 v 1 V 320a，350a 65 ma 36 a 2 scr，2个二极管
DHF30IM600PN IXYS DHF30IM600PN -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 DHF30 标准 TO-220ABFP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.37 V @ 30 A 35 ns 50 µA @ 600 V -55°C〜150°C 15a -
FMP26-02P IXYS FMP26-02P -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 ixys Polar™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMP26 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FMP2602P Ear99 8541.29.0095 25 n和p通道 200V 26a，17a 60mohm @ 25a，10v 5V @ 250µA 70NC @ 10V 2720pf @ 25V -
DGS3-025AS IXYS DGS3-025AS -
RFQ
 ECAD 8694 0.00000000 ixys - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 DGS3 肖特基 TO-252AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 250 v 1.6 V @ 2 A 700 µA @ 250 V -55°C 〜175°C 5.4a -
IXTH110N25T IXYS IXTH110N25T 10.1900
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH110 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 110A（TC） 10V 24mohm @ 55a，10v 4.5V @ 1mA 157 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 694W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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