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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTQ32P20T	6.0893	RFQ	1972	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq32		MOSFET （金属 o化物）				to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtq32p20t	Ear99	8541.29.0095	30			P通道			200 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	14500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
DNA40U2200GU	20.9800	RFQ	116	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	5-sip	DNA40U2200		标准				GUFP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DNA40U2200GU	Ear99	8541.10.0080	14																										1.28 V @ 30 A		40 µA @ 2200 V		40 a											三期	2.2 kV
Ixta380N036T4-7-Tr	4.2820	RFQ	7461	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta380		MOSFET （金属 o化物）				TO-263-7（IXTA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta380n036t4-7-Tr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			36 V	380a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	480W（TC）
ixta08n120p-trl	2.5952	RFQ	1599年	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta08		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta08n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			1200 v	800mA（TC）	10V	25ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	14 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 25 V	-	50W（TC）
DPJ50XS1800NA	35.6460	RFQ	9013	ixys	DPJ50XS1800NA	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DPJ50XS1800		标准				SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-DPJ50XS1800NA	Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					2独立	1800 v	25a	6.99 V @ 25 A	30 ns	250 µA @ 1800 V	-40°C〜150°C
IXGT72N60A3-TRL	8.7981	RFQ	4357	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT72	标准		540 w			TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixgt72n60a3-trltr	Ear99	8541.29.0095	400					480V，50a，3ohm，15v																						34 ns						pt	600 v	75 a	400 a	1.35V @ 15V，60a	1.38mj（在）上，3.5MJ off）	230 NC	31ns/320ns
DPG30C300PC-TUB	3.0790	RFQ	2351	ixys	DPG30C300PC	管子	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	DPG30C300		标准				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DPG30C300PC-TUB	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	300 v	15a	1.26 V @ 15 A	35 ns	1 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
MIXG120W1200PTEH	154.9675	RFQ	6401	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixg120					-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG120W1200PTEH			24	-																																-				-
IXG70IF1200NA	25.1170	RFQ	5432	ixys	X2PT™，XPT™	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXG70IF1200	标准					SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixg70if1200NA		0000.00.0000	10					-																												pt	1200 v	130 a		-			-
IXYK30N170CV1	27.4088	RFQ	7667	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixyk30	标准		937 w			TO-264（ixyk）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYK30N170CV1	Ear99	8541.29.0095	25					850V，30a，2.7Ohm，15V																						33 ns						pt	1700 v	100 a	250 a	4V @ 15V，30a	3.6mj（在）上，1.8MJ off）	150 NC	16NS/143NS
ixty1n100p-trl	1.2663	RFQ	6740	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）				TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty1n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
ixta3n110-trl	4.3470	RFQ	1435	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n110-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			1100 v	3A（TC）	10V	4ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
CLE90UH1200TLB-TRR	24.1195	RFQ	2530	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-PowersMD	CLE90				桥梁，三相-scr/二极管			下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CLE90UH1200TLB-TRRTR	Ear99	8541.30.0080	200				60 ma													1.2 kV	100 a	1.4 v	350a，380a	30 ma	90 a										3 scr，3个二极管
CLA60MT1200NHR	10.5573	RFQ	8216	ixys	DT-TRIAC™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	CLA60						ISO247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CLA60MT1200NHR	Ear99	8541.30.0080	30	单身的			60 ma												标准	1.2 kV	66 a	1.3 v	380a，410a	60 ma
IXFA76N15T2-TRL	3.8409	RFQ	7266	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA76		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa76n15t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	76A（TC）	10V	22mohm @ 38a，10v	4.5V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	350W（TC）
M2325HA400	-	RFQ	5388	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	do-200AD	M2325		标准				W121	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-M2325HA400	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						4000 v		2.6 V @ 2500 A	5.4 µs	150 ma @ 4000 V	-40°C〜150°C	2325a	-
IXXH140N65B4	16.5613	RFQ	9957	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH140	标准		1200 w			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxh140n65b4	Ear99	8541.29.0095	30					400V，100A，4.7OHM，15V																						105 ns						pt	650 v	340 a	840 a	1.9V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，2.67mj off）	250 NC	54NS/270NS
IXFA72N30x3-Trl	6.6640	RFQ	8017	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA72		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa72n30x3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			300 v	72A（TC）	10V	19mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	82 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
MIXG180W1200TEH	194.0440	RFQ	2149	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	Mixg180			935 w		标准	E3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG180W1200TEH	Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器																																-	1200 v	280 a		2V @ 15V，150a						500 µA	是的	8.5 nf @ 100 V
IXGA48N60C3-TRL	3.1631	RFQ	8261	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA48	标准		300 w			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga48nnnn60c3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800					400V，30a，3ohm，15V																						26 NS						pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS
IXTT1N250HV-TRL	37.8644	RFQ	9685	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt1		MOSFET （金属 o化物）				TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixtt1n250hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400			n通道			2500 v	1.5A（TC）	10V	40ohm @ 750mA，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFA5N100P-TRL	3.6333	RFQ	7860	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA5N100		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa5n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 2.5a，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXYA30N120A4HV	7.6136	RFQ	6009	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixya30	标准		500 w			TO-263HV	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixya30n120a4hv	Ear99	8541.29.0095	50					960V，25a，5ohm，15V																						42 ns						pt	1200 v	106 a	184 a	1.9V @ 15V，25a	4MJ（在）上，3.4MJ（3.4MJ）	57 NC	15NS/235NS
MTC120W55GC-SMD	28.2508	RFQ	2221	ixys	-	管子	积极的	-	-	-	MTC120					-	-	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTC120W55GC-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	-																																-				-
IXXN340N65B4	65.9640	RFQ	3966	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXXN340	标准		1500 w			SOT-227B	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixxn340n65b4	Ear99	8541.29.0095	10					400V，100A，1OHM，15V																						65 ns						pt	650 v	520 a	1200 a	1.7V @ 15V，160a	4.4mj（在）上，2.2MJ off）	553 NC	62NS/245NS
IXGP28N60A3M	-	RFQ	9086	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXGP28	标准		64 W			TO-220隔离选项卡	-				238-ixgp28n60a3m	Ear99	8541.29.0095	50					480V，24a，10ohm，15V																						26 NS						pt	600 v	38 a	200 a	1.4V @ 15V，24a	-	66 NC	18NS/300NS
ixta3n100d2-trl	3.7112	RFQ	6244	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			1000 v	3A（TJ）	0V	6ohm @ 1.5a，0v	4.5V @ 250µA	37.5 NC @ 5 V	±20V	1020 PF @ 25 V	耗尽模式	125W（TC）
IXYN300N65A3	62.2420	RFQ	9157	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn300	标准		1500 w			SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyn300N65A3	Ear99	8541.29.0095	10					400V，100A，1OHM，15V																						125 ns						pt	650 v	470 a	1600 a	1.6V @ 15V，100a	7.8MJ（在）上，4.7MJ off）	565 NC	42NS/190NS
DMA120B800LB-TRR	20.7578	RFQ	5142	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	DMA120		标准				9-SMPD-B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DMA120B800LB-TRRTR	Ear99	8541.10.0080	200																														130 a											单相	800 v
DMA30P1600HB	4.9937	RFQ	4249	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	DMA30		标准				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DMA30P1600HB	Ear99	8541.10.0080	30		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1600 v		1.26 V @ 30 A		40 µA @ 1600 V	-55°C 〜175°C	30a	11pf @ 400V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²