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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
MWI50-12T7T IXYS MWI50-12T7T -
RFQ
 ECAD 5823 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI50 270 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 沟 1200 v 80 a 2.15V @ 15V，50a 4 mA 是的 3.5 nf @ 25 V
MWI75-12T7T IXYS MWI75-12T7T -
RFQ
 ECAD 8484 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 MWI75 355 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 沟 1200 v 110 a 2.15V @ 15V，75a 4 mA 是的 5.35 NF @ 25 V
DSI30-12AS-TUB IXYS DSI30-12AS-tub 2.9700
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 ixys - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB DSI30 标准 TO-263AA 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 DSI30-12AS-ND Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1200 v 1.29 V @ 30 A 40 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 30a 10pf @ 400V，1MHz
IXFH34N65X2 IXYS IXFH34N65X2 8.4800
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH34 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 34A（TC） 10V 105mohm @ 17a，10v 5.5V @ 2.5mA 56 NC @ 10 V ±30V 3330 PF @ 25 V - 540W（TC）
IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2 10.7900
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH46 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 46A（TC） 10V 76mohm @ 23a，10v 5.5V @ 4mA 75 NC @ 10 V ±30V 4810 PF @ 25 V - 660W（TC）
IXFX120N65X2 IXYS IXFX120N65X2 24.8600
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX120 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 120A（TC） 10V 24mohm @ 60a，10v 5.5V @ 8mA 225 NC @ 10 V ±30V 15500 pf @ 25 V - 1250W（TC）
IXFK120N65X2 IXYS IXFK120N65X2 25.1000
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 650 v 120A（TC） 10V 24mohm @ 60a，10v 5.5V @ 8mA 225 NC @ 10 V ±30V 15500 pf @ 25 V - 1250W（TC）
IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2 35.6000
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFB150 MOSFET （金属 o化物） 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 650 v 150a（TC） 10V 17mohm @ 75a，10v 5.5V @ 8mA 430 NC @ 10 V ±30V 20400 PF @ 25 V - 1560W（TC）
IXYL60N450 IXYS IXYL60N450 126.3500
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixyl60 标准 417 w isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q9485533 Ear99 8541.29.0095 25 960V，60a，4.7Ohm，15V - 4500 v 90 a 680 a 3.3V @ 15V，60a - 366 NC 55NS/450NS
IXTA12N65X2 IXYS IXTA12N65X2 3.4474
RFQ
 ECAD 6484 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + TAB） ixta12 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 12A（TC） 10V 300mohm @ 6a，10v 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 180W（TC）
IXTH12N65X2 IXYS IXTH12N65X2 5.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth12 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 12A（TC） 10V 300mohm @ 6a，10v 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 180W（TC）
IXTH80N65X2 IXYS IXTH80N65X2 13.6400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth80 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 80A（TC） 10V 40MOHM @ 40a，10v 4.5V @ 4mA 144 NC @ 10 V ±30V 7753 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXTH62N65X2 IXYS IXTH62N65X2 11.0300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth62 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 62A（TC） 10V 52MOHM @ 31a，10v 4.5V @ 4mA 104 NC @ 10 V ±30V 5940 pf @ 25 V - 780W（TC）
IXTA4N65X2 IXYS ixta4n65x2 3.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta4 MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A（TC） 10V 850MOHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W（TC）
IXTP4N65X2 IXYS ixtp4n65x2 2.8600
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp4 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 4A（TC） 10V 850MOHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W（TC）
IXTY4N65X2 IXYS IXTY4N65X2 2.7700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty4 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixty4N65x2 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 650 v 4A（TC） 10V 850MOHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 V ±30V 455 pf @ 25 V - 80W（TC）
IXTA8N65X2 IXYS ixta8n65x2 3.3100
RFQ
 ECAD 7966 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta8 MOSFET （金属 o化物） TO-263 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 8A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTP8N65X2 IXYS ixtp8n65x2 1.6260
RFQ
 ECAD 8004 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp8 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 8A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTY8N65X2 IXYS IXTY8N65X2 2.9800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty8 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -1402-ixty8n65x2 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 650 v 8A（TC） 10V 500MOHM @ 4A，10V 5V @ 250µA 12 nc @ 10 V ±30V 800 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXFH20N85X IXYS IXFH20N85X 10.4400
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH20 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 20A（TC） 10V 330mohm @ 500mA，10v 5.5V @ 2.5mA 63 NC @ 10 V ±30V 1660 pf @ 25 V - 540W（TC）
IXFT50N85XHV IXYS IXFT50N85XHV 19.4700
RFQ
 ECAD 4313 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft50 MOSFET （金属 o化物） TO-268HV（IXFT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 50A（TC） 10V 105mohm @ 500mA，10v 5.5V @ 4mA 152 NC @ 10 V ±30V 4480 pf @ 25 V - 890W（TC）
IXTP340N04T4 IXYS ixtp340n04t4 5.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp340 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 340a（TC） 10V 1.9MOHM @ 100A，10V 4V @ 250µA 256 NC @ 10 V ±15V 13000 PF @ 25 V - 480W（TC）
DMA50P1200HR IXYS DMA50P1200HR 10.5620
RFQ
 ECAD 3224 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DMA50 标准 TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1200 v 50a 1.31 V @ 50 A 40 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IXA220I650NA IXYS IXA220I650NA -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXA220 625 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 650 v 225 a 100 µA 不
IXA27IF1200HJ IXYS IXA27IF1200HJ 11.4100
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS247™ IXA27IF1200 150 w 标准 ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 单身的 pt 1200 v 43 a 2.1V @ 15V，25a 100 µA 不
IXB80IF600NA IXYS IXB80IF600NA -
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXB80IF600 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 - NPT，Pt 600 v 120 a - - -
IXBL20N300C IXYS IXBL20N300C -
RFQ
 ECAD 1340 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixbl20 标准 417 w isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 1500V，20a，3ohm，15v 864 ns - 3000 v 50 a 430 a 6V @ 15V，20A 23MJ（在）上，2.6MJ（2.6MJ） 425 NC 33NS/370NS
IXBT12N300HV IXYS IXBT12N300HV 37.6500
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT12 标准 160 w TO-268HV（IXBT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，12a，10ohm，15V 1.4 µs - 3000 v 30 a 100 a 3.2V @ 15V，12A - 62 NC 64NS/180NS
IXBT42N300HV IXYS IXBT42N300HV 55.2300
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT42 标准 500 w TO-268HV（IXBT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1500V，42A，20欧姆，15V 1.7 µs - 3000 v 104 a 400 a 3V @ 15V，42a - 200 NC 72NS/445NS
IXFA24N60X IXYS IXFA24N60X 4.5712
RFQ
 ECAD 1850年 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA24 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 24A（TC） 10V 175mohm @ 12a，10v 4.5V @ 2.5mA 47 NC @ 10 V ±30V 1910 PF @ 25 V - 400W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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