SIC
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6315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （ih）（IH）） 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） SCR，二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
FII50-12E IXYS FII50-12E -
RFQ
 ECAD 7081 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FII50 200 w 标准 ISOPLUS I4-PAC™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 半桥 npt 1200 v 50 a 2.6V @ 15V，30a 400 µA 不 2 NF @ 25 V
IXFV30N50P IXYS IXFV30N50P -
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 IXFV30 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 30A（TC） 10V 200mohm @ 15a，10v 5V @ 4mA 70 NC @ 10 V ±30V 4150 PF @ 25 V - 460W（TC）
IXFB210N30P3 IXYS IXFB210N303 32.0700
RFQ
 ECAD 6367 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFB210 MOSFET （金属 o化物） 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfb210n303 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 210a（TC） 10V 14.5MOHM @ 105A，10V 5V @ 8mA 268 NC @ 10 V ±20V 16200 PF @ 25 V - 1890W（TC）
IXFK35N50 IXYS IXFK35N50 -
RFQ
 ECAD 9959 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK35 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 500 v 35A（TC） 10V 150MOHM @ 16.5A，10V 4V @ 4mA 227 NC @ 10 V ±20V 5700 PF @ 25 V - 416W（TC）
IXYT12N250CV1HV IXYS IXYT12N250CV1HV 51.4643
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA 标准 310 w TO-268HV ixyt） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYT12N250CV1HV Ear99 8541.29.0095 30 1250V，12a，10ohm，15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V，12a 3.56mj（在）上，1.7MJ OFF） 56 NC 12NS/167NS
IXTA300N04T2-7 IXYS IXTA300N04T2-7 5.2412
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta300 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 300A（TC） 10V 2.5MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 10700 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXTN79N20 IXYS IXTN79N20 -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXTN79 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 200 v 85A（TC） - 4V @ 20mA - 400W（TC）
HTZ260G14K IXYS HTZ260G14K -
RFQ
 ECAD 9410 0.00000000 ixys htz260g 盒子 积极的 底盘安装 模块 HTZ260 标准 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 14000 v 4.7a 16 V @ 12 A 500 µA @ 14000 V
IXFA72N30X3-TRL IXYS IXFA72N30x3-Trl 6.6640
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB IXFA72 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa72n30x3-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 300 v 72A（TC） 10V 19mohm @ 36a，10v 4.5V @ 1.5mA 82 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 390W（TC）
CLA80E1200HF IXYS CLA80E1200HF 9.9000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C 通过洞 TO-247-3变体 CLA80 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.2 kV 126 a 1.5 v 900a，970a 38 ma 1.77 v 80 a 50 µA 标准恢复
MDMA50P1600TG IXYS MDMA50P1600TG 25.9803
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 底盘安装 TO-240AA MDMA50 标准 TO-240AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 36 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1对系列连接 1600 v 50a 1.18 V @ 50 A 100 µA @ 1600 V -40°C〜150°C
IXYP20N65C3D1 IXYS IXYP20N65C3D1 3.8400
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXYP20 标准 200 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，20A，20欧姆，15V 135 ns pt 650 v 50 a 105 a 2.5V @ 15V，20A （430µJ）（在350µJ上） 30 NC 19NS/80NS
VUO100-14NO7 IXYS VUO100-14NO7 -
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 fo-ta VUO100 标准 fo-ta 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 1.4 V @ 150 A 500 µA @ 1400 V 100 a 三期 1.4 kV
MCC250-14IO1 IXYS MCC250-14IO1 -
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 ixys - 大部分 过时的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y2-DCB MCC250 系列连接 -scr 下载 Rohs不合规 不适用 Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 1.4 kV 450 a 2 v 9000a，9600a 150 ma 287 a 2 scr
IXTH220N075T IXYS IXTH220N075T -
RFQ
