SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io（io） SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MIXA10WB1200TML IXYS MIXA10WB1200TML -
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 Mixa10 63 W 三相桥梁整流器 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三期逆变器 pt 1200 v 17 a 2.1V @ 15V，9A 100 µA 是的
IXBA16N170AHV-TRL IXYS IXBA16N170AHV-TRL 42.1911
RFQ
 ECAD 8959 0.00000000 ixys Bimosfet™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixba16 标准 150 w TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixba16n170ahv-trltr Ear99 8541.29.0095 800 1360v，10a，10ohm，15V 360 ns - 1700 v 16 a 40 a 6V @ 15V，10a 1.2MJ（） 65 NC 15NS/160NS
IXFH52N30Q IXYS IXFH52N30Q 11.7520
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH52 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFH52N30Q-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 52A（TC） 10V 60mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 150 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXGP7N60BD1 IXYS IXGP7N60BD1 -
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP7 标准 80 W TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V，7a，18ohm，15V 35 ns - 600 v 14 a 56 a 2V @ 15V，7a 300µJ（离） 25 NC 10n/100n
IXDP20N60BD1 IXYS IXDP20N60BD1 -
RFQ
 ECAD 7775 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXDP20 标准 140 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 300V，20A，22OHM，15V 40 ns npt 600 v 32 a 40 a 2.8V @ 15V，20A 900µJ（在）上，400µJ（400µJ） 70 NC -
IXYN30N170CV1 IXYS IXYN30N170CV1 44.2500
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixyn30 标准 680 w SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 850V，30a，2.7Ohm，15V 160 ns - 1700 v 88 a 275 a 3.7V @ 15V，30a 5.9MJ（在）上，3.3mj off） 140 NC 28NS/150NS
VHF28-14IO5 IXYS VHF28-14IO5 -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-fa VHF28 桥，单相-scr/二极管（布局1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 VHF2814IO5 Ear99 8541.30.0080 10 100 ma 1.4 kV 1 V 300A，330a 65 ma 28 a 2 scr，2个二极管
IXTH50N30 IXYS IXTH50N30 -
RFQ
 ECAD 9703 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth50 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 50A（TC） 10V 65mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±30V 4400 PF @ 25 V - 400W（TC）
MID550-12A4 IXYS 550-12A4中期 -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB 550年中期 2750 w 标准 Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单身的 npt 1200 v 670 a 2.8V @ 15V，400A 21 ma 不 26 NF @ 25 V
MKE38P600TLB IXYS MKE38P600TLB -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 - 表面安装 9-SMD模块 MKE38P600 - - ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - 600V 50A（TC） - - - - -
VBO25-16NO2 IXYS VBO25-16NO2 27.7200
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，fo-a VBO25 标准 fo-a 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.36 V @ 55 A 300 µA @ 1600 V 38 a 单相 1.6 kV
IXTA8N65X2 IXYS ixta8n65x2 3.3100
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta8 MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 8A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 150W（TC）
CS19-12HO1 IXYS CS19-12HO1 2.8900
RFQ
 ECAD 2832 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-220-3 CS19 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 50 mA 1.2 kV 29 a 1.5 v 160a，180a 28 ma 1.6 v 13 a 5 ma 标准恢复
IXTP08N120P IXYS IXTP08N120P 2.8922
RFQ
 ECAD 2180 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp08 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1200 v 800mA（TC） 10V 25ohm @ 500mA，10v 4.5V @ 50µA 14 NC @ 10 V ±20V 333 pf @ 25 V - 50W（TC）
IXFX15N100 IXYS IXFX15N100 -
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX15 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 不适用 IXFX15N100-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 15A（TC） 10V 700MOHM @ 7.5A，10V 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTP120N04T2 IXYS IXTP120N04T2 2.5796
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP120 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 120A（TC） 10V 6.1MOHM @ 25A，10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±20V 3240 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXTV102N25T IXYS IXTV102N25T -
RFQ
 ECAD 6518 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3，短选项卡 ixtv102 MOSFET （金属 o化物） 加220 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 102A（TC） - - - -
MMIX1F520N075T2 IXYS MMIX1F520N075T2 24.3200
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 ixys Gigamos™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 24-PowersMD，21个线索 MMIX1F520 MOSFET （金属 o化物） 24-smpd 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 625162 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 75 v 500A（TC） 10V 1.6MOHM @ 100A，10V 5V @ 8mA 545 NC @ 10 V ±20V 41000 PF @ 25 V - 830W（TC）
VHFD37-08IO1 IXYS VHFD37-08IO1 38.5600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 v1a-pak VHFD37 桥，单相-scr/二极管（布局1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -VHFD37-08IO1 Ear99 8541.30.0080 24 100 ma 800 v 1 V 320a，350a 65 ma 36 a 2 scr，4个二极管
IXTH67N10 IXYS IXTH67N10 10.7410
RFQ
 ECAD 9480 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth67 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXTH67N10-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 67A（TC） 10V 25mohm @ 33.5a，10V 4V @ 4mA 260 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXTA86N20X4 IXYS IXTA86N20X4 11.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta86 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixta86n20x4 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 86A（TC） 10V 13mohm @ 43a，10v 4.5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 300W（TC）
MCC162-16IO1 IXYS MCC162-16IO1 74.4200
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCC162 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 ma 1.6 kV 300 a 2.5 v 6000a，6400a 150 ma 190 a 2 scr
VHFD37-16IO1 IXYS VHFD37-16IO1 39.9500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 v1a-pak VHFD37 桥，单相-scr/二极管（布局1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 24 100 ma 1.6 kV 1 V 320a，350a 65 ma 36 a 2 scr，4个二极管
IXYH40N65C3D1 IXYS IXYH40N65C3D1 -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH40 标准 300 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，10ohm，15V 120 ns pt 650 v 80 a 180 a 2.35V @ 15V，40a （830µJ）（在360µJ上） 66 NC 23ns/110ns
MWI100-12E8 IXYS MWI100-12E8 -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MWI100 640 w 标准 E3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 1200 v 165 a 2.5V @ 15V，100a 1.4 MA 不 7.4 nf @ 25 V
IXFX48N60Q3 IXYS IXFX48N60Q3 28.7200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX48 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfx48nnn60q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 48A（TC） 10V 140MOHM @ 24A，10V 6.5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 7020 PF @ 25 V - 1000W（TC）
IXYP50N65C3 IXYS IXYP50N65C3 8.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXYP50 标准 600 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，36a，5ohm，15V pt 650 v 130 a 250 a 2.1V @ 15V，36a 1.3mj（在）上，370µJ off） 80 NC 22NS/80NS
CS35-08IO4 IXYS CS35-08IO4 -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 底盘，螺柱坐骑 TO-208AC，TO-65-3，Stud CS35 TO-208AC（to-65） 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 80 ma 800 v 120 a 1.5 v 1200a，1340a 100 ma 1.5 v 69 a 10 MA 标准恢复
IXFK94N50P2 IXYS IXFK94N50P2 21.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys HiperFet™，Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK94 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 94A（TC） 10V 55mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 220 NC @ 10 V ±30V 13700 PF @ 25 V - 1300W（TC）
MCC220-08IO1 IXYS MCC220-08IO1 -
RFQ
 ECAD 8446 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y2-DCB MCC220 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 800 v 400 a 2 v 8500A，9000a 150 ma 250 a 2 scr
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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196-LFBGA裸露的垫子

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