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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGT24N170AH1	-	RFQ	3709	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT24	标准		250 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300				850V，24a，10ohm，15V															200 ns					npt	1700 v	24 a	75 a	6V @ 15V，16a	2.97mj（在）上（790µJ）off）	140 NC	21NS/336NS
IXEH40N120	-	RFQ	3376	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXEH40	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，39ohm，15V																				npt	1200 v	60 a		3V @ 15V，40a	6.1MJ（在）上，3MJ（3MJ）	150 NC	-
ixtd4n80p-3j	-	RFQ	2688	ixys	Polarhv™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	ixtd4n		MOSFET （金属 o化物）			死	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		800 v	3.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.8A，10V	5.5V @ 100µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
DGS10-030A	-	RFQ	5501	ixys	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	DGS10		肖特基			TO-220AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														300 v		2 V @ 5 A		1.3 ma @ 300 V	-55°C 〜175°C	11a	-
IXFA90N20X3	10.2300	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA90		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
DS35-08A	-	RFQ	5996	ixys	-	盒子	过时的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	DS35		标准			do-203ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														800 v		1.55 V @ 150 A		4 ma @ 800 V	-40°C〜180°C	49a	-
IXTP14N60X2	5.5900	RFQ	74	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp14		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp14n60x2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFN32N120P	73.4200	RFQ	9402	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN32		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn32n120p	Ear99	8541.29.0095	10			n通道		1200 v	32A（TC）	10V	310MOHM @ 500mA，10V	6.5V @ 1mA	360 NC @ 10 V	±30V	21000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXTA15N50L2	14.0500	RFQ	238	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta15		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta15n50l2	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTP08N50D2	2.4900	RFQ	8375	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	800mA（TC）	-	4.6ohm @ 400mA，0v	-	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXTQ72N20T	-	RFQ	1775年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq72		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		200 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXFZ140N25T	34.3115	RFQ	3023	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	IXFZ140		MOSFET （金属 o化物）			DE475	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			n通道		250 v	100A（TC）	10V	17mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	255 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	445W（TC）
IXTY2N60P	-	RFQ	9042	ixys	Polar™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty2		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70			n通道		600 v	2A（TC）	10V	5.1OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	240 pf @ 25 V	-	55W（TC）
ixta80n10t-trl	2.4137	RFQ	7279	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta80n10t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXTQ36P15P	7.5500	RFQ	9984	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			P通道		150 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFA5N100P-TRL	3.6333	RFQ	7860	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA5N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa5n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 2.5a，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXBX50N360HV	70.6200	RFQ	113	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX50	标准		660 w		to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				960V，50a，5ohm，15V															1.7 µs					-	3600 v	125 a	420 a	2.9V @ 15V，50a	-	210 NC	46NS/205NS
IXA40PG1200DHG-TUB	25.2370	RFQ	2275	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40			230 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥																							pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a				150 µA	不
IXGN82N120B3H1	-	RFQ	1927年	ixys	Genx3™	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn82			595 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																							pt	1200 v	145 a		3.2V @ 15V，82a				50 µA	不	7.9 NF @ 25 V
IXTV250N075TS	-	RFQ	8193	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXTV250		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		75 v	250A（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFX90N60X	18.3363	RFQ	6337	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX90		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		600 v	90A（TC）	10V	38mohm @ 45a，10v	4.5V @ 8mA	210 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	1100W（TC）
IXFA30N25X3	7.1400	RFQ	240	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA30		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa30n25x3	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		250 v	30A（TC）	10V	60mohm @ 15a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	176W（TC）
DSA120C150QB	6.9500	RFQ	30	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	DSA120		肖特基			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	300		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	150 v	60a	930 MV @ 60 A		1.8 ma @ 150 V	-55°C 〜175°C
MMIX1F180N25T	49.0600	RFQ	20	ixys	Gigamos™，HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F180		MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-MMIX1F180N25T	Ear99	8541.29.0095	20			n通道		250 v	132a（TC）	10V	13mohm @ 90a，10v	5V @ 8mA	364 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	570W（TC）
DHG60I1200HA	7.8683	RFQ	5422	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-2	DHG60		标准			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v		2.32 V @ 60 A	200 ns	125 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	60a	-
IXFK300N20X3	34.4000	RFQ	7596	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK300		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道		200 v	300A（TC）	10V	4mohm @ 150a，10v	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
GWM120-0075x1-SMD	-	RFQ	5504	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）				75V	110a		4.9Mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	115nc @ 10V		-	-
IXFR10N100Q	-	RFQ	8507	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR10		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		1000 v	9A（TC）	10V	1.2OHM @ 5A，10V	5.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXTH1N200P3	-	RFQ	2971	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth1		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		2000 v	1A（TC）	10V	40ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	646 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IXGM40N60	-	RFQ	9699	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM40	标准		250 w		TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20				480V，40a，22ohm，15V															200 ns					-	600 v	75 a	150 a	2.5V @ 15V，40a	-	250 NC	100NS/600NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²