 ECAD 8771 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH220 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 75 v 220A（TC） 10V 4.5MOHM @ 25A，10V 4V @ 250µA 165 NC @ 10 V ±20V 7700 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXGR50N60B2D1 IXYS IXGR50N60B2D1 -
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR50 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，5ohm，15V 35 ns - 600 v 68 a 300 a 2.2V @ 15V，40a （550µJ） 140 NC 18NS/190NS
IXTV22N50P IXYS ixtv22n50p -
RFQ
 ECAD 1572年 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 ixtv22 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 22a（TC） 10V 270MOHM @ 11A，10V 5.5V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±30V 2630 PF @ 25 V - 350W（TC）
DSEE29-06CC IXYS DSEE29-06cc -
RFQ
 ECAD 1728年 0.00000000 ixys Hiperdynfred™ 管子 积极的 通过洞 ISOPLUS220™ DSEE29 标准 ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对系列连接 600 v 30a 1.26 V @ 30 A 30 ns 100 µA @ 600 V -55°C 〜175°C
IXGN80N60A2 IXYS IXGN80N60A2 -
RFQ
 ECAD 2976 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn80 625 w 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 160 a 1.35V @ 15V，80a 25 µA 不
IXFX24N90Q IXYS IXFX24N90Q -
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX24 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 24A（TC） 10V 450MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 5900 PF @ 25 V - 500W（TC）
VUO155-12NO1 IXYS VUO155-12NO1 -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 v2-pak VUO155 标准 v2-pak 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6 1.59 V @ 150 A 300 µA @ 1200 V 157 a 三期 1.2 kV
MCC250-16IO1 IXYS MCC250-16IO1 -
RFQ
 ECAD 7506 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C 〜140°C（TJ） 底盘安装 Y2-DCB MCC250 系列连接 -scr 下载 （1 （无限） Ear99 8541.30.0080 2 150 ma 1.6 kV 450 a 2 v 9000a，9600a 150 ma 287 a 2 scr
IXTA20N65X2 IXYS IXTA20N65X2 4.5552
RFQ
 ECAD 2573 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta20 MOSFET （金属 o化物） TO-263（D2PAK） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta20n65x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 20A（TC） 10V 185mohm @ 10a，10v 4.5V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±30V 1450 pf @ 25 V - 290W（TC）
IXFK80N10Q IXYS IXFK80N10Q -
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 ixys - 管子 过时的 IXFK80 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 25 -
K0900ME650 IXYS K0900me650 -
RFQ
 ECAD 5978 0.00000000 ixys - 盒子 在sic中停产 -40°C〜125°C 夹紧 TO-200AC，K-PUK K0900 W78 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-K0900me650 Ear99 8541.30.0080 6 1 a 6.5 kV 1980 a 3 V 14000a @ 50Hz 300 MA 2.5 v 1010 a 150 ma 标准恢复
IXGH15N120BD1 IXYS IXGH15N120BD1 -
RFQ
 ECAD 9196 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH15 标准 150 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，15a，10ohm，15V 40 ns - 1200 v 30 a 60 a 3.2V @ 15V，15a 1.75MJ（） 69 NC 25NS/150NS
MCD95-14IO1B IXYS MCD95-14IO1B 35.3069
RFQ
 ECAD 5018 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 TO-240AA MCD95 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 36 200 ma 1.4 kV 180 a 2.5 v 2250a，2400a 150 ma 116 a 1 sc，1二极管
VUO122-18NO7 IXYS VUO122-18NO7 -
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VUO122 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 1.75 V @ 200 A 500 µA @ 800 V 117 a 三期 1.8 kV
IXYN80N90C3H1 IXYS IXYN80N90C3H1 43.1400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixyn80 500 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 900 v 115 a 2.7V @ 15V，80a 25 µA 不 4.55 NF @ 25 V
IXTQ96N20P IXYS IXTQ96N20P 9.4100
RFQ
 ECAD 1224 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ96 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 96A（TC） 10V 24mohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 145 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 600W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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