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6315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTH48N65X2	10.5700	RFQ	590	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth48		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	632407	Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	48A（TC）	10V	68mohm @ 24A，10V	4.5V @ 4mA	77 NC @ 10 V	±30V	4420 PF @ 25 V	-	660W（TC）
IXTN8N150L	53.8500	RFQ	160	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn8		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			1500 v	7.5A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	545W（TC）
IXFH14N60P	6.0900	RFQ	28	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH400N075T2	16.0900	RFQ	6654	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH400		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			75 v	400A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
DSS2X61-0045A	31.0600	RFQ	4178	ixys	-	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DSS2		肖特基				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					2独立	45 v	60a	740 mv @ 60 a		2 ma @ 45 V	-40°C〜150°C
VWO40-16IO7	-	RFQ	2818	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	VWO40				3 - scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				150 ma													1.6 kV	29 a	1 V	400a，450a	100 ma	18 a										6 scr
IXTH20N60	-	RFQ	2535	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth20		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	20A（TC）	10V	350MOHM @ 10A，10V	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP14N55X2	5.8746	RFQ	6048	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-	-	-	IXFP14		-				-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp14n55x2	Ear99	8541.29.0095	50			-				-	-	-	-		-		-	-
ixta08n120p-trl	2.5952	RFQ	1599年	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta08		MOSFET （金属 o化物）				TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta08n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			n通道			1200 v	800mA（TC）	10V	25ohm @ 400mA，10v	4.5V @ 50µA	14 NC @ 10 V	±20V	333 pf @ 25 V	-	50W（TC）
VYK70-14IO7	-	RFQ	6460	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	Vyk70				普通阴极 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma													1.4 kV	43 a	1.5 v	550a，600a	100 ma	28 a										3 scr
IXFN20N120	-	RFQ	9621	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN20		MOSFET （金属 o化物）				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道			1200 v	20A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	160 NC @ 10 V	±30V	7400 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXFH88N20Q	-	RFQ	6020	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH88		MOSFET （金属 o化物）				TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			200 v	88A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 4mA	146 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFK40N90P	29.8700	RFQ	240	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK40		MOSFET （金属 o化物）				TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			900 v	40a（TC）	10V	230mohm @ 20a，10v	6.5V @ 1mA	230 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
htz160c14k	-	RFQ	2067	ixys	htz160c	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz160		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对系列连接	14400 V	1.7a	12 V @ 2 A		500 µA @ 14400 V
MCA550-12IO2	-	RFQ	8253	ixys	*	托盘	过时的											-	rohs3符合条件			238-MCA550-12IO2	Ear99	8541.30.0080	1
MII150-12A4	-	RFQ	4306	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MII150			760 w		标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	半桥																																npt	1200 v	180 a		2.7V @ 15V，100a				7.5 ma	不	6.6 NF @ 25 V
QJ8030RH4TP	5.3500	RFQ	1	ixys	QJXX30XH4	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	QJ8030						TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-QJ8030RH4TP	Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			60 ma												替代者 -无用	800 v	30 a	1 V	290a，350a	35 MA
MDK950-20N1W	-	RFQ	8793	ixys	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	MDK950		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对普通阴极	2000 v	950a	880 mv @ 500 A	18 µs	50 mA @ 2000 V	-40°C〜150°C
IXGH60N60C2	-	RFQ	1789年	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH60	标准		480 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，50a，2ohm，15V																												pt	600 v	75 a	300 a	2.5V @ 15V，50a	480µJ（OFF）	146 NC	18NS/95NS
VTO70-08IO7	-	RFQ	5588	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	fo-ta	VTO				桥梁，三相 -scr			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	10				200 ma													800 v		1.5 v	550a，600a	100 ma	70 a										6 scr
IXGN50N60B	-	RFQ	2488	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn50			300 w		标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	单身的																																-	600 v	75 a		2.3V @ 15V，50a				200 µA	不	4.1 NF @ 25 V
IXFH6N100F	-	RFQ	6900	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	5.5V @ 2.5mA	54 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	180W（TC）
CLA60MT1200NHR	10.5573	RFQ	8216	ixys	DT-TRIAC™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	CLA60						ISO247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-CLA60MT1200NHR	Ear99	8541.30.0080	30	单身的			60 ma												标准	1.2 kV	66 a	1.3 v	380a，410a	60 ma
IXA40PG1200DHG-TUB	25.2370	RFQ	2275	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40			230 w		标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥																																pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a				150 µA	不
W6672TJ320	-	RFQ	2462	ixys	-	盒子	在sic中停产		底盘安装	TO-200AF	W6672		标准				TO-200AF	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-W6672TJ320	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1750 v		1.37 V @ 5000 A	52 µs	100 ma @ 1750 V	-40°C〜160°C	6672a	-
LSIC1MO120T0160-TU	8.1853	RFQ	4102	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	LSIC1MO120		SIC （硅碳化物交界晶体管）				TO-263-7	下载				238-LSIC1MO120T0160-TU	Ear99	8541.29.0095	400			n通道			1200 v	22a（TC）	-	-	-		-		-	-
DSA30I150PA	2.0400	RFQ	6	ixys	-	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	DSA30I150		肖特基				TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						150 v		930 MV @ 30 A		900 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	30a	-
MMO230-16IO7	35.5584	RFQ	3104	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	MMO230				1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	25				200 ma													1.6 kV	180 a	1.5 v	2250a，2400a	150 ma	105 a										2 scr
IXTH50P085	-	RFQ	5133	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth50		MOSFET （金属 o化物）				TO-247（IXTH）	下载		不适用	到达不受影响	IXTH50P085-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			P通道			85 v	50A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
htz110a16k	-	RFQ	7726	ixys	htz110a	盒子	积极的		底盘安装	模块	htz110		标准				模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对系列连接	16000 v	3.5a	18.3 V @ 12 A		500 µA @ 16800 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²