SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTA96P085T-TRL IXYS ixta96p085t-trl 6.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys Trechp™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta96 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 85 v 96A（TC） 10V 13mohm @ 48a，10v 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±15V 13100 PF @ 25 V - 298W（TC）
IXXK300N60C3 IXYS IXXK300N60C3 31.8228
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXXK300 标准 2300 w TO-264（ixxk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V，100A，1OHM，15V pt 600 v 510 a 1075 a 2V @ 15V，100a 3.35mj（在）上，1.9MJ off） 438 NC 50NS/160NS
IXTP44P15T IXYS ixtp44p15t 6.3900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 ixtp44 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 150 v 44A（TC） 10V 65mohm @ 500mA，10v 4V @ 250µA 175 NC @ 10 V ±15V 13400 PF @ 25 V - 298W（TC）
IXTH50N20 IXYS IXTH50N20 -
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth50 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 IXTH50N20-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 50A（TC） 10V 45mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 220 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXSR50N60BU1 IXYS IXSR50N60BU1 -
RFQ
 ECAD 5449 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXSR50 标准 ISOPLUS247™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v - - -
IXFX160N30T IXYS IXFX160N30T 20.1500
RFQ
 ECAD 811 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX160 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 160a（TC） 10V 19mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 335 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 1390W（TC）
VUO80-12NO1 IXYS VUO80-12NO1 32.3467
RFQ
 ECAD 9620 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 v1-a VUO80 标准 v1-a 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 24 1.14 V @ 30 A 40 µA @ 1200 V 82 a 三期 1.2 kV
DHG20I600PA IXYS DHG20I600PA 3.7100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 ixys - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 DHG20 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 2.32 V @ 20 A 35 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 20a -
MMIX1F160N30T IXYS MMIX1F160N30T 45.7675
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 ixys Gigamos™，HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 24-PowersMD，21个线索 MMIX1F160 MOSFET （金属 o化物） 24-smpd 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 300 v 102A（TC） 10V 20mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 335 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 570W（TC）
IXFN106N20 IXYS IXFN106N20 23.7740
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN106 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 200 v 106a（TC） 10V 20mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 380 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 521W（TC）
VHF55-16IO7 IXYS VHF55-16IO7 -
RFQ
 ECAD 4559 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VHF55 桥，单相-scr/二极管（布局1） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 10 200 MA 1.6 kV 1.5 v 550a，600a 100 ma 53 a 2 scr，2个二极管
IXA20PG1200DHG-TUB IXYS IXA20PG1200DHG-TUB 19.6670
RFQ
 ECAD 7887 0.00000000 ixys - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 9-SMD模块 IXA20 130 w 标准 ISOPLUS-SMPD™.b 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 pt 1200 v 32 a 2.1V @ 15V，15a 125 µA 不
IXCP01N90E IXYS IXCP01N90E -
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXCP01 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 250mA（tc） 10V 80ohm @ 50mA，10v 5V @ 25µA 7.5 NC @ 10 V ±20V 133 pf @ 25 V - 40W（TC）
IXBT12N300 IXYS IXBT12N300 23.7863
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT12 标准 160 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.4 µs - 3000 v 30 a 100 a 3.2V @ 15V，12A - 62 NC -
IXTA80N10T7 IXYS IXTA80N10T7 -
RFQ
 ECAD 9490 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta80 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 80A（TC） 10V 14mohm @ 25a，10v 4.5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ±30V 3040 pf @ 25 V - 230W（TC）
MCC95-18IO8B IXYS MCC95-18IO8B 40.7000
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC95 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.8 kV 180 a 2.5 v 2250a，2400a 150 ma 116 a 2 scr
MCC44-08IO1B IXYS MCC44-08IO1B 30.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC44 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -MCC44-08IO1B Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 800 v 80 a 1.5 v 1150a，1230a 100 ma 51 a 2 scr
IXGH10N100AU1 IXYS IXGH10N100AU1 -
RFQ
 ECAD 1881年 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgh10 标准 100 W TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 IXGH10N100AU1-NDR Ear99 8541.29.0095 30 800V，10a，150ohm，15V 60 ns - 1000 v 20 a 40 a 4V @ 15V，10a 2MJ（（） 52 NC 100NS/550NS
IXTX400N15X4 IXYS IXTX400N15X4 44.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx400 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 400A（TC） 10V 3.1MOHM @ 100A，10V 4.5V @ 1mA 430 NC @ 10 V ±20V 14500 PF @ 25 V - 1500W（TC）
IXGH20N60BD1 IXYS IXGH20N60BD1 -
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH20 标准 150 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，20A，10欧姆，15V 25 ns - 600 v 40 a 80 a 2V @ 15V，20A （700µJ）（离） 55 NC 15NS/110NS
N2825TE400 IXYS N2825TE400 -
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 底盘安装 TO-200AF N2825 W82 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-N2825TE400 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 4 kV 5520 a 3 V 41000a @ 50Hz 300 MA 3.37 v 2825 a 250 MA 标准恢复
MCMA140PD1200TB IXYS MCMA140PD1200TB 35.5811
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCMA140 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.2 kV 220 a 1.5 v 2400a，2590a 150 ma 140 a 1 sc，1二极管
MDI550-12A4 IXYS MDI550-12A4 -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 150°C（TJ） 底盘安装 Y3-DCB MDI550 2750 w 标准 Y3-DCB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单身的 npt 1200 v 670 a 2.8V @ 15V，400A 21 ma 不 26 NF @ 25 V
IXFN24N90Q IXYS IXFN24N90Q -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN24 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 900 v 24A（TC） - - - 500W（TC）
MMO230-14IO7 IXYS MMO230-14IO7 -
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 模块 MMO 1相控制器 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MMO23014IO7 Ear99 8541.30.0080 25 200 MA 1.4 kV 180 a 1.5 v 2250a，2400a 150 ma 105 a 2 scr
MCC72-16IO8B IXYS MCC72-16IO8B 36.8381
RFQ
 ECAD 4352 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCC72 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 MCC7216IO8B Ear99 8541.30.0080 36 200 MA 1.6 kV 180 a 2.5 v 1700a，1800a 150 ma 115 a 2 scr
MMIX1X100N60B3H1 IXYS MMIX1X100N60B3H1 28.6745
RFQ
 ECAD 4315 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 24-PowersMD，21个线索 MMIX1X100 标准 400 w 24-smpd 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 360V，70a，2ohm，15V 140 ns - 600 v 145 a 440 a 1.8V @ 15V，70a 1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中 143 NC 30NS/120NS
MCC132-08IO1 IXYS MCC132-08IO1 65.4450
RFQ
 ECAD 2451 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 Y4-M6 MCC132 系列连接 -scr 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 6 200 MA 800 v 300 a 2.5 v 4750a，5080a 150 ma 130 a 2 scr
IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2 10.7900
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH46 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 46A（TC） 10V 76mohm @ 23a，10v 5.5V @ 4mA 75 NC @ 10 V ±30V 4810 PF @ 25 V - 660W（TC）
IXFT30N85XHV IXYS IXFT30N85XHV 14.1200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft30 MOSFET （金属 o化物） TO-268（IXFT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 850 v 30A（TC） 10V 220MOHM @ 500mA，10V 5.5V @ 2.5mA 68 NC @ 10 V ±30V 2460 pf @ 25 V - 695W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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